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SIPMOS
小信号晶体管
q
V
DS
60 V
q
I
D
0.18 A
q
R
DS （ ON）
10
q
P沟道
q
增强型
SP 0610L
2
3
1
TYPE
订购代码编带和卷轴
信息
体积
引脚配置标记
1
D
2
G
3
S
包
SP 0610 L Q67000 - S065
最大额定值
参数
漏源电压
SP0610L TO-92
符号
值
60
60
±
20
0.18
0.72
0.63
55 … + 150
≤
200
–
E
55/150/56
单位
V
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
PULS
P
合计
T
j
,
T
英镑
R
thJA
R
thJSR
T
A
= 25 C
T
A
= 25 C
漏极 - 栅极电压，
R
GS
= 20 k
栅源电压
连续漏电流，
T
A
= 25 C
脉冲漏极电流，
马克斯。功耗，
A
W
C
K / W
工作和存储温度范围
热敏电阻，芯片周围的
（不带散热片）
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
–
–
–
SP 0610L
电气特性
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0,
I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
=
60 V,
V
GS
= 0
T
j
= 25 C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=
20 V,
V
DS
= 0
漏源导通电阻
V
GS
=
10 V,
I
D
=
0.5 A
动态特性
正向跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=
0.5 A
输入电容
V
GS
= 0,
V
DS
=
25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0,
V
DS
=
25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0,
V
DS
=
25 V,
f
= 1兆赫
开启时间
t
on
, (
t
on
=
t
D（上）
+
t
r
)
V
DD
=
30 V,
V
GS
=
10
V,
R
GS
= 50
,
I
D
=
0.27 A
打开-O FF时间
t
关闭
, (
t
关闭
=
t
D（关闭）
+
t
f
)
V
DD
=
30 V,
V
GS
=
10
V,
R
GS
= 50
,
I
D
=
0.27 A
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
V
60
1.0
–
1.5
–
2.0
A
–
0.1
1
7
1
nA
–
10
–
10
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
0.08
0.13
30
17
8
7
12
10
20
–
S
pF
–
40
25
12
10
18
13
27
ns
C
国际空间站
C
OSS
–
C
RSS
–
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
–
–
–
–
SP 0610L
电气特性
（续）
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
反向二极管
连续反向漏电流
T
A
= 25 C
脉冲反向漏电流
T
A
= 25 C
二极管正向导通电压
I
F
=
0.18 A,
V
GS
= 0
值
典型值。
马克斯。
单位
I
S
–
–
–
0.85
A
0.18
0.72
V
–
1.2
I
SM
–
V
SD
包装外形
TO-92
尺寸（mm）
SP 0610L
特征
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
总功耗
P
合计
=
f
(
T
A
)
安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25 C
典型值。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
t
p
= 80
s
典型值。漏极 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
=
f
(
I
D
)
参数：
V
GS
SP 0610L
典型值。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数：
t
p
= 80
s,
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
DS （ ON）最大值。
典型值。正向跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数：
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
DS （ ON）最大值。
,
t
p
= 80
s
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
F（T
j
)
参数：
I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 10 V ， （扩散）
典型值。电容
C
=
f
(
V
DS
)
参数：
V
GS
= 0,
f
= 1兆赫
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