SIGC06T60GS
IGBT芯片
产品特点：
600V沟道&场截止技术
低V
CE （ SAT ）
低关断损耗
尾短电流
正温度系数
简单的并联
3
该芯片被用于：
电源模块
分立器件
应用范围：
驱动器
白色家电
共振的应用
C
G
E
芯片型号
SIGC06T60GS
V
CE
600V
I
Cn
10A
模具尺寸
2.44 X 2.42毫米
2
包
锯成薄片上
订购代码
Q67050-
A4333-A101
力学参数：
栅格尺寸
发射极焊盘尺寸
门焊盘尺寸
总面积/主动
厚度
晶圆尺寸
平位置
马克斯。每片晶圆的芯片可能
钝化前端
发射金属
收藏家金属化
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
2.44 x 2.42
1.558 x 1.577
0.361 x 0.513
5.9 / 3.6
70
150
270
2485件
Photoimide
3200 nm的AlSiCu
1400纳米镍银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
人， <500μm
0.65毫米;最大1.2毫米
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
mm
m
mm
度
2
mm
2
英飞凌科技AI PS DD CLS ， L7521D ，第1版， 2004年6月9日编辑
SIGC06T60GS
最大额定值：
参数
集电极 - 发射极电压，
T
j=25
°C
DC集电极电流限制T
JMAX
集电极电流脉冲，T
p
限制T
JMAX
门极电压
工作结温和存储温度
SC数据，V
GE
= 15V, V
CC
= 360V ， TVJ = 150℃
1)
符号
V
权证
I
C
I
Cpuls
V
GE
T
j
, T
S T摹
tp
价值
600
1)
单位
V
A
A
V
°C
s
30
±20
-40 ... +175
5
根据装配的热性能
静态特性（芯片测试） ，
T
j=25
°C,
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
集成门极电阻
符号
V
（ BR ） CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
R
GINT
条件
分钟。
V
GE
= 0V时，我
C
= 2毫安
V
GE
= 15V ，我
C
=10A
I
C
= 150μA ，V
GE
=V
CE
V
CE
=600V , V
GE
=0V
V
CE
=0V , V
GE
=20V
无
4.1
600
1.5
4.9
2.05
5.7
0.6
300
A
nA
V
价值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
（设计/特性验证） ：
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
C
我S S小
C
S S小
C
S S小
条件
V
权证
= 2 5 V ,
V
GE
= 0 V ,
f
=1MHz
价值
分钟。
典型值。
551
40
17
马克斯。
单位
pF
开关特性
（设计/特性验证） ，感性负载
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
2)
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
T
j
= 1 7 5
°
C
V
C C
= 40 0 V ,
I
C
=10A ,
V
GE
= - 1 5 / 1 5 V ,
R
G
= 2 3
价值
分钟。
典型值。
10
11
233
63
2)
马克斯。
单位
ns
值也由寄生L-和C-在测量和包装的影响。
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SIGC06T60GS
CHIP图：
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SIGC06T60GS
进一步电气特性：
该芯片数据手册指
器件的数据手册
IKP10N60T
描述：
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld
出版
英飞凌科技股份公司，
Bereich KOMMUNIKATION
圣 - 马丁大街53 ，
D- 81541慕尼黑
英飞凌科技股份公司2004年
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信息
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英飞凌科技的书面批准，如果有这样的组件故障可以合理预期
造成生命支持设备或系统故障，或影响该设备的安全性或有效性或
系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持
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