【SPP80N03LSIPMOS功率晶体管特点N沟道增强型产品概述漏源电压漏源导通电阻连续漏电流VDS】,IC型号SPB80N03L,SPB80N03L PDF资料,SPB80N03L经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP80N03L

SIPMOS功率晶体管

特点

N沟道

增强型

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

DS （ ON）

0.006

额定雪崩

逻辑电平

dv / dt的额定

175 ° C工作温度

TYPE

SPP80N03L

SPB80N03L

包

订购代码

包装

销1

引脚2引脚3

P- TO220-3-1 Q67040 - S4735 -A2管

P- TO263-3-2 Q67040 - S4735 -A3磁带和卷轴

最大额定值，

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号

价值

320

700

KV / μs的

单位

= 25 °C,

100 °C

漏电流脉冲

Dpulse

dv / dt的

= 25 °C

雪崩能量，单脉冲

= 80 A,

= 25 V,

= 25

雪崩能量，通过定期的限制

JMAX

反向二极管的dv / dt

= 80 A,

= 24 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

JMAX

= 175 °C

门源电压

功耗

合计

j ,

英镑

±20

300

-55... +175

55/175/56

°C

= 25 °C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

半导体集团

SPP80N03L

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境， leded

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

散热面积

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

0.5

K / W

单位

thJC

thJA

电气特性，

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

1.6

马克斯。

0.1

100

0.0053 0.008

0.0033 0.006

单位

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DSS

1.2

= 0 V,

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

= 240 A

零栅极电压漏极电流

= 30 V,

= 0 V,

= 25 °C

= 30 V,

= 0 V,

= 150 °C

栅极 - 源极漏电流

GSS

DS （ ON）

= 20 V,

= 0 V

漏源导通电阻

= 4.5 V,

= 80 A

= 10 V,

= 80 A

1当前通过键合线的限制

2设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

半导体集团

SPP80N03L

电气特性，

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

符号

分钟。

值

典型值。

125

4640

1915

785

马克斯。

5900

2500

1000

单位

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

≥2*

DS （ ON）最大值

= 80 A

输入电容

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

输出电容

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

反向传输电容

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

导通延迟时间

= 15 V,

= 4.5 V,

= 80 A,

= 1.25

上升时间

= 15 V,

= 4.5 V,

= 80 A,

= 1.25

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

= 15 V,

= 4.5 V,

= 80 A,

= 1.25

下降时间

= 15 V,

= 4.5 V,

= 80 A,

= 1.25

半导体集团

SPP80N03L

电气特性，

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

门源费

符号

分钟。

值

典型值。

145

3.68

马克斯。

220

单位

（高原）

= 24 V,

= 80 A

栅漏电荷

= 24 V,

= 80 A

栅极电荷总量

= 24 V,

= 80 A,

= 0到10伏

栅极电压平台

= 24 V,

= 80 A

反向二极管

逆二极管连续正向电流

1.1

0.082

320

1.7

105

0.12

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

= 25 °C

逆二极管正向电压

= 0 V,

= 160 A

反向恢复时间

= 15 V,

，二

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

= 15 V,

，二

/ DT = 100 A / μs的

半导体集团

SPP80N03L

功耗

漏电流

合计

)

SPP80N03L

)

参数：

≥

10 V

SPP80N03L

320

240

合计

100 120 140 160

°C

190

200

160

120

100 120 140 160

°C

190

安全工作区

瞬态热阻抗

)

参数：

= 0 ,

= 25 °C

SPP80N03L

thJC

)

参数：

SPP80N03L

K / W

P = 54.0μs

100 s

thJC

-1

-2

D = 0.50

0.20

-3

1毫秒

（上

)

0.10

0.05

0.02

10毫秒

-4

单脉冲

0.01

1 -1

-5 -7

-6

-5

-4

-3

-2

半导体集团

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100

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23000

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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SOT263

全新原装现货，原厂代理。

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地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

SPB80N03L

25+23+

35500

P-TO263-3-2

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

深圳市芯福林电子科技有限公司

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联系人：张女士

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21+22+

62710

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原装正品

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100%原装正品，可长期订货

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新年份

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SOT263

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