【最终数据SPP06N80C3SPA06N80C3VDSRDS （ ON）IDP-TO220-3-31】,IC型号SPA06N80C3,SPA06N80C3 PDF资料,SPA06N80C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

最终数据

SPP06N80C3

SPA06N80C3

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

P-TO220-3-31

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）

P-TO220-3-31

800

0.9

6

V

A

P-TO220-3-1

1

2

3

TYPE

SPP06N80C3

SPA06N80C3

包

P-TO220-3-1

订购代码

Q67040-S4351

记号

06N80C3

P- TO220-3-31 Q67040 - S4435

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

SPP

I

D

6

3.8

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

18

230

0.2

6

±20

±30

83

价值

SPA

单位

A

6

1)

3.8

1)

18

230

0.2

6

±20

±30

39

W

°C

A

V

A

mJ

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=1.2A,

V

DD

=50V

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

2)

I

D

=6A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

工作和存储温度

-55...+150

第1页

2003-07-02

最终数据

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 640 V,

I

D

= 6 A,

T

j

= 125 °C

SPP06N80C3

SPA06N80C3

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 的情况下， FULLPAK

热阻，结 - 环境，含铅

热阻，结 - 环境， FULLPAK

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

3)

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=250A,

V

GS = VDS

V

DS

=800V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJC_FP

R

thJA

R

thJA_FP

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

1.5

3.9

62

80

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

870

3

0.5

-

0.78

2.1

0.7

马克斯。

-

3.9

800

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=6A

A

10

100

0.9

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=3.8A

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

第2页

2003-07-02

最终数据

电气特性

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

SPP06N80C3

SPA06N80C3

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=3.8A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

4

785

390

20

22

42

25

15

65

8

马克斯。

-

75

11

-

单位

S

pF

有效输出电容，

4)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

5)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=400V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=6A,

R

G

=15,

T

j

=125°C

-

ns

V

DD

=640V,

I

D

=6A

-

3.3

14

27

6

-

35

-

nC

V

DD

=640V,

I

D

=6A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=640V,

I

D

=6A

V

只有最高温度1Limited

2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AR

AV

220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度

4

C

5

C

O（ ER ）

O（ TR ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2003-07-02

最终数据

电气特性

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

SPP

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.024

0.048

0.083

0.309

0.317

0.112

T

j

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

SPP06N80C3

SPA06N80C3

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

520

5

18

400

马克斯。

6

18

1.2

-

单位

A

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=400V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

V

ns

C

A

A / μs的

T

j

=25°C

价值

SPA

0.024

0.048

0.086

0.195

0.451

2.51

R

th1

单位

K / W

符号

SPP

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

R

日，正

T

例

价值

SPA

0.0001172

0.000447

0.0006303

0.001828

0.007578

0.412

0.0001172

0.000447

0.0006303

0.001828

0.004786

0.046

单位

WS / K

xternal eatsink

第4页

2003-07-02

最终数据

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

100

SPP06N80C3

SPA06N80C3

2功耗FULLPAK

P

合计

=

f

(T

C

)

40

W

80

W

30

70

P

合计

P

合计

20

40

60

80

100

120

60

50

40

30

25

20

15

10

20

10

0

5

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

T

C

°C

160

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

4安全工作区FULLPAK

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C

10

2

A

10

1

10

1

I

D

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

第5页

2003-07-02

SPA06N80C3

的CoolMOS

特点

TM

功率晶体管

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）最大值

@ T

j

= 25°C

Q

克，典型值

800

0.9

31

V

nC

新的革命高电压技术

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

根据JEDEC合格

1)

为目标的应用

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

超低栅极电荷

超低电容有效

完全隔离包（ 2500 VAC ， 1分钟）

的CoolMOS

TM

800V设计：

具有高直流电压批量工业应用

切换应用程序（即有源钳位正激）

TYPE

SPA06N80C3

包

PG-TO220-3

记号

06N80C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

2)

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

3)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR3),4)

雪崩电流，重复性

t

AR3),4)

MOSFET的dv / dt坚固

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

V

GS

V

DS

=0…640 V

STATIC

AC （F >1赫兹）

功耗

工作和存储温度

安装力矩

P

合计

T

j

,

T

英镑

M2.5螺丝

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=1.2 A,

V

DD

=50 V

I

D

=6 A,

V

DD

=50 V

价值

6

3.8

18

230

0.2

6

50

±20

±30

39

-55 ... 150

50

W

°C

NCM

A

V / ns的

V

mJ

单位

A

修订版2.9

第1页

2008-10-15

SPA06N80C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续二极管的正向电流

二极管脉冲电流

3)

反向二极管的dv / dt

5)

符号条件

I

S

I

S，脉冲

的dV / dt

T

C

=25 °C

18

4

V / ns的

价值

6

单位

A

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

R

thJC

R

thJA

含铅

-

3.9

80

K / W

焊接温度，

T

出售

波峰焊只允许在引线

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

I

DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=6 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 0.25毫安

V

DS

=800 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=800 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=3.8 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=3.8 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

R

G

f

= 1 MHz时，漏极开路

800

-

2.1

-

870

3

-

3.9

10

A

V

-

50

-

0.78

-

100

0.9

nA

-

2.1

1.2

-

修订版2.9

第2页

2008-10-15

SPA06N80C3

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

C

国际空间站

C

OSS

V

GS

=0 V,

V

DS

=100 V,

f

= 1兆赫

-

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

-

V

DD

=400 V,

V

GS

=0/10 V,

I

D

=6 A,

R

G

=15 ? ,

T

j

=25 °C

-

69

25

15

72

8

-

ns

785

33

26

-

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

有效输出电容，能量

C

O（ ER ）

相关

7)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

1)

