SPI80N03S2-03
SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03
的OptiMOS
功率晶体管
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
最大。 SMD版
I
D
P- TO263 -3-2
30
3.1
80
P- TO220 -3-1
V
m
A
增强型
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
优越的耐热性
P- TO262 -3-1
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
TYPE
SPP80N03S2-03
SPB80N03S2-03
SPI80N03S2-03
包
P- TO220 -3-1
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
订购代码
Q67040-S4247
Q67040-S4258
Q67042-S4079
记号
2N0303
2N0303
2N0303
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
1)
T
C
=25°C
价值
80
80
320
810
30
6
±20
300
-55... +175
55/175/56
单位
A
I
D
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
雪崩能量，单脉冲
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
mJ
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
2)
反向二极管的dv / dt
I
S
=80A,
V
DS
=24V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
KV / μs的
V
W
°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
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2003-05-09
SPI80N03S2-03
SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
0.3
-
-
-
马克斯。
0.5
62
62
40
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
-
30
2.1
值
典型值。
-
3
马克斯。
-
4
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=250A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
1
1
1
100
100
nA
m
2.6
2.3
3.4
3.1
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
4)
V
GS
=10V,
I
D
=80A
V
GS
=10V,
I
D
=80A,
SMD版
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 0.5K / W ，芯片能够执行
I
D
= 307A在25℃下，进行详细的
信息，请参阅app.音符ANPS071E提供
www.infineon.com/optimos
设计2Defined 。不受生产测试。
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧树脂PCB的FR4 6平方厘米（ 1层， 70
m
厚）铜区
漏极连接点。 PCB是垂直的不吹气。
4Diagrams都涉及到直导线版本
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SPI80N03S2-03
SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03
电气特性
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=24V,
I
D
=80A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=24V,
I
D
=80A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
132
5280
2420
470
22
325
90
110
马克斯。
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=80A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
66
-
-
-
-
-
-
-
S
7020 pF的
3220
700
33
490
140
160
ns
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=80A,
R
G
=2.2
-
-
-
-
26
45
110
5.2
34
68
150
-
nC
V
（高原）
V
DD
= 24 V ,
I
D
=80A
V
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=80A
V
R
=15V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.9
65
87
80
320
1.3
80
110
A
V
ns
nC
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SPI80N03S2-03
SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
6 V
320
SPP80N03S2-03
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
90
SPP80N03S2-03
W
A
240
70
60
50
P
合计
200
160
40
120
30
80
20
40
10
0
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
I
D
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPP80N03S2-03
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPP80N03S2-03
K / W
A
/
I
D
S
t
= 16.0s
p
10
0
Z
thJC
100 s
I
D
=
V
D
10
-1
10
2
R
D
S（O
n)
D = 0.50
10
1毫秒
-2
0.20
0.10
0.05
10
-3
0.02
0.01
单脉冲
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
10
2
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
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t
p
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SPI80N03S2-03
SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
SPP80N03S2-03
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
SPP80N03S2-03
190
P
合计
= 300W
i
h
V
GS [ V]
a
b
4.0
4.2
4.4
4.6
4.8
5.0
5.2
5.4
10.0
12
A
160
140
g
m
c
d
e
f
g
10
c
d
e
f
R
DS （ ON）
9
8
7
6
5
4
h
i
V
GS
[V] =
c
4.4
d
4.6
e
4.8
f
5.0
g
5.2
h
i
5.4 10.0
I
D
120
100
80
e
f
g
h
i
60
d
3
2
40
c
20
a
b
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
0
0
20
40
60
80
100
120
A
150
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
320
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
180
A
S
240
140
120
100
200
160
80
120
60
80
40
20
0
40
0
0
1
2
3
4
5
V
V
GS
g
fs
I
D
7
0
40
80
120
160
A
I
D
240
第5页
2003-05-09
QQ：2880707522 复制
