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SA572
可编程模拟
该SA572是一款双通道,高性能的增益控制
电路,其中任一通道可用于动态范围
压缩或扩展。每个通道都有一个全波整流器对
检测输入信号,线性化,温度的平均值
补偿可变增益单元( DG)和动态时间常数
缓冲区。缓冲区允许的动态攻击的独立控制和
用最少的外部组件和改进的低恢复时间
频率增益控制纹波失真比以前扩器。
在SA572旨在用于高性能降噪
音响系统。它也可以在宽范围的通信中使用
系统和视频记录应用。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
16
1
SOIC -16 WB
后缀
CASE 751G
SA572D
AWLYYWWG
攻击和恢复时间独立控制
提高低频增益控制纹波
互补增益压缩和膨胀与
外部运算放大器
宽动态范围
大于110分贝
温度补偿增益控制
低失真增益单元
低噪音
6.0
mV
典型
宽电源电压范围
6.0 V-22 V
系统级可调的外部元件
无铅包可用*
16
1
16
SA572N
AWLYYWWG
1
16
SA
572
ALYW
G
G
1
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
16
1
TSSOP16
DTB后缀
CASE 948F
应用
动态降噪系统
电压控制放大器
立体声扩展器
自动电平控制
高级别限
低级别的噪声门
状态变量滤波器
A
=大会地点
WL
=晶圆地段
YY
=年
WW
=工作周
G或
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚连接
D,N , DTB包*
TRACK修剪1
RECOV 。 CAP A 2
RECT 。在一个3
攻击CAP A 4
DG
OUT A 5
THD TRIM A 6
DG
IN A 7
GND 8
16
V
CC
15 TRACK TRIM B
14 RECOV 。 CAP B
13 RECT 。 IN B
12 ATTACK CAP B
11
DG
OUT B
10 THD TRIM B
9
DG
IN B
* D包发布的唯一的大型SO ( SOL )封装。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
第2版
1
出版订单号:
SA572/D
SA572
R
1
(7,9)
(6,10)
500
Ω
增益单元
6.8kW
DG
(5,11)
(1,15)
(3,13)
270
Ω
+
整流器器
10kW
+
卜FF器
10kW
(16)
附:
(8)
(4,12)
(2,14)
图1.框图
引脚功能说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
TRACK修剪
RECOV 。盖A
RECT 。 IN A
ATTACK盖A
DG
OUT A
THD修剪
DG
IN A
GND
DG
IN B
THD TRIM B
DG
OUT B
攻击方式CAP B
RECT 。 IN B
RECOV 。 CAP B
TRACK TRIM B
V
CC
跟踪修剪
恢复电容器
整流器输入
攻击电容器
可变增益单元A输出
总谐波失真修剪
可变增益单元A输入
可变增益单元B输入
总谐波失真修剪B
可变增益单元B输出
攻击电容器B
整流器B输入
回收电容B
跟踪修剪B
正电源。
描述
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2
SA572
最大额定值
等级
电源电压
工作温度范围
工作结温
功耗
热阻,结到环境
N包装
DTB套餐
符号
V
CC
T
A
T
J
P
D
R
qJA
价值
22
40
+85
150
500
75
105
133
单位
V
DC
°C
°C
mW
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
在单位增益平(0 dB ) = 100 mV的信号
RMS
1.0 kHz时; V
1
= V
2
; R
2
= 3.3千瓦;
3
= 17.3千瓦,除非另有说明。
特征
电源电压
电源电流
内部参考电压
总谐波失真(修剪)
总谐波失真(修剪)
总谐波失真(修剪)
无信号输出噪声
DC电平位移(修剪)
单位增益级
大信号失真
追踪误差
(在单位增益测量相对值) =
[V
O
V
O
(增益) dB的-V
2
dB
信道串扰
符号
V
CC
I
CC
V
R
THD
THD
THD
测试条件
无信号
1.0千赫,C
A
= 1.0
mF
1.0千赫,C
R
= 10
mF
100赫兹
输入到V
1
和V
2
接地( 20-20千赫)
从任何输入变化
信号为100mV
RMS
V
1
= V
2
= 400毫伏
整流器输入
V
2
= 6.0分贝,V
1
= 0分贝
V
2
=
30
分贝,V
1
= 0分贝
200毫伏
RMS
INTO
通道A ,测
通道B输出
PSRR
120赫兹
6.0
2.3
1.5
60
典型值
2.5
0.2
0.05
0.25
6.0
"20
0
0.7
"0.2
"0.5
