的GaAlAs -IR- Lumineszenzdioden （ 880 nm）的
GaAlAs的红外发射器（ 880纳米）
SFH 480
SFH 481
SFH 482
2.54mm
间距
0.45
4.8
4.6
1
0.9 .1
芯片位置（2.7）
阴极（ SFH 480 ）
阳极（ SFH 216 ， SFH 231 ，
SFH 400 ）
发光的
敏感区
5.6
5.3
5.3
14.5
5.0
12.5
7.4
6.6
约。重量0.5克
GEO06314
0.45
(2.7)
芯片位置
阳极= SFH 481
阴极= SFH 401
（包）
1.1 .9
0
2.54 mm
间距
焊接
14.5
12.5
约。重量0.35克
芯片位置（2.7）
0.45
5.5
5.0
14.5
12.5
5.3
5.0
5.6
5.3
GET06013
约。重量0.5克
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
半导体集团
1
1998-04-16
fet06092
阴极（ SFH 402 ， BPX 65 ）
阳极（ SFH 482 ）
2.54
间距
4.8
4.6
RADIANT敏感区
1.1 .9
0
1
0.9 .1
fet06091
5.3
5.0
6.4
5.6
4.8
4.6
1
0.9 .1
5.6
5.3
GET06091
玻璃
镜头
fet06090
1.1 .9
0
SFH 480 ，
SFH 481 ， SFH 482
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt IM Schmezepitaxieverfahren
q
阳极galvanisch MIT数字高程模型Gehuseboden
verbunden
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
q
Hermetisch dichtes Metallgehuse
q
SFH 480 ： Gehusegleich MIT SFH 216
q
SFH 481 ： Gehusegleich MIT BPX 43 ，
BPY 63
q
SFH 482 ： Gehusegleich MIT BPX 38 ，
BPX 65
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
IR- Gertefernsteuerungen
特点
q
GaAIAs红外发光二极管，在制造
液相外延工艺
q
阳极电连接到所述壳体
q
高可靠性
q
匹配所有的硅光电探测器
q
密封包装
q
SFH 480 ：同一个包SFH 216
q
SFH 481 ：同一个包BPX 43 ，
BPY 63
q
SFH 482 ：同一个包BPX 38 ，
BPX 65
应用
q
光中断
q
各种设备与站点的红外遥控器
典型值
TYPE
SFH 480-2
SFH 480-3
SFH 481
SFH 481-1
SFH 481-2
SFH 482
SFH 482-1
SFH 482-2
SFH 482-3
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1088
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
Q62703-Q1089
Q62703-Q1667
Q62703-Q1668
Q62703-Q1669
Gehuse
包
18 A3 DIN 41876 （ TO- 18 ） ， Anschlüsse IM 2.54 MM-
光栅（
1
/
10
''）， Kathodenkennzeichnung ：核苷酸酶是GE-
huseboden
18 A3 DIN 41876 （ TO- 18 ） ，引线间距2.54毫米
(
1
/
10
''），阴极标记：投影在包
SFH 482 -M E7800 Q62703 - Q2186
半导体集团
2
1998-04-16
SFH 480 ，
SFH 481 ， SFH 482
Grenzwerte
(
T
C
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
SFH 481 ：
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
SFH 480 ， SFH 482 ：
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
= 10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100毫安
Abstrahlwinkel
半角
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Aktive Chipflche
有源芯片面积
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
880
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
统一性
单位
°C
T
op
;
T
英镑
T
op
;
T
英镑
– 55 ... + 125
°C
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
R
thJC
100
5
200
2.5
470
450
160
°C
V
mA
A
mW
K / W
K / W
λ
80
nm
±
6
±
15
±
30
0.16
毕业生
度。
mm
2
A
半导体集团
3
1998-04-16
SFH 480 ，
SFH 481 ， SFH 482
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Abmessungen德aktive Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片前端镜头顶部
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90％到10 ％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
0.4
×
0.4
统一性
单位
mm
L
×
B
L
×
W
H
H
H
t
r
,
t
f
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
0.6/0.5
mm
mm
mm
s
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.50
(≤
1.8)
3.00
(≤
3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
A
Φ
e
12
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
毫伏/ K
纳米/ K
半导体集团
4
1998-04-16
SFH 480 ，
SFH 481 ， SFH 482
Gruppierung德Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
符号
符号
SFH
480-2
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
ê MIN
I
ê MAX
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
bezeichnung
描述
SFH
480-3
邂逅相遇，
价值
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
统一性
单位
40
–
63
–
10
–
10
20
16
–
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
典型。
符号
符号
540
630
220
邂逅相遇，
价值
130
220
毫瓦/ SR
统一性
单位
SFH
482
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
ê MIN
I
ê MAX
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
1)
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
3.15
–
3.15
6.3
5
10
8
–
1.6 ... 3.2
–
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
典型。
–
40
65
80
–
毫瓦/ SR
1)
死Messung德Strahlstrke UND宫Halbwinkels erfolgt MIT einer Lochblende VOR DEM Bauteil
（ Durchmesser DER Lochblende ：2.0毫米; Abstand LochblendeつGehuserückseite 5.4毫米）。 Dadurch wird
sichergestellt ， daβ北德Strahlstrkemessung淖尔diejenige Strahlung在Achsrichtung bewertet wird ，死
的DirEKt冯明镜Chipoberflche austritt 。冯·德尔· Bodenplatte reflektierte Strahlung （ vagabundierende Strahlung ）
wird dagegen - 编者bewertet 。 Diese Reflexionen信德besonders北Abbildungen德Chipoberflche尤伯杯
Zusatzoptiken strend （ZB Lichtschranken groβer Reichweite ） 。在德Anwendung werden IM allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls第三人以Blenden unterdrückt 。第三人以dieses ，德Anwendung entsprechende
Meβverfahren ergibt SICH献给书房Anwender EINE贝瑟verwertbare Grβe 。 Diese Lochblendenmessung IST
gekennzeichnet第三人以登Eintrag “E 7800 ” ，明镜的模具Typenbezeichnung angehngt IST 。
一个孔用来在构件的前部的辐射强度的测量和半角
（口径光圈的1.1毫米;距离光圈来区分背面：4毫米）。这确保了仅在
辐射在轴向直接从芯片表面发射将在测量过程中进行评价
辐射强度。辐射由底板（杂散辐射）反射将不会被评估。这些
反射削弱由附加光学芯片表面的突起（例如，长距离的光反射
开关）。就该组件中的应用，这些反射被普遍地抑制由
孔为好。这对应于该应用程序的测量过程提供了更有用的数值。
该孔的测量表示为“E 7800 ”加入到类型名称。
半导体集团
5
1998-04-16
QQ：2881677436 复制
