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SPN5454
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN5454是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。该SPN5454有
被专门设计用于改善整体
无论使用的同步DC / DC转换器效率
或传统开关PWM控制器。它一直
低栅极电荷优化，低R
DS （ ON）
和快速
开关速度。
特点
40V/10A,R
DS （ ON）
=18m@V
GS
= 10V
40V / 8A ，R
DS （ ON）
= 20MΩ @ V
GS
= 4.5V
40V / 6A ，R
DS （ ON）
= 28mΩ @ V
GS
= 2.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TO- 252封装设计
应用
在笔记型电源管理
动力系统
DC / DC转换器
负荷开关
引脚配置
TO-252
最热
2011/09/ 27
Ver.2
第1页
SPN5454
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
订购信息
产品型号
包
部分
记号
SPN5454T252RGB
TO-252
※
SPN5454T252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
SPN5454
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
TO-252-2L
功耗
T
A
=25℃
TO-251
P
D
EAS
T
J
T
英镑
R
θJA
T
A
=25℃
T
A
=100℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AS
典型
40
±20
20
12
40
25
40
55
63
-55/150
-55/150
100
W
mJ
℃
℃
℃/W
第2页
单位
V
V
A
A
A
雪崩能量单脉冲
（ TJ = 25℃时， L = 0.14mH ，我
AS
= 30A ，V
DD
= 20V. )
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
2011/09/ 27
Ver.2
SPN5454
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=20V,R
L
=4
I
D
≡5.0A,V
根
=10V
R
G
=1
V
DS
=20V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=32V,V
GS
=0V
V
DS
=32V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
= 5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
=4.5V,I
D
= 8A
V
GS
=2.5V,I
D
= 6A
V
DS
=15V,I
D
=6.2A
I
S
=2.3A,V
GS
=0V
40
0.5
1.0
±100
1
10
10
0.012
0.014
0.020
13
0.8
10
2.8
3.2
850
110
75
6
10
20
6
12
20
36
12
0.018
0.020
0.028
1.2
14
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=20V,V
GS
=4.5V
I
D
= 5A
nC
pF
nS
2011/09/ 27
Ver.2
第3页
SPN5454
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2011/09/ 27
Ver.2
第4页
SPN5454
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2011/09/ 27
Ver.2
第5页
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