【IPB160N04S2L-03的OptiMOS- T的功率三极管特点 N沟道逻辑电平 - 增强型汽】,IC型号SP0002-18153,SP0002-18153 PDF资料,SP0002-18153经销商,ic,电子元器件-51电子网

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IPB160N04S2L-03

的OptiMOS

- T的功率三极管

特点

N沟道逻辑电平 - 增强型

汽车AEC Q101标准

MSL1高达260 ℃的峰值回流焊

175 ° C工作温度

绿色封装（无铅）

极低的RDS（ON）

100 ％雪崩测试

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

40

2.7

160

V

m

A

PG-TO263-7-3

TYPE

IPB160N04S2L-03

包

PG-TO263-7-3

订购代码

SP0002-18153

记号

P2N04L03

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

2)

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

I

D，脉冲

E

AS

V

GS

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=80 A,

R

GS

=25

价值

160

160

640

810

±20

300

-55 ... 175

55/175/56

mJ

V

W

°C

单位

A

1.0版

第1页

2006-03-02

IPB160N04S2L-03

参数

符号条件

分钟。

热特性

2)

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

3)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,

I

D

=250 A

V

DS

=40 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=40 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

2)

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=80 A,

SMD版

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A,

SMD版

40

1.2

-

1.6

-

2

V

-

-

-

-

-

-

0.5

62

40

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

0.1

1

A

-

-

-

10

1

2.8

100

100

3.7

nA

m

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

-

2.0

2.7

1.0版

第2页

2006-03-02

IPB160N04S2L-03

参数

符号条件

分钟。

动态特性

2)

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

2)

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=80 A,

T

j

=25 °C

-

-

-

-

-

0.84

160

640

1.3

V

A

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=32 V,

I

D

=160 A,

V

GS

= 0至5伏

-

-

-

-

20

46

163

3.4

28

90

230

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=20 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=160 A,

R

G

=1.1

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

-

-

-

-

-

-

6000

2200

700

20

51

75

30

-

-

-

-

-

-

-

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 0.5K / W ，芯片能够承载243A在25℃ 。有关详细

信息，请参阅应用笔记ANPS071E在

www.infineon.com/optimos

2)

1)

由设计确定。不受生产测试。

3)

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

1.0版

第3页

2006-03-02

IPB160N04S2L-03

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

300

160

140

250

120

200

100

P

合计

[W]

I

D

[A]

0

50

100

150

200

150

80

60

100

40

50

20

0

0

50

100

150

200

0

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

1 s

限于由导通状态

阻力

10 s

100 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

1

0.5

100

1毫秒

0.1

0.2

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

0.1

0.05

0.02

10

0.01

0.01

单脉冲

1

0.1

1

10

100

0.001

0

0

0

0

0

0

1

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

1.0版

第4页

2006-03-02

IPB160N04S2L-03

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

200

180

160

140

10V

4.5V

4.1V

3.8V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

12

10

3.2V

8

R

DS （ ON）

[m

]

120

3.5V

I

D

[A]

3.8V

100

80

3.2V

6

3.5V

60

40

20

0

0

1

2

3

3V

4

4.1V

4.5V

2

10V

2.8V

0

0

20

40

60

80

100

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

200

180

160

140

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

300

250

200

120

100

80

60

40

C °175

g

fs

[S]

C °25

I

D

[A]

150

100

50

20

0

0

1

2

3

0

4

5

0

50

100

150

200

V

GS

[V]

I

D

[A]

1.0版

第5页

2006-03-02

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