表面贴装SOIC
电阻网络
SOIC系列
测试COTS应用
可用窄体和宽体版本
标准的JEDEC 8 ， 14 ，16和20引脚封装
超稳定TaNSil
在硅衬底上的电阻
提供标准的锡/铅和无铅端接
韦林组件
IRC的TaNSil
SOIC电阻网络是高VOL-的完美解决方案
UME应用程序需要一个小电路板占位面积。该.050 “引
间隔提供更高铅的密度，增加了元件的数量，降低电阻的成本和较高的可靠性。
硅氮化钽液膜系统提供了精密公差，特殊的TCR跟踪，成本低
和微型封装。在恶劣，潮湿的环境中出色的表现是IRC的自我pas-的商标。
sivating TaNSil
电阻器网络流明。
采用SOIC系列非常适合于最新的表面贴装技术和每根引线可以是
100 ％目视检查。柔顺鸥翼形引线缓解热膨胀和收缩应力
通过焊接和温度漂移产生。
对于需要高性能电阻网络的低成本应用，表面贴装封装，指定
IRC SOIC电阻网络。
电气数据
电阻范围
绝对容差
率误差为R1
绝对TCR
TCR跟踪
元额定功率@ 70℃
隔离原理
总线式原理图
额定功率@ 70C
SOIC -N包
额定功率@ 70C
SOIC -W套餐
额定工作电压
________________
（不超过
√
功率x电阻）
工作温度
噪音
一般注意事项
环境数据
10
-
250KW
到± 0.1％的
到± 0.05％
为± 25ppm的/°C的
到时±5ppm /°C的
100mW
50mW
8-Pin
14-Pin
16-Pin
16-Pin
20-Pin
400mW
700mW
800mW
1.2W
1.5W
测试每
MIL-PRF-83401
热冲击
动力
空调
高温
曝光
短时
超载
低温
存储
生活
典型
R的增量
±0.02%
±0.03%
±0.03%
±0.02%
±0.03%
±0.05%
最大
R的增量
±0.1%
±0.1%
±0.05%
±0.05%
±0.05%
±0.1%
100伏
-55 ° C至± 125°C
<-30dB
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所有信息随时可能韦林自己的数据，被认为是准确的，在付印时间。
韦林组件有限公司
贝灵顿，诺森伯兰NE22 7AA ， UK
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2006年SOIC系列发行六月
表面贴装SOIC
电阻网络
制造能力数据
韦林组件
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2006年SOIC系列发行六月
表面贴装SOIC
电阻网络
物理和逻辑示意图数据（毫米）
N
韦林组件
N
N
R1
R1
1
2
3
1
2
3
B
N
原理图
隔离
E
R1
R1
示意图B
乘坐大巴
N
N
N
注意：销N =数（8 ，14，16 ）
R1
R1
1
2
3
1
2
3
1.27 （典型值）
L
原理图
隔离
1
2
3
1
2
3
1
2
3
原理图
隔离
注意：销N =数（8 ，14，16 ）
示意图B
乘坐大巴
注意：销N =数（8 ，14，16 ）
SOIC -N
示意图B
乘坐大巴
H
SOIC -W
16-Pin
16-Pin
20-Pin
0.41 ± 0.08
0.18 ± 0.08
L
E
8-Pin
14-Pin
4.9
±
0.1
8.66
±
0.1
6.0
±
0.2
3.9
±
0.1
1.5
±
0.2
9.91
±
0.1
10.21
±
0.1
12.75
±
0.1
10.3
±
0.3
7.5
±
0.1
2.5
±
0.15
注：所有dimesions不包括塑模毛边和
最终闪光不得超过0.15元的一面。
B
H
功率降额数据
100
订货数据
SS8
风格
A
-
01
-
10K - F
B
SS4 = 8引脚SOIC -N
SS7 = 14引脚SOIC -N
SS8 = 16引脚SOIC -N
SL8 = 16引脚SOIC -W
SL0 = 20引脚SOIC -W
％额定功率
概要
50
A =隔离网
B =总线型网络
绝对TCR码
00 = ± 250ppm的/ ℃; 01 = ± 100ppm的/°C的
02 =为±50ppm / ℃; 03 = ± 25ppm的/°C的
10
25°
70°
125°
阻力码
4位阻代码
例如： 1002 = 10KW ， 50R1 = 50.1W
在° C温度
如需更多信息或讨论您的具体要求，请联系我们
使用下面的联系方式，应用团队。
绝对公差代号
J = ± 5 ％ ; G = ± 2 ％ ; F = ± 1 ％ ; D = ±0.5 ％
C = ±0.25 ％ ; B = ± 0.1％
任意的比例公差代号
G = ± 2 ％ ; F = ± 1 ％ ; D = ±0.5 ％ ;
C = ±0.25 ％ ; B = ± 0.1％ ; A = ± 0.05 ％
包装
指定管或磁带&卷轴。
完
空白=铅 - 免费
PB =锡铅
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2006年SOIC系列发行六月
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