DC电气特性
标准测试条件下,V
CC
= 15 V ,T
A
= 25°C ;扩张器模式(见测试电路) 。输入
最大
22
6.3
2.7
1.0
25
"50
+1.5
3.0
单位
V
DC
mA
V
DC
%
%
%
mV
mV
dB
%
dB
dB
dB
2.5,
+1.6
电源抑制比
1mF
1%
R
3
70
100W
+
22mF
dB
15V
2.2mF
V
1
(7,9)
6.8kW
DG
(5,11)
82kW
17.3kW
5W
C
R
= 10MF
(2,14)
(6,10)
卜FF器
1kW
+
2.2k
+
2.2mF
270pF
NE5234
V
0
(4,12)
C
A
= 1MF
(8)
(1,15)
2.2mF
V
2
3.3KW ( 3,13)
R
2
1%
整流器器
(16)
0.1mF
+15V
+
22mF
图2.测试电路
http://onsemi.com
3
SA572
音频信号处理IC结合VCA和
快速攻击/恢复缓慢液位传感器
在高性能音频增益控制的应用程序,它
理想的是独立地控制攻击和
的增益控制信号的恢复时间。这是真的,因为
例如,在扩应用,以降低噪声。在
高端系统的输入信号通常被分成两个
或多个频段,以优化的动态行为
对于每个频带。这减少了由于低频失真
控制信号的纹波,相位失真,高频
通道过载和噪声调制。由于该
代价在硬件中,多带信号处理高达
目前仅限于专业音频应用。
通过引入SA572这个高的
性能降噪概念成为可行
消费高保真的应用。该SA572是一款双通道
增益控制IC 。每个通道都有一个线性化,
温度补偿增益单元和一种改进的水平
传感器。在与外部低噪声运算放大器一起使用
对于电流 - 电压转换, VCA具有低
失真,低噪声和宽动态范围。
小说液位传感器,它提供增益控制
当前的VCA给低增益控制纹波和
独立控制的快速攻击,恢复慢动态
反应。攻击电容C
A
具有内部10千瓦
电阻R
A
定义了攻击时间
t
A
。恢复时间
t
R
的音爆是由回收电容C定义
R
内部10千瓦电阻R
R
。 4.0毫秒典型的攻击时间
对高频频谱和40毫秒为低
频带可与0.1得到
mF
和1.0
mF
攻击电容器,分别。 200毫秒的恢复时间
可以用4.7来获得
mF
回收电容的
100 Hz的信号,所述第三谐波失真是通过改善
10dB以上通过简单的RC纹波滤波器用
单1.0
mF
攻击和回收电容器,而
攻击时保持相同。
在SA572组装在一个标准的16引脚双列直插式
塑料封装,超大SOL包。它的工作
在很宽的电源电压范围为6.0 V至22 V电源
电流是小于6.0毫安。在SA572被设计为
从应用程序
40°C
至+ 85°C 。
基本应用
描述
在SA572由两个线性化,温度
补偿增益细胞( DG) ,每一个全波
整流器和缓冲放大器如图所示的块
图。两个通道共用一个2.5 V共偏置
参考来自于电源,但另有
独立运作。由于固有的低失真,
低噪声和线性化大信号的能力,一个
宽的动态范围可以被获得。缓冲放大器
被提供以允许攻击时间和恢复控制
时间相互独立。分配如图中
框图,该IC允许灵活的设计
系统级别的优化直流漂移,纹波失真,
跟踪精度和噪声基底为广泛的
的应用需求。
增益单元
V
T
I
n
1
I
2 G
)
1
I
O
2
*
V
T
I
n
I
S
1I
*
1I
2
G
2
O
I
S
(当量1)
+
V
T
I
n
I
2
*
I
1
*
I
IN
I
1
)
I
IN
*
V
T
I
n
I
S
I
S
在那里我
IN
+
V
IN
R
1
R
1
= 6.8千瓦
I
1
= 140
mA
I
2
= 280
mA
I
O
是增益单元和I的差分输出电流
G
是增益单元的增益控制电流。
如果所有的晶体管Q
1
通过Q
4
是相同的尺寸,
公式1可以简化为:
I
O
+
2
@
I
IN
@
I
G
*
1 I
2
*
2I
1
@
I
G
I
2
I
2
(当量2)
图3示出了增益单元的电路结构。
的差动对Q的碱
1
-Q
2
和Q
3
-Q
4
绑OPA A的输出和输入
1
。负
通过Q反馈
1
持有V
BE
Q的
1
-Q
2
和V
BE
Q的
3
-Q
4
平等的。下面的关系可以推导出
从正向有源晶体管模型方程
区。
DV
BE
Q3Q4
+
D
BE
Q1Q2
(V
BE
= V
T
I
IN
IC / IS )
式(2)的第一项表示乘法器
线性化2象限导的关系
放大器。第二项是增益控制馈通
由于设备的不匹配。在设计上,这已经
大型配套设备和精心布局最小化。
偏置电压是由设备的不匹配引起的,它导致
为偶次谐波失真。偏移电压可
修剪出由供给内的电流源
"25
mA
进入THD微调引脚。
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4
SA572
残留畸变是三阶谐波失真和
由增益控制波动引起的。在扩系统,
的快速攻击和缓慢复苏完善可用的控制
纹波失真显著。在单位增益水平
为100mV ,增益单元给出THD(总谐波
失真0.17 %典型值) 。输出噪声,无输入信号
只有6.0
mV
在音频频谱(10赫兹-20千赫) 。该
输出电流I
O
必须养活一个虚拟地输入
运算放大器,从输出的电阻以
反相输入端。操作的非反相输入
放大器具有在V上偏置
