【SPP1013P沟道增强型MOSFET描述该SPP1013是P沟道增强型功率场效应晶体管都采用高细胞】,IC型号SPP1013S52RGB,SPP1013S52RGB PDF资料,SPP1013S52RGB经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP1013

P沟道增强型MOSFET

描述

该SPP1013是P沟道增强型

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。这种高密度

工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。

这些装置特别适用于低电压

应用，例如笔记本电脑的电源

管理和其它电池供电的电路，其中

高侧开关，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

应用

司机：继电器/螺线管/灯具/锤

电源转换器电路

负载/电源开关手机，寻呼机

特点

P沟道

-20V/0.45A,R

DS （ ON）

= 0.52@V

=-4.5V

-20V/0.35A,R

DS （ ON）

= 0.70@V

=-2.5V

-20V/0.25A,R

DS （ ON）

= 0.95@V

=-1.8V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 523 （ SC - 89 ）封装设计

引脚配置（ SOT - 523 / SC- 89 ）

最热

2010/12/ 31

Ver.3

第1页

SPP1013

P沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

SPP1013S52RG

SPP1013S52RGB

包

SOT-523

部分

记号

※

SPP1013S52RG ：带卷轴;铅 - 免费

※

SPP1013S52RGB ：带卷轴;铅 - 无卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

2010/12/ 31

Ver.3

符号

DSS

GSS

=25℃

=80℃

英镑

=25℃

=70℃

典型

单位

-20

±12

-0.45

-0.35

-1.0

-0.3

0.27

0.16

-55/150

℃

第2页

SPP1013

P沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=-250uA

GS （ TH）

=-250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

D（上）

D（关闭）

=-10V,R

=10 ,

≡-0.4A

根

= -4.5V ，R

=0V,V

=±12V

=-20V,V

=0V

=-20V,V

=0V

=55℃

≤

-4.5V,V

=-5V

=-4.5V,I

=-0.45A

=-2.5V,I

=-0.35A

=-1.8V,I

=-0.25A

=-10V,I

=-0.25A

=-0.15A,V

=0V

-20

-0.35

-0.8

±100

-1

-5

-0.7

0.42

0.58

0.75

0.4

-0.8

1.5

0.3

0.35

1.4

1.8

0.52

0.70

0.95

-1.2

2.0

=-10V,V

= -4.5V ，我

≡-0.6A

2010/12/ 31

Ver.3

第3页

SPP1013

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2010/12/ 31

Ver.3

第4页

SPP1013

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2010/12/ 31

Ver.3

第5页

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原装正品钻石品质假一赔十

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原装正品

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电话：0755-/83218466/83200833

联系人：销售部

地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

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HAMOS/汉姆

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电话：0755-23914006/18318877587

联系人：陈佳隆

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