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技术数据表
5毫米红外发光二极管,T - 1 3/4
SIR383
特点
High
可靠性
2.54mm
引线间距
Low
正向电压
Good
光谱匹配Si光电探测器
Pb
免费
This
产品本身将保持在RoHS兼容的版本。
说明
EVERLIGHT的红外发光二极管( SIR383 )是一种高强度二极管
模制在一个蓝色透明塑料包装。
该装置被频谱与光电晶体管,光电二极管相匹配,并
红外接收器模块。
应用
Free
空中传输系统
Optoelectronic
开关
Floppy
DISK DRIVE
Infrared
应用系统
Smoke
探测器
设备选型指南
LED型号
SIR383
芯片
材料
砷化镓铝
镜片颜色
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
设备编号: CDIS - 038-001
HTTP : \\\\ www.everlight.com
编制日期: 2006年7月21日
REV 1
页次:1 7
wangyinsheng :编制
SIR383
包装尺寸
注意事项:
1.所有尺寸以毫米为单位
2.Tolerances除非尺寸
±0.25mm
绝对最大额定值( TA = 25 ℃ )
参数
连续正向电流
峰值正向电流( * 1 )
反向电压
工作温度
储存温度
焊接温度( * 2 )
功率消耗在(或低于)
25 ℃自由空气温度
符号
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
P
d
等级
100
1.0
5
-40 ~ +85
-40 ~ +85
260
150
单位
mA
A
V
mW
注意事项:
*1:I
FP
条件 - 脉冲宽度≦ 100μs至职务≦ 1 % 。
* 2 :焊接时间≦ 5秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
设备编号: CDIS - 038-001
HTTP : \\\\ www.everlight.com
编制日期: 2006年7月21日
REV 1
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wangyinsheng :编制
SIR383
光电特性(Ta = 25 ℃ )
参数
符号
条件
I
F
=20mA
I
F
=100mA
辐射强度
E
e
脉冲宽度≦ 100μs至职务≦ 1 %
分钟。
11.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。马克斯。
25
90
900
875
80
1.3
1.4
2.6
--
20
--
--
--
--
--
1.6
1.8
4.0
10
--
单位
毫瓦/ SR
I
F
=1A
脉冲宽度≦ 100μs至职务≦ 1 %
峰值波长
光谱带宽
λp
Δλ
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=100mA
nm
nm
正向电压
V
F
脉冲宽度≦ 100μs至职务≦ 1 %
V
I
F
=1A
脉冲宽度≦ 100μs至职务≦ 1 %
反向电流
视角
I
R
2θ1/2
V
R
=5V
I
F
=20mA
μA
条件:我
F
=20mA
单位:毫瓦/ SR
BIN号
最大
N
11.0
17.6
P
15.0
24.0
Q
21.0
34.0
R
30.0
48.0
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
设备编号: CDIS - 038-001
HTTP : \\\\ www.everlight.com
编制日期: 2006年7月21日
REV 1
第3页第7
wangyinsheng :编制
SIR383
典型的光电特性曲线
图1正向电流比。
环境温度
140
120
100
80
60
40
20
0
图2光谱分布的
n
100
80
60
40
20
0
I
F
=20mA
Ta=25°C
-40 -20 0
20
40
60
80
100
810 835 855 875 905 925 945 965 985
图3峰值发射波长
环境温度
图4正向电流
VS.正向电压
920
10
4
900
10
3
875
10
2
860
1
10
84
0
-25
0
25
50
75
100
0
1
2
3
4
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
设备编号: CDIS - 038-001
HTTP : \\\\ www.everlight.com
编制日期: 2006年7月21日
REV 1
页次:4 7
wangyinsheng :编制
SIR383
典型的光电特性曲线
图5相对强度对比
正向电流
图6相对辐射强度对比
角位移
1000
也就是说,辐射强度(毫瓦/ SR )
-20
-10
0
10
20
30
100
1.0
0.9
10
40
50
60
70
80
0.6 0.4 0.2
0
0.2 0.4 0.6
0.8
0.7
0
1
2
3
0
10
10
10
10
10
4
I
F
-forward电流(mA
)
图7相对强度对比
环境温度( ° C)
图8正向电压 -
环境温度( ° C)
45
也就是说,辐射强度(毫瓦/ SR )
1.4
30
I
F
=20mA
1.3
I
F
=20mA
15
1.2
0
25
50
75
100
120
1.1
25
50
75
100
120
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
设备编号: CDIS - 038-001
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wangyinsheng :编制
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