SQ2361EES
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Vishay Siliconix公司
汽车P沟道60 V （D -S ） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
TO-236
(SOT-23)
特点
- 60
0.150
0.200
- 2.5
S
TrenchFET
功率MOSFET
典型的ESD保护： 800 V
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
100 % R
g
和UIS测试
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
G
1
3
D
G
S
2
顶视图
SQ2361EES
标识代码：
8Nxxx
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
SOT-23
SQ2361EES-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
漏电流脉冲
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 60
± 20
- 2.5
- 1.4
- 2.5
- 10
- 15
11
2
0.67
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚（漏极）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
印刷电路板安装
b
符号
R
thJA
R
thJF
极限
175
75
单位
° C / W
S12-2198 -REV 。 C， 24月， 12
文档编号： 70953
1
如有技术问题，请联系：
automostechsupport@vishay.com
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特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 4.5 V
前锋
跨
b
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
时间
c
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= - 1.5 A，V
GS
= 0 V
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 20
I
D
- 1.5 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= - 10 V
V
DS
= - 30 V，I
D
= - 6 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V ， F = 1兆赫
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
关断延时
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
-
-
-
-
-
-
2.7
-
-
-
-
-
-
435
55
40
11.2
1.6
3.2
5.4
7
8
19
8
-
- 0.8
545
70
50
17
-
-
8.1
11
12
29
12
- 10
- 1.2
A
V
ns
nC
pF
V
DS
= - 60 V
V
DS
= - 60 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 60 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
- 5 V
I
D
= - 2.4 A
I
D
= - 2.4 A，T
J
= 125 °C
I
D
= - 2.4 A，T
J
= 175 °C
I
D
= - 1.8 A
- 60
- 1.5
-
-
-
-
-
- 10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.115
-
-
0.160
5
-
- 2.5
± 30
±2
-1
- 50
- 150
-
0.150
0.260
0.310
0.200
-
S
A
μA
V
mA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 2 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
0.005
10
-0
10
-1
Vishay Siliconix公司
0.004
10
-2
I
GSS
- 栅电流（ A）
I
GSS
- 栅电流（ A）
10
-3
10
-4
10
-5
T
J
= 150 °C
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
0.003
0.002
T
J
= 25 °C
0.001
T
J
= 25 °C
0
0
5
10
15
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
25
10
-10
0
7
14
21
28
35
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
栅电流与栅源电压
12
V
GS
= 10 V通6 V
栅电流与栅源电压
10
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 3 V
8
8
6
6
V
GS
= 5 V
4
4
2
V
GS
= 4 V
2
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
10
0
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
输出特性
10
0.5
传输特性
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= - 55 °C
6
T
C
= 25 °C
4
T
C
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
8
0.4
0.3
0.2
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
I
D
- 漏电流（ A）
0.0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏电流（ A）
跨
导通电阻与漏电流
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
800
700
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
Vishay Siliconix公司
10
I
D
= 6 A
8
V
DS
= 30 V
- 电容（pF ）
600
500
400
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
60
C
国际空间站
6
4
2
0
0
2
4
6
8
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
10
12
电容
2.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
栅极电荷
100
I
D
= 1.7 A
2.1
I
S
-
来源
电流（A ）
10
V
GS
= 10 V
1.7
1
T
J
= 150 °C
1.3
V
GS
= 4.5 V
0.9
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.5
- 50
0.001
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
导通电阻与结温
1.0
1.0
源极 - 漏极二极管正向电压
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.8
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.7
I
D
= 250 μA
0.6
0.4
I
D
= 5毫安
0.1
0.4
T
J
= 150 °C
0.2
T
J
= 25 °C
0.0
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
10
- 0.2
- 0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
S12-2198 -REV 。 C， 24月， 12
文档编号： 70953
4
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热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
- 60
I
D
= 1毫安
- 64
I
D
- 漏电流（ A）
I
DM
有限
Vishay Siliconix公司
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
限于由R
DS （ ON）
*
- 68
1
100 μs
1毫秒
- 72
0.1
- 76
T
C
= 25 °C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
10毫秒
100毫秒
1
s,
10
s,
DC
- 80
- 50
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
漏源击穿与结温
安全工作区
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 175 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
S12-2198 -REV 。 C， 24月， 12
文档编号： 70953
5
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