Si8900EDB
新产品
Vishay Siliconix公司
双向N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
S1S2
(V)
r
S1S2(on)
(W)
0.024 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.026 @ V
GS
= 3.7 V
0.034 @ V
GS
= 2.5 V
0.040 @ V
GS
= 1.8 V
凹凸侧视图
I
S1S2
(A)
7
6.8
5.0
5.5
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
超低R
SS （ON）的
ESD保护： 4000 V
新的微FOOTt芯片级封装减少
足迹区简介（0.62毫米），导通电阻
每占位面积
应用
D
电池保护电路
- 第1-2节锂离子/ LiP的电池组，用于便携式设备
S
1
MICRO FOOTt
后视图
S
2
7 6
S
2
引脚1标识符
S
2
8 5
S
2
G
1
4千瓦
器件标识：
8900E = P / N码
XXX =日期/批次追踪码
4千瓦
G
2
8900E
xxx
G
2
9
4
G
1
S
1
10 3
S
1
N沟道
S
1
1 2
S
1
S
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
源1 ，源2电压
栅源电压
连续源1 ，源2电流（T
J
= 150_C)
a
_
脉冲源1 ，电流源2
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
包装回流条件
c
VPR
IR /对流
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
S1S2
V
GS
I
S1S2
I
SM
5秒
20
稳定状态
"12
单位
V
7
5.1
10
1.8
5.4
3.9
1
0.5
-55到150
215
220
_C
C
W
A
P
D
T
J
, T
英镑
0.9
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚
b
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
55
95
12
最大
70
120
15
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。足被定义为包装件的顶表面上。
。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ） ，无需人工或手工焊接。
文档编号： 71830
S- 21474 -REV 。 D， 26 - 8 - 02
www.vishay.com
1
Si8900EDB
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
I
GSS
V
SS
= V
GS
, I
D
= 1.1毫安
V
SS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
门体漏
V
SS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
SS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压源电流
通态电流源
a
I
S1S2
I
秒（上）
V
SS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
SS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
SS
= 1 A
V
GS
= 3.7 V，I
SS
= 1 A
源1 ，源2导通状态电阻
a
r
S1S2(on)
V
GS
= 2.5 V，I
SS
= 1 A
V
GS
= 1.8 V，I
SS
= 1 A
正向跨导
a
g
fs
V
SS
= 10 V，I
SS
= 1 A
5
0.020
0.022
0.026
0.032
31
0.024
0.026
0.034
0.040
S
W
0.45
1.0
"4
"10
1
5
V
mA
mA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SS
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
SS
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
3
4.5
55
15
5
7
85
25
ms
m
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
20
I
GSS
@ 25_C （毫安）
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
16
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
10,000
栅电流与栅源电压
1,000
100
T
J
= 150_C
10
12
8
1
T
J
= 25_C
0.1
4
0
0
3
6
9
12
15
0.01
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71830
S- 21474 -REV 。 D， 26 - 8 - 02
Si8900EDB
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通1.5 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
Vishay Siliconix公司
传输特性
6
6
4
1V
4
T
C
= 125_C
2
25_C
-55
_C
2
0
0
1
2
3
4
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.05
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
S1S2
= 1 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
V
GS
= 1.8 V
0.03
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3.7 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
10
0.04
1.4
1.2
1.0
0.01
0.8
0.00
0
2
4
6
8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 漏电流（ A）
T
J
- 结温（ ° C）
导通电阻与栅极至源极电压
0.10
0.2
阈值电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
S1S2
= 5 A
0.06
I
S1S2
= 1 A
0.04
0.1
I
S1S2
= 1.1毫安
-0.0
-0.1
-0.2
0.02
-0.3
0.00
0
1
2
3
4
5
-0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71830
S- 21474 -REV 。 D， 26 - 8 - 02
T
J
- 温度（℃ ）
www.vishay.com
3
Si8900EDB
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
单脉冲功率，结到环境
30
25
20
功率（W）的
15
10
5
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
10
100
600
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 95 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
www.vishay.com
4
文档编号： 71830
S- 21474 -REV 。 D， 26 - 8 - 02
Si8900EDB
新产品
包装外形
MICRO FOOT ： 10焊球（ 2× 5 ， 0.8毫米间距）
10
O
0.30
X
0.31
注3
阻焊
○×
0.40
Vishay Siliconix公司
A
e
A
2
A
1
硅
凹凸注2
e
推荐地
B Diamerter
S
2
8900E
xxx
马克对芯片背面
E
e
S
1
e
D
注（除非另有说明）：
1.
2.
3.
在硅基激光标记枯萎，涂覆有薄金属。
颠簸的共晶焊料57分之63锡/铅。
定义的非阻焊铜停机坪。
MILLIMETERS *
暗淡
A
A
1
A
2
b
D
E
e
S
1
S
2
民
0.600
0.260
0.340
0.370
4.050
1.980
0.750
0.430
0.580
英寸
民
0.0236
0.102
0.0134
0.0146
0.1594
0.0780
0.0295
0.0169
0.0228
最大
0.650
0.290
0.360
0.410
4.060
2.000
0.850
0.450
0.600
最大
0.0256
0.0114
0.0142
0.0161
0.1598
0.0787
0.0335
0.0177
0.0236
*使用毫米为主要计量。
文档编号： 71830
S- 21474 -REV 。 D， 26 - 8 - 02
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
