MUN5312DW1,
NSBC124EPDXV6,
NSBC124EPDP6
互补的偏差
电阻晶体管
R 1 = 22千瓦， R2 = 22千瓦
NPN和PNP晶体管与单片
偏置电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
(5)
R
1
(6)
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引脚连接
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他应用程序
需要独特的网站和控制变化的要求;
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25C两极Q
1
（ PNP ） & Q
2
（ NPN型） ，除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
标记DIAGRAMS
6
SOT363
CASE 419B
1
12 M
G
G
SOT563
CASE 463A
1
12 M
G
G
SOT963
CASE 527AD
1
M
G
G
R
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
12/R
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MUN5312DW1T1G,
SMUN5312DW1T1G
MUN5312DW1T2G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T5G
NSBC124EPDP6T5G
包
SOT363
SOT363
SOT563
SOT563
SOT963
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和
磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号：
DTC124EP/D
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
热特性
特征
MUN5312DW1 （ SOT- 363 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
MUN5312DW1 （ SOT- 363 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
NSBC124EPDXV6 （ SOT- 563 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
NSBC124EPDXV6 （ SOT- 563 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
NSBC124EPDP6 （ SOT- 963 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
NSBC124EPDP6 （ SOT- 963 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
5.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0
1.0英寸的垫。
这两个路口加热值假设总功率是两个同样动力的通道总和。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
339
408
2.7
3.3
369
306
55
+150
MW
毫瓦/°C的
° C / W
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
231
269
1.9
2.2
540
464
MW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
500
4.0
250
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
357
2.9
350
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
250
385
2.0
3.0
493
325
188
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
187
256
1.5
2.0
670
490
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJA
R
qJL
° C / W
T
J
, T
英镑
C
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
C
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2
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
电气特性
(T
A
= 25C两极Q
1
（ PNP ） & Q
2
（ NPN型） ，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
直流电流增益（注6 ）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
（ NPN ）
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
（ PNP）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0 mA）的（ NPN ）
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0 mA）的（ PNP ）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
6.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
60
4.9
15.4
0.8
100
1.2
1.2
1.9
2.0
22
1.0
0.25
0.2
28.6
1.2
V
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
V
我（上）
VDC
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
VDC
VDC
kW
400
P
D
，功耗（毫瓦）
350
300
250
200
150
100
50
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
(1) (2) (3)
（ 1 ） SOT- 363 ; 1.0
1.0英寸的垫
（ 2 ） SOT- 563 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 963 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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3
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
典型特征
NPN晶体管
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25C
75C
h
FE
，直流电流增益
25C
0.1
1000
25C
V
CE
= 10 V
T
A
= 75C
25C
100
0.01
0.001
10
0
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
3.2
C
ob
，输出电容（ pF）的
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25C
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.直流电流增益
75C
10
1
25C
T
A
=
25C
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
2
4
6
V
in
，输入电压（ V）
8
10
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
T
A
=
25C
V
in
，输入电压（ V）
10
25C
1
75C
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
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4
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
典型特征
PNP晶体管
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6
V
CE （SAT） ，
集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE ，
直流电流增益（标准化）
10
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25C
25C
1
75C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75C
100
25C
25C
0.1
0.01
0
40
20
60
I
C
，集电极电流（毫安）
80
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
图8.直流电流增益
10
C
OB ，
输出电容（pF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25C
I
C,
集电极电流（毫安）
9
100
75C
10
25C
T
A
=
25C
1
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
V
O
= 5 V
8
9
10
0.001
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
T
A
=
25C
V
IN，
输入电压（ V）
10
75C
25C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入电压与输出电流
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5
QQ：2881677436 复制
