Si4480EY
Vishay Siliconix公司
N通道80 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
80
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.040 @ V
GS
= 6.0 V
I
D
(A)
6.2
5.8
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
订购信息： Si4480EY
Si4480EY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
80
"20
6.2
5.2
40
2.5
3
2.1
- 55 175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结对铅
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJL
符号
典型
40
85
20
最大
50
100
24
单位
° C / W
C / W
2-1
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极柯伦
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
V
GS
= 6.0 V，I
D
= 5.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.2 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.026
0.030
25
1.2
0.035
0.040
2
"100
1
20
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
b
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 40 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
1.5
12.5
12.5
52
22
50
V
DS
= 40 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
30
9
5.6
4.0
25
25
80
40
80
ns
W
50
nC
笔记
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10通6 V
32
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
32
40
传输特性
24
5V
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
- 55_C
0
8
4V
0
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
2-2
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
2500
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 6 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
2000
C
国际空间站
1500
1000
C
OSS
0.01
500
C
RSS
0.00
0
10
20
I
D
- 漏电流（ A）
30
40
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 40 V
I
D
= 6.0 A
8
2.4
2.2
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.06
导通电阻与栅极至源极电压
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.05
I
D
= 6.0 A
0.04
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 175_C
10
0.03
T
J
= 25_C
0.02
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
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2-3
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.5
50
单脉冲功率
40
0.0
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
- 0.5
20
- 1.0
10
- 1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.001
0.0001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
N通道80 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
80
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.040 @ V
GS
= 6.0 V
I
D
(A)
6.2
5.8
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
订购信息： Si4480EY
Si4480EY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
80
"20
6.2
5.2
40
2.5
3
2.1
- 55 175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结对铅
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJL
符号
典型
40
85
20
最大
50
100
24
单位
° C / W
C / W
2-1
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极柯伦
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
V
GS
= 6.0 V，I
D
= 5.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.2 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.026
0.030
25
1.2
0.035
0.040
2
"100
1
20
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
b
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 40 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
1.5
12.5
12.5
52
22
50
V
DS
= 40 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
30
9
5.6
4.0
25
25
80
40
80
ns
W
50
nC
笔记
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10通6 V
32
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
32
40
传输特性
24
5V
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
- 55_C
0
8
4V
0
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
2-2
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
2500
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 6 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
2000
C
国际空间站
1500
1000
C
OSS
0.01
500
C
RSS
0.00
0
10
20
I
D
- 漏电流（ A）
30
40
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 40 V
I
D
= 6.0 A
8
2.4
2.2
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.06
导通电阻与栅极至源极电压
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.05
I
D
= 6.0 A
0.04
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 175_C
10
0.03
T
J
= 25_C
0.02
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
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Si4480EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.5
50
单脉冲功率
40
0.0
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
- 0.5
20
- 1.0
10
- 1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.001
0.0001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
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2-4
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
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Vishay Siliconix公司
N通道80 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
80
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.040 @ V
GS
= 6.0 V
I
D
(A)
6.2
5.8
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
订购信息： Si4480EY
Si4480EY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
80
"20
6.2
5.2
40
2.5
3
2.1
- 55 175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结对铅
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJL
符号
典型
40
85
20
最大
50
100
24
单位
° C / W
C / W
2-1
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极柯伦
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
V
GS
= 6.0 V，I
D
= 5.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.2 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.026
0.030
25
1.2
0.035
0.040
2
"100
1
20
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
b
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 40 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
1.5
12.5
12.5
52
22
50
V
DS
= 40 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
30
9
5.6
4.0
25
25
80
40
80
ns
W
50
nC
笔记
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10通6 V
32
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
32
40
传输特性
24
5V
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
- 55_C
0
8
4V
0
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
2-2
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
2500
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 6 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
2000
C
国际空间站
1500
1000
C
OSS
0.01
500
C
RSS
0.00
0
10
20
I
D
- 漏电流（ A）
30
40
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 40 V
I
D
= 6.0 A
8
2.4
2.2
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.06
导通电阻与栅极至源极电压
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.05
I
D
= 6.0 A
0.04
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 175_C
10
0.03
T
J
= 25_C
0.02
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
www.vishay.com
2-3
Si4480EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.5
50
单脉冲功率
40
0.0
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
- 0.5
20
- 1.0
10
- 1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.001
0.0001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71060
S- 03951 -REV 。 B， 26日， 03
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