【SPU02N60S5SPD02N60S5酷MOS 功率晶体管特征新的革命高电压技术超低栅极电荷周期性】,IC型号SPU02N60S5,SPU02N60S5 PDF资料,SPU02N60S5经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPU02N60S5

SPD02N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

P-TO252.

2

3

1

600

3

1.8

P-TO251.

V

A

1

2

3

TYPE

包

订购代码

SPU02N60S5

SPD02N60S5

P-TO251.

P-TO252.

Q67040-S4226

Q67040-S4213

记号

02N60S5

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

价值

1.8

1.1

单位

A

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 1.35 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

3.2

50

0.07

1.8

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 1.8 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

门源电压

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

25

-55... +150

工作和存储温度

2.1版

第1页

2004-03-30

SPU02N60S5

SPD02N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 1.8 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=80Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

值

典型值。

-

马克斯。

5

75

50

260

-

单位

K / W

R

thJA

T

出售

-

°C

值

典型值。

-

700

4.5

0.5

-

2.7

7.3

马克斯。

-

5.5

600

-

3.5

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=1.8A

A

1

50

100

3

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=1.1A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

2.1版

第2页

2004-03-30

SPU02N60S5

SPD02N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=1.8A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=350V,

I

D

=1.8A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

1.4

240

77

4.4

35

20

马克斯。

-

42

30

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=1.1A

-

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=1.8A,

R

G

=50

ns

-

2.3

4.5

7.3

8

-

9.5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=1.8A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

2.1版

第3页

2004-03-30

SPU02N60S5

SPD02N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

860

1.6

马克斯。

1.8

3.2

1.2

1460

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.1

0.184

0.306

1.207

0.974

0.251

K / W

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.00002806

0.0001113

0.0001679

0.000547

0.001388

0.019

WS / K

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

2.1版

第4页

2004-03-30

SPU02N60S5

SPD02N60S5

1功耗

2安全工作区

P

合计

=

f

(

T

C

)

28

SPU02N60S5

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

1

W

24

22

20

A

P

合计

16

14

12

10

8

6

4

2

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

I

D

18

10

0

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3典型。输出特性

4漏源导通电阻

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

6

20V

R

DS （ ON）

=

f

(T

j

)

参数：

I

D

= 1.1 A,

V

GS

= 10 V

17

SPU02N60S5

14

A

12V

R

DS （ ON）

12

10

8

6

4

2

0

-60

98%

典型值

I

D

4

10V

3

9V

8.5V

8V

2

1

7.5V

7V

6V

0

5

10

15

V

DS

25

-20

20

60

100

°C

180

T

j

第5页

2.1版

2004-03-30

SPU02N60S5

SPD02N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

PG-TO252

2

3

1

600

3

1.8

PG-TO251

V

A

1

2

3

TYPE

包

订购代码

SPU02N60S5

SPD02N60S5

PG-TO251

PG-TO252

Q67040-S4226

Q67040-S4213

记号

02N60S5

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

价值

1.8

1.1

单位

A

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 1.35 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

3.2

50

0.07

1.8

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 1.8 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

门源电压

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

25

-55... +150

工作和存储温度

修订版2.5

第1页

2008-04-07

SPU02N60S5

SPD02N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 1.8 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

*)

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=80Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

值

典型值。

-

马克斯。

5

75

50

260

-

单位

K / W

R

thJA

T

出售

-

°C

值

典型值。

-

700

4.5

0.5

-

2.7

7.3

马克斯。

-

5.5

600

-

3.5

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=1.8A

A

1

50

100

3

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=1.1A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

* ） TO252 ：回流焊， MSL3 ; TO251 ：波峰焊接

修订版2.5

第2页

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SPD02N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=1.8A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=350V,

I

D

=1.8A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

1.4

240

77

4.4

35

20

马克斯。

-

42

30

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=1.1A

-

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=1.8A,

R

G

=50

ns

-

2.3

4.5

7.3

8

-

9.5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=1.8A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

修订版2.5

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SPD02N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

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=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

860

1.6

马克斯。

1.8

3.2

1.2

1460

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.1

0.184

0.306

1.207

0.974

0.251

K / W

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.00002806

0.0001113

0.0001679

0.000547

0.001388

0.019

WS / K

T

j

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

修订版2.5

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2008-04-07

SPU02N60S5

SPD02N60S5

1功耗

2安全工作区

P

合计

=

f

(

T

C

)

28

SPU02N60S5

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

1

W

24

22

20

A

P

合计

16

14

12

10

8

6

4

2

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

I

D

18

10

0

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3典型。输出特性

4漏源导通电阻

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

6

20V

R

DS （ ON）

=

f

(T

j

)

参数：

I

D

= 1.1 A,

V

GS

= 10 V

17

SPU02N60S5

14

A

12V

R

DS （ ON）

12

10

8

6

4

2

0

-60

98%

典型值

I

D

4

10V

3

9V

8.5V

8V

2

1

7.5V

7V

6V

0

5

10

15

V

DS

25

-20

20

60

100

°C

180

T

j

第5页

修订版2.5

2008-04-07