【最终数据SPP08N50C3 ， SPI08N50C3SPA08N50C3VDS@TJMAXRDS 】,IC型号SPA08N50C3,SPA08N50C3 PDF资料,SPA08N50C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

最终数据

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

560

0.6

7.6

V

A

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P-TO220-3-31

1

2

3

P-TO220-3-31

P-TO262-3-1

P-TO220-3-1

P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）

TYPE

SPP08N50C3

SPI08N50C3

SPA08N50C3

包

P-TO220-3-1

P-TO262-3-1

订购代码

Q67040-S4567

Q67040-S4568

记号

08N50C3

P- TO220-3-31 Q67040 - S4576

最大额定值

参数

符号

I

D

价值

SPP_I

SPA

单位

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

A

7.6

4.6

7.6

1)

4.6

1)

22.8

230

0.5

7.6

±20

±

30

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=5.5A,

V

DD

=50V

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

V

GS

P

合计

22.8

230

0.5

7.6

±20

±

30

A

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

2)

I

D

=7.6A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

门源电压

A

V

W

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

83

32

工作和存储温度

T

j ,

T

英镑

-55...+150

°C

第1页

2003-06-27

最终数据

最大额定值

参数

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

符号

价值

单位

漏源电压斜率

V

DS

= 400 V,

I

D

= 7.6 A,

T

j

= 125 °C

dv / dt的

50

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 的情况下， FULLPAK

热阻，结 - 环境，含铅

热阻，结 - 环境， FULLPAK

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

3)

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=350A,

V

GS = VDS

V

DS

=500V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJC_FP

R

thJA

R

thJA FP

T

出售

-

值

典型值。

-

单位

马克斯。

1.5

3.9

62

80

260

°C

K / W

值

典型值。

-

600

3

0.5

-

0.5

1.5

1.2

马克斯。

-

3.9

500

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=7.6A

A

1

100

0.6

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=4.6A

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

第2页

2003-06-27

最终数据

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

电气特性

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=4.6A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

6

750

350

12

56

30

6

5

60

7

马克斯。

-

单位

S

pF

有效输出电容，

4)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

5)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

GS

=0V,

V

DS

=400

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=7.6A,

R

G

=12

-

ns

V

DD

=400V,

I

D

=7.6A

-

3

17

32

5

-

nC

V

DD

=400V,

I

D

=7.6A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=400V,

I

D

=7.6A

V

只有最高温度1Limited

2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AR

AV

220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度

4

C

5

C

O（ ER ）

O（ TR ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2003-06-27

最终数据

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

电气特性

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

SPP_B

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.024

0.046

0.085

0.308

0.317

0.112

T

j

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

370

3.6

25

700

马克斯。

7.6

22.8

1.2

-

单位

A

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=400V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

V

ns

C

A

A / μs的

T

j

=25°C

价值

SPA

0.024

0.046

0.085

0.195

0.45

2.511

R

th1

单位

K / W

符号

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

R

日，正

T

例

价值

SPP_B

0.00012

0.0004578

0.000645

0.001867

0.004795

0.045

SPA

0.00012

0.0004578

0.000645

0.001867

0.007558

0.412

单位

WS / K

xternal eatsink

第4页

2003-06-27

最终数据

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

1功耗

P

合计

=

f

(

T

C

)

100

SPP08N50C3

2功耗FULLPAK

P

合计

=

f

(

T

C

)

