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SPN8878
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN8878是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度, DMOS沟道技术。该SPN8878有
被专门设计用于改善整体
无论使用的同步DC / DC转换器效率
或传统开关PWM控制器。它一直
低栅极电荷优化,低R
DS ( ON)
和快速
开关速度。
特点
30V/20A,R
DS ( ON)
= 12mΩ @ V
GS
=10V
30V/15A,R
DS ( ON)
= 17mΩ @ V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极低
RDS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TO- 252封装设计
应用
在笔记型电源管理
动力系统
DC / DC转换器
负荷开关
引脚配置
TO-252
最热
2009/04/20
Ver.1
第1页
SPN8878
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
1
2
3
符号
G
S
D
描述
来源
订购信息
产品型号
部分
记号
SPN8878T252RGB
TO-252
SPN8878T252RG :带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
SPN8878
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续漏电流
TO-252-2L
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
TO-251
T
A
=25℃
T
A
=100℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±20
18
13
40
5
40
55
150
-55/150
100
单位
V
V
A
A
A
W
/W
2009/04/20
Ver.1
第2页
SPN8878
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=15V,R
L
=0.3
I
D
≡50A,V
=10V
R
G
=1
V
DS
=15V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=24V,V
GS
=0V
V
DS
=24V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
≥5V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
=4.5V,I
D
=15A
V
DS
=15V,I
D
=20A
I
S
=40A,V
GS
=0V
30
1.0
3.0
±100
1
5
40
0.010
0.013
15
0.8
28
6
5
1600
285
140
9
15
20
12
15
25
30
20
1.5
42
0.012
0.017
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=15V,V
GS
=10V
I
D
= 50A
nC
pF
nS
2009/04/20
Ver.1
第3页
SPN8878
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/04/20
Ver.1
第4页
SPN8878
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/04/20
Ver.1
第5页
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:18926544209/18025435189
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联系人:何小姐
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