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SB320 - SB360
3.0A肖特基整流器
特点
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
浪涌过载额定值为80A峰值
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注1 ）
IEC 61000-4-2 （ ESD - 150pF的/ 330Ω ）
联系我们 -
±15kV
机械数据
案例： DO- 201AD
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 天。每MIL -STD- 202，方法
208
极性：负极频带
标记：型号数量
重量： 1.1克（近似值）
超前信息
订购信息
（注2 ）
设备
SB320-B
SB320-T
SB330-B
SB330-T
SB340-B
SB340-T
SB350-B
SB350-T
SB360-B
SB360-T
包装
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
航运
500/Bulk
1200年至1213年“双面胶&卷轴
500/Bulk
1200年至1213年“双面胶&卷轴
500/Bulk
1200年至1213年“双面胶&卷轴
500/Bulk
1200年至1213年“双面胶&卷轴
500/Bulk
1200年至1213年“双面胶&卷轴
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC （注4 ）
RMS反向电压
平均整流输出电流（注3 ） （见图1 ）
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
SB320
20
14
SB330
30
21
SB340
40
28
3.0
80
SB350
50
35
SB360
60
42
单位
V
V
A
A
热特性
特征
典型热阻（注5 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
T
英镑
SB320
SB330
SB340
30
10
-65到+150
SB350
SB360
单位
° C / W
°C
°C
-65到+125
-65到+150
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC （注4 ）
注意事项：
@ I
F
= 3.0A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
符号
V
FM
I
RM
SB320
SB330
0.50
SB340
0.5
SB350
0.74
SB360
单位
V
mA
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请，看欧盟指令2002/ 95 / EC附件说明
2.对于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com 。
3.测量在环境温度下，在从壳体的距离9.5毫米。
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
从结点5热电阻引领垂直PCB安装， 0.500" （ 12.7毫米）引线长度有2.5× 2.5" （ 63.5 X 63.5毫米）铜垫。
SB320 - SB360
文件编号： DS23023牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
SB320 - SB360
3.0
10
I
F
，正向电流（A）
I
O,
平均正向电流（ A）
2.5
2.0
超前信息
1.5
1.0
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
T
L
，焊接温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
80
8.3ms单半正弦波
T
j
= T
J（下最大）
1000
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
V
SIG
= 50米Vp-p的
48
C
T
，总电容（PF ）
64
100
32
16
SB320 - SB340
SB350 & SB360
0
1
10
100
10
0.1
1
10
100
I
R
，瞬时反向电流（mA）
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
10
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型的总电容
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向百分比（％ ）
图。 5典型的反向特性
SB320 - SB360
文件编号： DS23023牧师9 - 2
2 3
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2010年11月
Diodes公司
SB320 - SB360
包装外形尺寸
超前信息
暗淡
A
B
C
D
DO-201AD
民
25.40
7.20
1.20
4.80
尺寸：mm
最大
9.50
1.30
5.30
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包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
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恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
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商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
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网站上，反对一切损害无害。
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举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2010 ， Diodes公司
www.diodes.com
SB320 - SB360
文件编号： DS23023牧师9 - 2
3 3
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
SB320系列
肖特基势垒整流器器
20至60伏
电压
当前
特点
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧塑封料
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
适用于低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用
0.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
3.0安培
塑料包装有保险商实验室
0.052(1.3)
0.048(1.2)
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： DO - 201AD模压塑料
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量： 0.0395盎司， 1.122克
1.0(25.4)MIN.
0.285(7.2)
终端：轴向引线，每MIL -STD- 750 ，方法2026
0.210(5.3)
0.188(4.8)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
PA RA M E TE
