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SKM50GB12V
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 720 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
79
60
50
150
-20 ... 20
10
-40 ... 175
65
49
50
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
150
270
-40 ... 175
200
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMITRANS 2
SKM50GB12V
目标数据
特点
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6× Icnom
快速&软逆CAL二极管
大间隙（10毫米）和
爬电距离（20毫米）
使用DBC隔离铜基板
技术（直接键合铜）
UL认证，文件编号。 E63532
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
T
j
= 175 °C
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
V
CC
= 600 V
I
C
= 50 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 13
R
克OFF
= 13
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
4
0.53
5
I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
3
0.30
0.295
540
4.0
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
6
1.85
2.2
0.94
0.88
18.2
26.4
6.5
0.1
2.3
2.65
1.25
1.22
21.0
28.6
7
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工在FSW可达20千赫
GB
由赛米控
第0版 - 2009年12月23日
1
SKM50GB12V
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
终端芯片
每个模块
到散热器的M6
端子M5
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.65
1
0.04
0.05
5
5
160
30
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
g
I
F
= 50 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 1380 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
分钟。
典型值。
2.2
2.2
1.3
0.9
18.4
25.6
35
8.7
3.6
马克斯。
2.5
2.5
1.5
1.1
20.8
28.0
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 50 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMITRANS
2
0.84
K / W
SKM50GB12V
目标数据
特点
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6× Icnom
快速&软逆CAL二极管
大间隙（10毫米）和
爬电距离（20毫米）
使用DBC隔离铜基板
技术（直接键合铜）
UL认证，文件编号。 E63532
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工在FSW可达20千赫
GB
2
第0版 - 2009年12月23日
由赛米控
SKM50GB12V
SEMITRANS 2
GB
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
由赛米控
第0版 - 2009年12月23日
3
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ST30-24-15S
SI7904BDN-T1-E3
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SST29LE010-250-3C-PH
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