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SD103AW -V ， SD103BW -V ， SD103CW -V
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护
MOS器件，转向，偏置和
耦合二极管快速切换和
低逻辑电平的应用。
其他应用是点击抑制，
电话中的高效全波桥
子集，并阻塞二极管
可再充电低压电池系统。
在SD103系列是金属 - 硅肖特基
这是由一个PN结的保护挡板装置
保护环。
这个二极管也可以在MiniMELF情况下可用
同类型名称LL103A到LL103C ，
DO- 35的情况下与类型名称SD103A到
SD103C和SOD -323案件类型
名称SD103AWS -V以SD103CWS -V 。
对于一般用途的应用
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD-123
重量：
约。 10.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
SD103AW-V
SD103BW-V
SD103CW-V
订购代码
SD103AW -V - GS18或SD103AW -V- GS08
SD103BW -V - GS18或SD103BW -V- GS08
SD103CW -V - GS18或SD103CW -V- GS08
键入标记
S6
S7
S8
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
功耗
（无限散热器）
单周期浪涌
10 μs的方波
记
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试条件
部分
SD103AW-V
SD103BW-V
SD103CW-V
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
FSM
价值
40
30
20
400
1)
2
单位
V
V
V
mW
A
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
记
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
300
1)
125
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
°C
文档编号85681
修订版1.4 ， 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
SD103AW -V ， SD103BW -V ， SD103CW -V
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏电流
测试条件
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50 mA至200mA时
恢复到0.1 I
R
部分
SD103AW-V
SD103BW-V
SD103CW-V
符号
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
分钟。
典型值。
马克斯。
5
5
5
370
600
单位
A
A
A
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
T
AMB
= 125 °C
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
0.01
100
10
100 °C
75 °C
50 °C
1
0.1
0.01
0
20084
25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向
电压
(V)
18488
V
F
- 前进
电压
(V)
正向电流与正向电压图1.典型的变化
反向电流图3.典型变化的各种
温度
5
4
3
2
1
0
0
18489
100
C
D
- 二极管电容（pF ）
t
p
= 300毫秒
占空比= 2 ％
I
F
- 正向电流（ A）
10
1
0.5
1.0
1.5
18491
0
10
20
30
40
50
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
voltag
E（ V）
图2.典型的高电流正向传导曲线
图4.典型电容与反向电压
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85681
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.4 ， 05 - 8 - 10
SD103AW -V ， SD103BW -V ， SD103CW -V
威世半导体
50
V
R
- 反向
电压
(V)
40
百毫安
30
I
F
= 400毫安
20
10
0
18492
200毫安
0
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
200
图5.阻断电压降额系数与温度的关系，在各种
平均正向电流
包装尺寸
毫米（英寸）
： SOD- 123
1.35 (0.053)
8
°
0.45 (0.018)
0.25 (0.010)
0.5 （ 0.020 ）参考。
阴极
BAR
2.85 (0.112)
2.55 (0.100)
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
1 (0.039)
0.2 (0.008)
0到
贴装焊盘布局
0.85 (0.033)
0.1 （ 0.004 ）最大。
0.85 (0.033)
0.65 (0.026)
0.45 (0.018)
3.85 (0.152)
3.55 (0.140)
1.40 (0.055)
1.7 (0.067)
2.5 (0.098)
第4版 - 日期： 2009年9月24
文件编号： S8 -V - 3910.01-001 （ 4 ）
17432
文档编号85681
修订版1.4 ， 05 - 8 - 10
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0.85 (0.033)
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
SD103AW-V/103BW-V/103CW-V
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护
e3
MOS器件，转向，偏置，和cou-
耦二极管开关速度快和低
逻辑电平的应用。
其他应用是点击抑制，高效
在电话的子集全波桥和嵌段
ing二极管可充电电池低电压系
TEMS 。
在SD103系列是金属 - 硅肖特基
这是由一个PN结的保护挡板装置
保护环。
这个二极管也可以在MiniMELF情况下可用
同类型名称LL103A到LL103C ，
DO35例类型名称SD103A到
SD103C和SOD323例类型名称
SD103AWS -V以SD103CWS -V 。
对于一般用途的应用。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD123塑料外壳
重量：
约。 10.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
SD103AW-V
SD103BW-V
SD103CW-V
订购代码
SD103AW -V - GS18或SD103AW -V- GS08
SD103BW -V - GS18或SD103BW -V- GS08
SD103CW -V - GS18或SD103CW -V- GS08
键入标记
S6
S7
S8
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
SD103AW-V
SD103BW-V
SD103CW-V
功耗
（无限散热器）
单周期浪涌
10 μs的方波
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
FSM
价值
40
30
20
400
1)
2
单位
V
V
V
mW
A
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
300
1)
125
1)
- 55至+ 150
1)
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85681
修订版1.4 ， 18月， 06
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1
SD103AW-V/103BW-V/103CW-V
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏电流
测试条件
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50 mA至200mA时
恢复到0.1 I
R
部分
SD103AW-V
SD103BW-V
SD103CW-V
符号
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
典型值。
最大
5
5
5
370
600
单位
A
A
A
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
1000
T
AMB
= 125 °C
100
10
50 °C
1
0.1
0.01
0
20084
100
10
1
0.1
0.01
100 °C
75 °C
25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向
电压
(V)
18488
V
F
- 前进
电压
(V)
正向电流与正向电压图1.典型的变化
反向电流图3.典型变化的各种
温度
5
4
3
2
1
0
0
18489
100
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.0
1.5
18491
t
p
= 300毫秒
占空比= 2 ％
I
F
- 正向电流（ A）
10
0.5
1
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向
voltag
E（ V）
V
F
- 前进
电压
(V)
图2.典型的高电流正向传导曲线
图4.典型电容与反向电压
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文档编号85681
修订版1.4 ， 18月， 06
SD103AW-V/103BW-V/103CW-V
威世半导体
50
V
R
- 反向
电压
(V)
40
百毫安
30
I
F
= 400毫安
20
10
0
200毫安
0
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
200
18492
图5.阻断电压降额系数与温度的关系，在各种
平均正向电流
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOD123
17432
文档编号85681
修订版1.4 ， 18月， 06
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SD103AW-V/103BW-V/103CW-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
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文档编号85681
修订版1.4 ， 18月， 06
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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