【最终数据SPP20N60C2 ， SPB20N60C2SPA20N60C2酷MOS 功率晶体管特征新】,IC型号SPA20N60C2,SPA20N60C2 PDF资料,SPA20N60C2经销商,ic,电子元器件-51电子网

最终数据

SPP20N60C2 ， SPB20N60C2

SPA20N60C2

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

P-TO220-3-31

产品概述

JMAX

650

DS （ ON）

P-TO220-3-31

P-TO263-3-2

0.19

P-TO220-3-1

TYPE

SPP20N60C2

SPB20N60C2

SPA20N60C2

包

P-TO220-3-1

P-TO263-3-2

订购代码

Q67040-S4320

Q67040-S4322

记号

20N60C2

P- TO220-3-31 Q67040 - S4333

最大额定值

参数

符号

价值

SPP_B

SPA

单位

连续漏电流

= 25 °C

= 100 °C

690

±20

脉冲漏极电流，

受

JMAX

雪崩能量，单脉冲

=10A,

=50V

PULS

690

±20

雪崩能量，重复

受

JMAX 2 ）

=20A,

=50V

雪崩电流，重复性

受

JMAX

反向二极管D

= 20 A,

＆ LT ;

, d

=100A/

JMAX

=150°C

V / ns的

合计

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

= 25°C

208

34.5

工作和存储温度

第1页

j ,

英镑

-55...+150

°C

2002-08-12

最终数据

热特性

参数

特征

SPP20N60C2 ， SPB20N60C2

SPA20N60C2

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热阻，结 - 案

Thremal电阻，结 - 的情况下， FULLPAK

热阻，结 - 环境，含铅

热阻，结 - 环境， FULLPAK

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

散热面积

线性降额因子

线性降额因子， FULLPAK

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

thJC

thJC_FP

thJA

thJA_FP

thJA

0.6

3.6

1.67

0.28

260

K / W

W / K

°C

出售

电气特性，

= 25℃，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

=0V,

=0.25mA

（ BR ） DSS

（ BR ） DS

GS （ TH）

DSS

600

3.5

700

4.5

5.5

漏源雪崩击穿电压

=0V,

=20A

栅极阈值电压，

=1mA

零栅极电压漏极电流

= 600 V,

= 0 V,

= 25 °C

= 600 V,

= 0 V,

= 150 °C

0.1

0.16

0.54

100

0.19

栅极 - 源极漏电流

=20V,

=0V

GSS

DS （ ON）

漏源导通电阻

=10V,

=13A,

=25°C

门输入电阻

= 1 MHz时，漏极开路

第2页

2002-08-12

最终数据

SPP20N60C2 ， SPB20N60C2

SPA20N60C2

电气特性

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

能源相关

有效输出电容，

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

=350V,

=20A,

= 0至10V

=350V,

=20A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

3000

1170

160

单位

马克斯。

103

国际空间站

OSS

RSS

≥

2*I

DS （ ON）最大值

=13A

=0V,

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

O（ ER ）

=0V,

= 0V至480V

D（上）

D（关闭）

=380V,

=0/13V,

=20A,

=3.6

=125°C

（高原）

=350V,

=20A

只有最高温度1Limited

2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

*f.

3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

而

上升，从0至80％

O（ ER ）

OSS

DSS

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

OSS

而

上升，从0至80％

DSS

第3页

2002-08-12

最终数据

SPP20N60C2 ， SPB20N60C2

SPA20N60C2

电气特性

参数

特征

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

RRM

/ DT

=25°C

=0V,

=350V,

/dt=100A/s

符号

条件

分钟。

值

典型值。

610

1500

马克斯。

1.2

1040

单位

=25°C

A / μs的

典型的瞬态热特性

符号

SPP_B

th1

th2

th3

th4

th5

th6

0.007416

0.016

0.021

0.06

0.083

0.038

价值

SPA

0.077

0.015

0.022

0.063

0.214

2.479

K / W

th1

th2

th3

th4

th5

th6

日，正

例

单位

符号

价值

SPP_B

0.0004409

0.001462

0.0024

0.003031

0.02

0.146

SPA

0.000376

0.00141

0.00192

0.00332

0.019

0.412

单位

WS / K

合计

(t)

th1

xternal eatsink

th1

th2

日，正

上午B

第4页

2002-08-12

最终数据

SPP20N60C2 ， SPB20N60C2

SPA20N60C2

1功耗

合计

)

240

SPP20N60C2

2电源dissiaption FULLPAK

合计

)

200

180

合计

160

140

120

100

合计

100

120

°C

160

100

120

°C

160

3安全工作区

(

)

参数：

= 0 ,

=25°C

4安全工作区FULLPAK

)

参数：

= 0,

= 25°C

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

-2 0

第5页

2002-08-12

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数量

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电话：0755-23607529/23603360/83258002

联系人：江先生

地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

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联系人：蔡小姐

地址：新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

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