2)

3)

4)

5)

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=640 V,

I

D

=6 A,

V

GS

= 0到10伏

-

4

15

31

5.5

-

41

-

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

GS

=0 V,

I

F

=I

S

=6 A,

T

j

=25 °C

-

1

520

5

18

1.2

-

V

ns

C

A

V

R

=400 V,

I

F

=I

S

=6 A,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

J- STD20和JESD22

只有最高温度限制

脉冲宽度

t

p

受

T

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

I

SD

=I

D

，二/ dt≤400A / μs的，V

的dcLINK

= 400V, V

PEAK

＆ LT ; V

（ BR ） DSS

, T

j

＆ LT ;吨

JMAX

，相同的低侧和高侧开关

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

6)

7)

修订版2.9

第3页

2008-10-15

SPA06N80C3

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

40

10

2

限于由导通状态

阻力

30

10

1

10 s

1 s

P

合计

[W]

I

D

[A]

20

100 s

1毫秒

10

0

10

DC

10毫秒

0

25

50

75

100

125

150

10

-1

1

10

100

1000

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

P

)

参数：

D =吨

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C;

t

p

=10 s

参数：

V

GS

20

20 V

0.5

15

10 V

10

0

0.2

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

0.1

0.05

0.02

10

6.5 V

10

-1

0.01

6V

单脉冲

5

5.5 V

5V

10

-2

10

-5

0

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

0

5

10

15

20

25

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版2.9

第4页

2008-10-15

SPA06N80C3

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=150 °C;

t

p

=10 s

参数：

V

GS

12

6典型。漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=150 °C

参数：

V

GS

4.2

20 V

10 V

3.8

9

6V

3.4

R

DS （ ON）

[

]

3

I

D

[A]

6

5.5 V

2.6

5.5 V

4.5 V

5V

6V

10 V

20 V

5V

2.2

3

4.5 V

1.8

0

5

10

15

20

25

1.4

0

3

6

9

V

DS

[V]

I

D

[A]

7漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F （T

j

);

I

D

=3.8 A;

V

GS

=10 V

8典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

;

t

p

=10 s

参数：

T

j

2.4

20

25 °C

2

15

1.6

R

DS （ ON）

[

]

1.2

典型值

I

D

[A]

98%

10

150 °C

0.8

5

0.4

0

-60

-20

20

60

100

140

180

0

2

4

6

8

10

T

j

[°C]

V

GS

[V]

修订版2.9

第5页

2008-10-15

SPP06N80C3

SPA06N80C3

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P-TO220-3-31

1

2

3

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

800

0.9

6

V

A

PG- TO220-3-31 PG- TO220

PG- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）

TYPE

SPP06N80C3

SPA06N80C3

包

PG-TO220

订购代码

Q67040-S4351

记号

06N80C3

PG-TO220-3-31

SP000216302

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

SPP

I

D

6

3.8

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

页面

1

价值

SPA

单位

A

6

1)

3.8

1)

18

230

0.2

6

±20

±30

39

W

°C

2007-08-30

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=1.2A,

V

DD

=50V

18

230

0.2

6

±20

±30

83

A

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

2)

I

D

=6A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

工作和存储温度

修订版2.6

A

V

-55...+150

SPP06N80C3

SPA06N80C3

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 640 V,

I

D

= 6 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 的情况下， FULLPAK

热阻，结 - 环境，含铅

热阻，结 - 环境， FULLPAK

焊接温度，

波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

3)

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=250A,

V

GS = VDS

V

DS

=800V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJC_FP

R

thJA

R

thJA_FP

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

1.5

3.9

62

80

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

870

3

0.5

-

0.78

2.1

0.7

马克斯。

-

3.9

800

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=6A

A

10

100

0.9

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=3.8A

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

修订版2.6

页面

2

2007-08-30

SPP06N80C3

SPA06N80C3

电气特性

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=3.8A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

4

785

390

20

22

42

25

15

65

8

马克斯。

-

75

11

-

单位

S

pF

有效输出电容，

4)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

5)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=400V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=6A,

R

G

=15,

T

j

=125°C

-

ns

V

DD

=640V,

I

D

=6A

-

3.3

14

27

6

-

35

-

nC

V

DD

=640V,

I

D

=6A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=640V,

I

D

=6A

V

只有最高温度1Limited

2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AR

AV

220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度

4

C

5

C

O（ ER ）

O（ TR ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

修订版2.6

页面

3

2007-08-30

SPP06N80C3

SPA06N80C3

电气特性

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

SPP

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.024

0.048

0.083

0.309

0.317

0.112

T

j

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

520

5

18

400

马克斯。

6

18

1.2

-

单位

A

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=400V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

V

ns

C

A

A / μs的

T

j

=25°C

价值

SPA

0.024

0.048

0.086

0.195

0.451

2.51

R

th1

单位

K / W

符号

SPP

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

R

日，正

T

例

价值

SPA

0.0001172

0.000447

0.0006303

0.001828

0.007578

0.412

0.0001172

0.000447

0.0006303

0.001828

0.004786

0.046

单位

WS / K

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

修订版2.6

页面

4

2007-08-30

SPP06N80C3

SPA06N80C3

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

100

SPP06N80C3

2功耗FULLPAK

P

合计

=

f

(T

C

)

40

W

80

W

30

70

P

合计

P

合计

20

40

60

80

100

120

60

50

40

30

25

20

15

10

20

10

0

5

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

T

C

°C

160

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

4安全工作区FULLPAK

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C

10

2

A

10

1

10

1

I

D

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

修订版2.6

页面

5

2007-08-30