35

W

80

70

W

25

P

合计

60

50

40

30

20

P

合计

20

15

10

5

20

40

60

80

100

120

10

0

°C

160

20

40

60

80

100

120

T

C

°C

150

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

4安全工作区FULLPAK

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C

10

2

A

10

1

10

1

I

D

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

10

1

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

10

-2 0

10

2

10

V

DS

3

第5页

2003-06-27

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P-TO220-3-31

1

2

3

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

PG- TO220FP PG- TO262

560

0.6

7.6

V

A

PG-TO220

PG- TO- 220-3-31 ; -3-111 ：全隔离封装（ 2500 VAC ， 1分钟）

TYPE

SPP08N50C3

SPI08N50C3

SPA08N50C3

包

PG-TO220

PG-TO262

PG-TO220FP

订购代码

Q67040-S4567

Q67040-S4568

SP000216306

记号

08N50C3

最大额定值

参数

符号

I

D

价值

SPP_I

SPA

单位

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

A

7.6

4.6

7.6

1)

4.6

1)

22.8

230

0.5

7.6

±20

±

30

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=5.5A,

V

DD

=50V

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

V

GS

P

合计

22.8

230

0.5

7.6

±20

±

30

A

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

2)

I

D

=7.6A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

门源电压

A

V

W

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

83

32

工作和存储温度

反向二极管的dv / dt

6)

修订版2.91

页面

1

T

j ,

T

英镑

dv / dt的

-55...+150

15

°C

V / ns的

2009-11-27

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

最大额定值

参数

符号

价值

单位

漏源电压斜率

V

DS

= 400 V,

I

D

= 7.6 A,

T

j

= 125 °C

dv / dt的

50

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 的情况下， FULLPAK

热阻，结 - 环境，含铅

热阻，结 - 环境， FULLPAK

焊接温度，

波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

3)

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=350A,

V

GS = VDS

V

DS

=500V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJC_FP

R

thJA

R

thJA FP

T

出售

-

值

典型值。

-

单位

马克斯。

1.5

3.9

62

80

260

°C

K / W

值

典型值。

-

600

3

0.5

-

0.5

1.5

1.2

马克斯。

-

3.9

500

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=7.6A

A

1

100

0.6

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=4.6A

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

修订版2.91

页面

2

2009-11-27

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

电气特性

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=4.6A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

6

750

350

12

56

30

6

5

60

7

马克斯。

-

单位

S

pF

有效输出电容，

4)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

5)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

V

GS

=0V,

V

DS

=400

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=7.6A,

R

G

=12

-

ns

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=400V,

I

D

=7.6A

-

3

17

32

5

-

nC

V

DD

=400V,

I

D

=7.6A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=400V,

I

D

=7.6A

V

只有最高温度1Limited

2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AR

AV

220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度

4

C

5

C

O（ ER ）

O（ TR ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

6

我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V

SD

D

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

BR ， DSS

, T

j

＆ LT ;吨

， MAX

.

相同的低侧和高侧开关。

修订版2.91

页面

3

2009-11-27

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

电气特性

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

SPP_I

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.024

0.046

0.085

0.308

0.317

0.112

T

j

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

370

3.6

25

700

马克斯。

7.6

22.8

1.2

-

单位

A

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=400V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

V

ns

C

A

A / μs的

T

j

=25°C

价值

SPA

0.024

0.046

0.085

0.195

0.45

2.511

R

th1

单位

K / W

符号

SPP_I

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

R

日，正

T

例

价值

SPA

0.00012

0.0004578

0.000645

0.001867

0.007558

0.412

0.00012

0.0004578

0.000645

0.001867

0.004795

0.045

单位

WS / K

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

修订版2.91

页面

4

2009-11-27

SPP08N50C3 ， SPI08N50C3

SPA08N50C3

1功耗

P

合计

=

f

(

T

C

)

100

SPP08N50C3

2功耗FULLPAK

P

合计

=

f

(

T

C

)

35

W

80

70

W

25

P

合计

60

50

40

30

20

P

合计

20

15

10

5

20

40

60

80

100

120

10

0

°C

160

20

40

60

80

100

120

T

C

°C

150

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

4安全工作区FULLPAK

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C

10

2

A

10

1

10

1

I

D

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

10

1

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

10

-2 0

10

2

10

V

DS

3

修订版2.91

页面

5

2009-11-27