【SP8J3晶体管4V驱动P沟道+ P沟道MOS FETSP8J3结构硅P沟道MOS场效应管外形尺寸（】,IC型号SP8J3,SP8J3 PDF资料,SP8J3经销商,ic,电子元器件-51电子网

SP8J3

晶体管

4V驱动P沟道+ P沟道MOS FET

SP8J3

结构

硅P沟道MOS场效应管

外形尺寸

（单位：毫米）

SOP8

5.0

0.4

1.75

(5)

1PIN MARK

1.27

0.2

每根导线具有相同的尺寸

应用

电源开关， DC-DC转换

包装规格

包

TYPE

SP8J3

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

内部电路

(8)

(7)

(6)

(5)

（1） Tr1的源

（2） Tr1的栅极

（3） Tr2的源

（4） Tr2的栅

（ 5 ） Tr2的漏

（ 6 ） Tr2的漏

（ 7 ） Tr1的漏

（ 8 ） Tr1的漏

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

<It是Tr1和Tr2.>相同评级

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

连续

脉冲

连续

脉冲

总功耗

通道温度

储存温度范围

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

符号

DSS

GSS

总胆固醇

TSTG

范围

±20

±3.5

±14

1.6

2.0

150

+150

单位

°C

热阻

参数

渠道环境

安装在陶瓷板上。

符号

RTH （ CH -A ）

范围

62.5

单位

°C

/ W

Rev.A的

0.4Min.

特点

1 ）低导通电阻。（ 100mΩ的在4.5V ）

2 ）高功率封装。（P

=2.0W)

3 ）高速开关。

4 ）低电压驱动。（ 4V ）

(8)

(1)

(4)

3.9

6.0

1/4

SP8J3

晶体管

电气特性

(Ta=25°C)

<It为Tr1和Tr2.>相同特性

参数

符号

分钟。

典型值。

100

120

490

110

5.5

1.5

2.0

马克斯。

±10

2.5

140

165

GSS

栅源漏

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

DSS

零栅极电压漏极电流

GS （ TH）

1.0

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

DS （ ON）

阻力

1.8

正向转移导纳

国际空间站

输入电容

OSS

输出电容

反向传输电容

RSS

导通延迟时间

D（上）

上升时间

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源

收费

栅极 - 漏极

收费

*脉冲

单位

条件

=±20V,

=0V

= -1mA ，

=0V

= 30V,

=0V

= 10V,

= -1mA

= 3.5A,

= 10V

= 1.75A,

= 4.5V

= 1.75A,

= 4.0V

= 10V,

= 1.75A

= 10V

=0V

f=1MHz

= 1.75A

= 10V

=8.6

=10

15V

= 5V

= 3.5A

体二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

<It为Tr1和Tr2.>相同特性

参数

正向电压

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

= 1.6A,

=0V

Rev.A的

2/4

SP8J3

晶体管

电气特性曲线

= 10V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

1000

Ta=25°C

脉冲

1000

= 10V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

漏电流：

(A)

100

= 4V

= 4.5V

= 10V

0.1

100

0.01

0.001

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.1

栅源电压：

(V)

漏电流：

(A)

漏电流：

(A)

图1典型的传输特性

图2静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

图3静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

1000

反向漏CURRNT ：

(A)

= 4.5V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

1000

= 4V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

=0V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

100

0.1

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

漏电流：

(A)

漏电流：

(A)

源极 - 漏极电压：

(V)

图4静态漏源导通状态

与漏电流

图5静态漏源导通状态

与漏电流

图6反向漏电流

源极 - 漏极电流

10000

1000

栅源电压：

(V)

切换时间： T（ NS ）

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

电容：C （PF ）

100

Ta=25°C

= 15V

= 10V

=10

脉冲

Ta=25°C

= 15V

= 3.5A

=10

脉冲

1000

国际空间站

D（关闭）

100

D（上）

OSS

RSS

0.01

0.1

100

0.01

0.1

漏源电压：

(V)

漏电流：

(A)

总栅极电荷：的Qg （ NC ）

图7典型电容

与漏源电压

图8的开关特性

图9动态输入特性

Rev.A的

3/4

SP8J3

晶体管

测量电路

D.U.T.

10%

90%

10%

D（关闭）

关闭

10%

D（上）

图10开关时间测试电路

图11开关时间波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图12栅极电荷测试电路

图13栅极电荷波形

Rev.A的

4/4

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.1