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SPP3467
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP3467是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路和低线的功率损耗，需要在非常
小尺寸表面贴装封装。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
-20V/-5.0A,R
DS （ ON）
= 90mΩ @ V
GS
=-4.5V
-20V/-3.5A,R
DS （ ON）
=110m@V
GS
=-2.5V
-20V/-1.7A,R
DS （ ON）
=140m@V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
R
DS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TSOP- 6P包装设计
引脚配置（ TSOP- 6P ）
最热
2009/06/15
Ver.2
第1页
SPP3467
P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
D
D
G
S
D
D
描述
漏
漏
门
来源
漏
漏
订购信息
产品型号
SPP3467ST6RG
SPP3467ST6RGB
包
TSOP-6P
TSOP-6P
最热
67YW
67YW
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPP3467ST6RG ：带卷轴;铅 - 免费
※
SPP3467ST6RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-20
±12
-5.2
-4.2
-20
-1.7
2.0
1.3
150
-55/150
90
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2009/06/15
Ver.2
第2页
SPP3467
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-5.0A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-3.5A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.7A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8A
I
S
=-1.5A,V
GS
=0V
-20
-0.35
-0.8
±100
-1
-5
-6
0.075
0.090
0.120
6
-0.8
0.090
0.110
0.140
-1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-6V,R
L
=6
I
D
≡-1.0A,V
根
=-4.5V
R
G
=6
V
DS
=-6V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=-6V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.8A
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
13
18
15
8
nC
pF
16
23
25
20
ns
2009/06/15
Ver.2
第3页
SPP3467
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/06/15
Ver.2
第4页
SPP3467
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/06/15
Ver.2
第5页
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SN54LV161A
ST92150R9QB
SF1174D
SI104-470
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型号
厂家
批号
数量
封装
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