SN75423 ， SN75424
高电压大电流
达林顿晶体管阵列
SLDS115 - 1998年2月
D
D
D
D
D
D
D
500 - mA额定集电极电流（单
输出）
高压输出。 。 。 100 V
输出钳位二极管
输入的兼容的各种型号
逻辑
继电器驱动器的应用
兼容ULN2800A系列
塑料包装（N ）下降
N包装
（ TOP VIEW ）
描述
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
8B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
8C
COM
该SN75423 SN75424和是单片高电压，大电流达林顿晶体管阵列。每
由八个NPN达林顿对，配有高电压输出共阴极钳位二极管
切换感性负载。各复合晶体管对的集电极电流额定值为500毫安。达林顿对
可并联以更高的电流能力。应用范围包括继电器驱动器，锤驱动器，灯驱动器，
显示驱动器（ LED和气体放电） ，线路驱动器和逻辑缓冲器。
该SN75423对每个达林顿对操作直接与TTL或5 -V 2700 - Ω串联电阻基地
CMOS 。该SN75424有10.5 kΩ串联电阻的基础，使操作直接与CMOS或PMOS的
使用6电源电压为15 V.
的SN75423和SN75424是从0设计为操作
_
C至85
_
C.
逻辑符号
钳
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
8B
1
2
3
4
5
6
7
8
10
18
17
16
15
14
13
12
11
COM
逻辑图（正逻辑）
1
18
1B
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
8C
5B
4B
3B
2B
1C
2
17
2C
3
16
3C
4
15
4C
5
14
这个符号是按照ANSI / IEEE
标准91-1984和IEC出版617-12 。
5C
6B
6
13
6C
7B
7
12
7C
8B
GND
8
9
11
10
8C
COM
E
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN75423 ， SN75424
高电压大电流
达林顿晶体管阵列
SLDS115 - 1998年2月
原理图（每个达林顿对）
COM
RB
B
SN75423 ： RB = 2.7千欧
SN75424 ： RB = 10.5 kΩ的
7.2 k
3 k
E
C
七其他
达林顿晶体管
对
所有显示的电阻值是有名无实。
绝对最大额定值在25℃自由空气的温度（除非另有说明）
集电极 - 发射极电压，V
CE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 V
输入电压V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
连续集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
输出钳位二极管电流I
OK
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
总基板端的电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 2.5 A
连续总功耗等于或低于25℃的自由空气的温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1150毫瓦
工作的自由空气的温度范围内，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
注1 ：所有的电压值是相对于所述发射器/基片，端子9 。
2
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SN75423 ， SN75424
高电压大电流
达林顿晶体管阵列
SLDS115 - 1998年2月
参数测量信息
输入
开放
VS = 50 V
RL = 163
脉冲
发电机
（见注一）
产量
CL = 15 pF的
（见注B）
测试电路
≤
5纳秒
输入
10%
的TPH1
产量
90%
50%
0.5
s
90%
50%
10%
TPLH
VOH
50%
50%
VOL
注：A脉冲发生器具有以下特点： PRR = 12.5千赫，Z0 = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
C.为了测试SN75423 ， VIH = 3V ;为SN75424 ， VIH = 8 V.
≤
10纳秒
VIH
（见注C）
0V
图9.传播延时测试电路和电压波形
VS
输入
2毫亨
200
脉冲
发电机
（见注一）
产量
CL = 15 pF的
（见注B）
测试电路
≤
5纳秒
≤
10纳秒
90%
1.5 V
10%
40
s
VIH
（见注C）
0V
VOH
输入
10%
90%
1.5 V
产量
VOL
注：A脉冲发生器具有以下特点： PRR = 12.5千赫，Z0 = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
C.为了测试SN75423 ， VIH = 3V ;为SN75424 ， VIH = 8 V.
图10.闩锁测试电路和电压波形
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