REF
当输出电流I
O
是直流耦合的。
V+
1
1
I
)
I
2
G
2
O
I
1
140mA
I
O
A1
+
Q
4
Q
3
Q
1
Q
2
R
1
6.8kW
I
G
THD
TRIM
V
REF
V
IN
I
2
280mA
图3.基本增益单元示意图
整流器器
V+
I
+
V在
*
V REF
R2
整流器是全波的设计,如图4 。
的输入电压转换为电流,通过将输入
电阻R
2
并接通或者Q
5
或Q
6
信号的极性。电压到电流的死区
转换器减小由增益块A的环路增益
2
.
如果使用AC耦合,整流误差仅由附带
增益模块A的输入偏置电流
2
。输入偏置电流
通常是大约70 nA的。增益的频率响应
A座
2
也以高频率引起的二阶误差。
Q的集电极电流
6
镜像并总结出在
Q的集电极
5
以形成全波整流输出
电流I
R
。整流器传递函数为:
I
R
+
V
IN
*
V
REF
R
2
(当量3)
R
V
REF
+
A2
Q
5
D
7
Q
6
R
2
V
IN
如果V
IN
被交流耦合时,方程将减少
要:
I
RAC
+
V
IN
( AVG)
R
2
内部偏置方案限制了最大的输出
电流I
R
要围绕300
毫安。
"1.0
DB错误
波段整流器的输入范围是约52分贝。
图4.简化整流器原理图
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SA572DR2G
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    -
    -
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    终端采购配单精选

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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
SA572DR2G
ON/安森美
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正规报关原装现货系列订货技术支持
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联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SA572DR2G
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10000
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地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
SA572DR2G
ON
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13728
SOIC-16
全新原装正品现货
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电话:0755-83242658
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地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
SA572DR2G
ON
24+
25
SOP
100%原装正品,只做原装正品
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
SA572DR2G
ON
22+
5000
SOP-16
13528893675¥/片,大量原装库存长期供应欢迎实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ:2942939487 复制

电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
SA572DR2G
ON
21+
27
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只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
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联系人:朱先生
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SA572DR2G
ON Semiconductor
20+
12000
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
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SA572DR2G
ON/安森美
17+
2999
NA
全新原装15818663367
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