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SPD14N06S2-80
的OptiMOS
功率晶体管
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
55
80
17
P- TO252 -3-11
V
m
A
增强型
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
TYPE
SPD14N06S2-80
包
订购代码
P- TO252 -3-11 Q67060 - S7423
记号
2N0680
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
T
C
=25°C
价值
17
12
单位
A
I
D
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
68
43
3
6
±20
30
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
ID
=14A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
1)
反向二极管的dv / dt
IS
=14A,
V
DS
=44V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
2003-05-09
SPD14N06S2-80
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
2)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
2.14
-
-
-
马克斯。
3.2
100
75
50
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
55
2.1
值
典型值。
-
3
马克斯。
-
4
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=14A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=55V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=55V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
1
1
53
1
100
100
80
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=7A
设计1Defined 。不受生产测试。
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2003-05-09
SPD14N06S2-80
电气特性
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=44V,
I
D
=14A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=44V,
I
D
=14A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
10.4
302
78
26
7
28
22
27
马克斯。
-
400
104
38
11
42
33
40
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=12A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
5.2
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
DD
=30V,
V
GS
=10V,
I
D
=14A,
R
G
=39
ns
-
-
-
-
1.6
3
8
5.5
2
5
10
-
nC
V
（高原）
V
DD
=44V,
I
D
=14A
V
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=14A
V
R
=30V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.9
25
35
17
68
1.3
31
44
A
V
ns
nC
第3页
2003-05-09
SPD14N06S2-80
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
6 V
32
SPD14N06S2-80
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
SPD14N06S2-80
18
W
A
24
14
12
P
合计
20
I
D
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
16
12
8
4
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
DS
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
t
= 4.6s
p
/
10
=
V
2
SPD14N06S2-80
DS
（上
)
10
1
SPD14N06S2-80
K / W
A
R
10 s
10
0
10
1
100 s
Z
thJC
I
D
10
-1
1毫秒
0
D = 0.50
10
-2
0.20
0.10
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
10
-3
10
-1
10
-1
10
0
10
1
V
10
2
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2003-05-09
SPD14N06S2-80
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
35
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
220
VGS = 7V
A
VGS = 10V
VGS = 8V
VGS = 5.5V
VGS = 6V
180
25
160
20
140
120
VGS = 5.5V
I
D
VGS = 6V
15
100
80
60
40
4
6
8
10
12
10
VGS = 5V
VGS = 7V
VGS = 8V
VGS = 10V
5
Vgs=4.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
DS
14
16
18
20
24
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
28
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
11
A
24
S
9
22
20
8
I
D
18
16
14
12
10
8
6
g
fs
V
8
V
GS
7
6
5
4
3
2
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
1
0
0
2
4
6
8
A
11
I
D
第5页
2003-05-09
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