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SPN2318

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN2318是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路和低线的功率损耗，需要在非常

小尺寸表面贴装封装。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

40V/3.9A,R

DS （ ON）

= 56mΩ @ V

=10V

40V/3.5A,R

DS （ ON）

= 62mΩ @ V

=4.5V

40V/2.0A,R

DS （ ON）

= 95毫欧@ V

= 2.5V

超高密度电池设计极低

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 23-3L封装设计

引脚配置（ SOT- 23-3L ）

最热

2009/07/15

Ver.1

第1页

SPN2318

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

SPN2318S23RGB

包

SOT-23-3L

部分

记号

18YW

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPN2318S23RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

±12

4.0

3.0

1.25

0.8

150

-55/150

100

单位

℃

2009/07/15

Ver.1

第2页

SPN2318

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

D（上）

D（关闭）

=15V,R

=15

≡1.0A,V

根

=10V

=0V,V

=±12V

=40V,V

=0V

=40V,V

=0V

=85℃

= 5V,V

=4.5V

= 10V ，我

=3.9A

=4.5V,I

=3.5A

=2.5V,I

=2.0A

=15V,I

=6.2A

=2.3A,V

=0V

0.5

1.2

±100

0.050

0.056

0.088

0.8

2.5

0.056

0.062

0.095

1.2

=15V,V

=10V

= 2A

2009/07/15

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SPN2318

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2009/07/15

Ver.1

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SPN2318

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2009/07/15

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SOT23-3

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SOT-23

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SYNCPOWER擎力

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18260

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