SSM5G01TU
硅P沟道MOS型（U - MOSII ） /硅外延平面肖特基二极管
SSM5G01TU
DC-DC转换器，用于DSC和摄像机
共同封装P沟道MOSFET和肖特基二极管。
低R
DS （ ON）
低V
F
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
（注2 ）
P
D
（注1 ）
t
=
10s
T
ch
等级
30
±20
1.0
2.0
0.5
0.8
150
单位
V
V
A
通道温度
通道温度
W
°C
UFV
二极管
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C）肖特基
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
平均正向电流
峰值一个周期正向电流浪涌
（不重复）
结温
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
等级
25
20
0.5
2（ 50赫兹）
125
单位
V
V
A
A
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2R1A
重量： 7毫克（典型值）。
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C）的MOSFET ，二极管常见
特征
储存温度
工作温度
符号
T
英镑
T
OPR
（注3）
等级
55~125
40~100
单位
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4板
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米
2
)
注2 ：脉冲宽度有限的最大通道温度。
注3 ：工作温度限制的最大通道温度和最大结温。
1
2007-11-01
SSM5G01TU
记号
5
4
等效电路
5
4
KEA
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该
环境的保护，防止静电电。操作人员应穿防静电服装，和
这都与设备直接接触的容器和其他物品应采用防静电材料。
该通道到环境热阻R
第（章-a）的
和漏极功耗P
D
根据各不相同
板材料，电路板面积，板厚度，板面积也受环境的影响，其中，
产品使用。使用本设备时，请带散热充分考虑。
2
2007-11-01
SSM5G01TU
肖特基二极管
电气特性
（大
=
25°C)
特征
正向电压
反向电流
总电容
符号
V
F (1)
V
F (2)
I
R
C
T
I
F
=
0.3 A
I
F
=
0.5 A
V
R
=
20 V
V
R
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
民
典型值。
0.38
0.43
46
最大
0.45
50
单位
V
V
μA
pF
注意事项
该产物的肖特基势垒二极管具有大的反向电流泄漏特性进行比较，以
其他开关二极管。这个电流泄漏和不恰当的操作温度或电压可能会造成
热失控。请采取正向和反向的损失考虑在内，当你设计。
4
2007-11-01
QQ：2880707522 复制
