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SPI42N03S2L-13
SPP42N03S2L-13
SPB42N03S2L-13
的OptiMOS
功率晶体管
特点
N沟道
增强型
逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
卓越的热电阻
175 ° C的工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
P-TO262-3-1
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
12.9
42
V
m
A
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
TYPE
SPP42N03S2L-13
SPB42N03S2L-13
SPI42N03S2L-13
包
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67042-S4034
Q67042-S4035
Q67042-S4104
记号
2N03L13
2N03L13
2N03L13
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
重复性雪崩能量
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=42 A,
R
GS
=25
受
T
JMAX 2 ）
I
D
=42 A,
V
DS
=24 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
价值
42
42
248
110
8
6
±20
83
-55 ... 175
55/175/56
mJ
mJ
KV / μs的
V
W
°C
单位
A
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SPI42N03S2L-13
SPP42N03S2L-13
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=37 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
4)
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=21 A
V
GS
=4.5 V,
I
D
=21 A,
SMD版
V
GS
=10 V,
I
D
=21 A
V
GS
=10 V,
I
D
=21 A,
SMD版
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=42 A
30
1.2
-
-
1.6
0.01
-
2
1
A
V
-
-
-
1.2
-
-
1.8
62
40
K / W
SPB42N03S2L-13
单位
马克斯。
值
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
21
10
1
14.9
14.5
10.3
9.9
1
42
100
100
19.9
19.6
12.9
12.6
-
-
S
nA
m
1)
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.8 K / W的芯片能够携带64一25℃ ，以获取详细信息
看到app.音符ANPS071E在www.infineon.com/optimos 。
2)
3)
由设计确定。不受生产测试。
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
4)
示是与直导线的版本。
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SPI42N03S2L-13
SPP42N03S2L-13
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=42 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
0.95
42
248
1.25
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=24 V,
I
D
=21 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
2.7
7.9
22.9
3.5
3.6
11.9
30.5
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=21 A,
R
G
=7.8
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
850
330
90
6.5
12
24
14.5
1130
440
130
9.8
18
36
21.8
ns
pF
SPB42N03S2L-13
单位
马克斯。
值
典型值。
反向恢复时间
t
rr
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
24
31
ns
反向恢复电荷
Q
rr
-
18
23
nC
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SPI42N03S2L-13
SPP42N03S2L-13
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
SPB42N03S2L-13
90
80
70
60
50
40
30
P
合计
[W]
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
I
D
[A]
20
10
0
0
50
100
150
200
50
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10
限于由导通状态
阻力
1 s
10
0
10 s
1
0.5
10
2
100
0.2
Z
thJC
〔 K / W〕
100
0.1
0.1
I
D
[A]
100 s
10
-1
0.05
0.02
0.01
10
1
10
1毫秒
10
-2
0.01
单脉冲
10
0
1
0.1
1
10
10
-3
2
0.001
0
0
0
0
0
0
1
10
-1
10
0
V
DS
[V]
10
1
10
10
-6
10
-5
10
-4
t
p
[s]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
修订版2.0
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SPI42N03S2L-13
SPP42N03S2L-13
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
120
10 V
6V
5.5 V
5V
SPB42N03S2L-13
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
3V
3.5 V
4V
100
30
80
R
DS （ ON）
[m
]
4.5 V
I
D
[A]
60
4V
20
4.5 V
5V
5.5 V
6V
10 V
40
10
3.5 V
20
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
100
90
80
70
60
50
40
30
20
175 °C
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
60
50
40
g
fs
[S]
25 °C
I
D
[A]
30
20
10
10
0
0
1
2
3
0
4
5
0
20
40
60
80
V
GS
[V]
I
D
[A]
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2004-06-04
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联系人：朱
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