的GaAs -IR- Lumineszenzdioden （ 950 nm）的
砷化镓红外发射器（ 950纳米）
SFH 4510
SFH 4515
2.7
2.3
2.05
R 1.95
2.7
2.4
芯片位置
4.5
7.5
3.9
5.5
(3.2)
(R 2.8)
(3.2)
6.0
5.4
GEO06968
14.7
13.1
2.54 mm
间距
-0.1...0.1
3.7
3.3
阴极/
集热器
4.5
3.9
7.7
7.1
芯片位置
8.0
7.4
15.5
14.7
4.5
3.9
2.05
R 1.95
(3.2)
(R 2.8)
(3.2)
6.0
5.4
GEO06969
4.8
4.4
SFH 4510
4.8
4.4
2.54 mm
间距
SFH 4515
4.5
3.9
7.7
7.1
阴极/
集热器
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
半导体集团
-0.15...0.15
2.7
2.4
1
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Wesentliche Merkmale
Hergestellt IM Schmelzepitaxieverfahren
献给Oberflchenmontage geeignet
gegurtet lieferbar
Gehusegleich MIT Fotodiode SFH 2500 /
SFH 2505 UND Fototransistor SFH 3500 /
SFH 3505
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
q
q
q
q
特点
q
制造的液相外延工艺
q
适于表面安装（ SMT）的
q
可在磁带和卷轴
q
同一个包中的光电二极管SFH 2500 /
SFH 2505和光电晶体管SFH 3500 /
SFH 3505
q
高可靠性
q
光谱匹配的硅光电探测器
Anwendungen
q
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- UND
应用
q
Hi-Fi和的电视机，视频的红外遥控器
Rundfunkgerten ， Videorecordern ，
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
录音机，调光器
q
为稳定和不同的遥控器
强度
典型值
TYPE
SFH 4510
SFH 4515
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1798
Q62702-P1821
Gehuse
包
5毫米-LED- Gehuse （T1
3
/
4
） ，以Schwarzes环氧
Gieharz ， Anschlüsse （ SFH 4510 gebogen ， SFH 4515
gerade ） IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
''）， Kathodenkenn-
zeichnung ：世赫Mazeichnung 。
5毫米LED封装（T 1
3
/
4
） ，黑色的环氧水库
中，焊片（ SFH 4510弯曲， SFH 4515直）
引线间距2.54毫米（
1
/
10
''），阴极标记：见
封装外形。
半导体集团
2
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
= 10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 85
85
5
100
3
150
300
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
（DC）的
I
FSM
P
合计
Wrmewiderstand Sperrschicht - 地区信息
R
thJA
贝蒙太奇奥夫FR4铂金， Padgre JE
20 mm
2
热阻结 - 环境
安装在PC板（ FR4 ） ， padsize 20毫米
2
每
半导体集团
3
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100毫安
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktive Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90％到10 ％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
950
统一性
单位
nm
λ
55
nm
±
14
0.09
0.3
×
0.3
0.5
毕业生
度。
mm
2
mm
s
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.30
(≤
1.5)
2.30
(≤
2.8)
0.01
(≤
1)
V
V
A
Φ
e
22
mW
半导体集团
4
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 0.5
统一性
单位
%/K
TC
I
TC
V
TC
λ
–2
0.3
毫伏/ K
纳米/ K
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.001 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.001 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
符号
I
ê TYP
I
ê MIN
I
ê TYP
邂逅相遇，
价值
50
≥
25
450
统一性
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
半导体集团
5
1998-11-12
QQ：2880707522 复制
