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N沟道60V - 0.1
- 2A SOT- 223
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STN2NF06L
s
s
s
s
s
STN2NF06L
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
<0.12
I
D
2A
典型
DS
（上） = 0.1
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
雪崩坚固的技术
低阈值DRIVE
2
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制（磁盘驱动器等）
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
SOT-223
2
3
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
tot(1)
dv / dt的
(2)
E
AS
(3)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
± 16
2
1.2
8
3
8
6
200
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
(1)
与r
THJ -l
(2) I
SD
≤2A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 3 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 2A ，V
DD
= 30V
2002年11月
.
1/8
STN2NF06L
热数据
RthJ -PCB
RthJ -PCB
T
l
热阻结到PCB （ 1英寸
2
铜板）
热阻结到PCB （最小的足迹）
最大无铅焊接温度的目的
50
90
260
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 16 V
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 250
A
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
分钟。
1
0.1
0.12
0.12
0.14
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 1 A
分钟。
典型值。
3
360
55
25
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
2/8
STN2NF06L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 1 A
V
DD
= 30 V
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 48 V I
D
= 2 A V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
10
20
5.6
1.2
2.6
7.6
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 1 A
V
DD
= 30 V
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7,
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
17
6
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2 A
V
GS
= 0
28
31
2.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2
8
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 2 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 20 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗结导
3/8
STN2NF06L
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STN2NF06L
归栅极阈值电压与温度
归
在电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度的关系。
.
.
5/8
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