马曦妈妈再 urre NT P EAK回复已经RS电子武LTA GE
米喜米庵RM S武℃的克é
米喜米嗯D C B罗 K I NG武℃的克é
米喜米庵一个已经风靡F RWA RD回复ctified C-UR重新新台币。 3 7 5 " （ 9 5 M M ）乐A D
LE NG TH
P·E A K F RWA RD S URG式C urre NT ： 8 。 3米S S小我，吴乐哈哈LF的I NE -Wa已经
s上行ê里mposedon RA TE LO广告（ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F RWA RD武为lt ageat 3 0.0 A（无德3 ）
马曦妈妈DC已经重新RS式C urre NT在镭德 DCB罗CKI NG
武℃的克é
典型的iCal的RM人再SIS TA NC E（无德2 ）
（ NO T E 1 ）
（ NO T E 1 ）
欧普erati吴 UNC TIONA次S到岭GEテラMPE TURE吴镭ê
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ A V ）
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
A
R
θJ
C
R
θJ
L
T
J
, T
s TG
SB320
20
14
20
SB330
30
21
30
SB340
40
28
40
3 .0
80
SB350
50
35
50
SB360
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
0 .5
0 .2
30
50
12
15
-5 5 + 1 2 5
0 .7 5
0.1
30
O
V
mA
C / W
-5 5 + 1 5 0
O
C
注意事项：
1.测得的环境温度，从所述壳体的距离9.5毫米
2.最小焊盘面积
3.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
一月7,2011 - REV.04
PAGE 。 1
SB320系列
额定值和特性曲线
10
正向平均整流
安培电流
5.0
20-30V
40-60V
瞬时反向电流，毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0
T
J
= 1 C
00
O
0.1
T
J
= 7 C
5
O
0.01
T
J
= 2 C
5
O
V
RRM
=20-40V
V
RRM
=50-60V
焊接温度，
O
C
.001
0
20
40
60
80
100
百分之瞬时反向电压（ ％ ）
FIG.1-正向电流降额曲线
FIG.2-典型的反向特性
50
瞬时正向电流，
安培
T
J
= 25
O
C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -P
90
峰值正向浪涌电流，
安培
10
20-40V
80
70
60
50
40
30
20
10
1
2
5
10
20
50
100
1.0
50-60V
0.1
0
.2
.4
.6
.8
NO 。周期在60Hz
正向电压，伏
FIG.3-典型正向
特征
Fig.4-最大 - 非重复浪涌电流
一月7,2011 - REV.04
PAGE 。 2
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AN-8024
采用飞兆功率开关（ FPS
TM
） FSBH -系列
待机辅助电源
1.引言
高度集成的FSBH系列包括一个集成的
电流模式脉冲宽度调制器（PWM）和一个
抗雪崩700V SenseFET的。它是专门
专为高性能离线开关模式电源
电源（SMPS ）使用最少的外部元件。
集成PWM控制器功能包括
专有的绿色模式功能，提供关断时间
调制到线性减小，开关频率在
轻载条件下，尽量减少待机功耗
消费。 PWM控制器采用制造
BiCMOS工艺，以进一步降低功耗。
具有低操作绿色和脉冲模式的功能
电流（ 2.5毫安在绿色模式下），以最大限度地提高轻负载
效率，使得电源能够满足严格的
待机功耗规范。
该FSBH系列内置了同步斜坡
补偿，以实现稳定的峰值电流模式控制。
专有的外部线路补偿，确保恒定的
输出功率限制在一个很宽的AC输入电压范围内，从
90V
AC
以264V
AC
并有助于优化功率级。
许多保护功能，如开环/过载
保护（ OLP ） ，过压保护（ OVP ） ，欠压
保护和过温保护（OTP ） ;完全
集成到FSBH系列，从而提高了开关电源
可靠性，而不增加系统的成本。
本应用笔记介绍的设计考虑申请
FSBH系列与单备用辅助电源
输出。它涵盖了设计变压器，选择
组件，反馈回路设计，设计技巧，
最大限度地提高效率。对于多路输出的应用程序，请参阅
飞兆半导体应用笔记AN- 4137 。
图1.典型应用电路
2009仙童半导体公司
修订版1.0.1 09年9月18日
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1
AN-8024
应用说明
2.设计注意事项
反激转换器具有两种操作模式;
连续导通模式（ CCM ）和不连续
传导模式（DCM ） 。 CCM和DCM每个人都有
优点和缺点。在一般情况下， DCM提供
更好的开关的整流二极管的条件下，由于
二极管是刚刚开始工作之前，在零电流
反向偏置和反向恢复损耗被最小化。
变压器尺寸可以使用DCM ，因为可以减少
CCM相比，平均能量存储容量很小。不过，
DCM本身导致的高RMS电流，从而增加
导通损耗MOSFET的严重的低线
条件。因此，特别适用于备用辅助电源
电源应用中的低输出电压，其中肖特基
没有反向恢复的二极管都可以使用;典型的是
设计使得该转换器工作在转换器
CCM以最大限度地提高效率。
在本节中，一个设计方法，用图介绍
1作为参考。离线SMPS用20W / 5V标称
输出功率已经被选择作为设计示例。
[ STEP- 1 ]定义的系统规格
[步骤2 ]确定输入电容（C
IN
）及
输入电压范围
这是典型的选择输入电容为2 每瓦3μF
通用输入范围的峰值输入功率（ 85-265V
AC
）和
每峰值输入功率瓦1μF欧洲输入范围
(195V-265V
AC
） 。与输入电容选择，则
在额定负载条件下最低输入电压的电容器
被获得为：
V
在MIN
=
2
(
V
LINE MIN
)
2
P
IN
(1
D
CH
)
C
IN
f
L
(2)
哪里
D
CH
在输入电容充电占空比定义
如示于图2，它通常为约0.2 。
最大输入电容器的电压被给定为：
V
在MAX
=
2
V
LINE MAX
(3)
当设计与峰值负载电流电源
信息，以下规格应该确定：
`电源电压范围（V
LINEmin
和
V
LINEmax
)
`线频率（f
L
)
`额定输出功率（P
O
)
`估计效率为额定负载（
η
） ：电源
转换效率必须估计来计算
输入功率为额定负载条件。如果没有参考
数据是可用的，集
η
= 0.7 0.75的低电压
输出的应用程序和
η
= 0.8 0.85的高电压
输出的应用。
与所估计的效率，输入功率为峰
负载条件由下式给出：
（设计范例）
通过选择100μF电容
图2.输入电容电压波形
输入电容的最小输入电压为
额定负载被获得为：
V
在MIN
=
2
(
V
LINE MIN
)
2
=
2
(90)
2
P
IN
(1
D
CH
)
C
IN
f
L
26
(1
0.2)
=
113
V
100
×
10
6
60
P
IN
=
P
O
η
(1)
最大输入电压被获得为：
V
在MAX
=
2
V
LINE MAX
=
2
264
=
373
V
[步骤3 ]确定反射输出电压（V
RO
)
（设计范例）
目标的规格
系统主要有：
V
LINEmin
=90V
AC
和
V
LINEmax
=264VAC
行频
f
L
= 60Hz的（ 90V
AC
）和50赫兹
(264V
AC
)
额定输出功率
P
O
= 20W （ 5V / 4A ）
预计效益：
η
= 0.77
P
20
P
IN
=
O
=
=
26
W
η
0.77
当MOSFET截止时，所述输入电压（V
IN
),
连同输出电压反射到初级
(V
RO
） ，被施加的MOSFET两端，如图0 。
与给定的
V
RO
中，最大占空比（D
最大
），以及
最大额定MOSFET电压（V
dsnom
） ，得到
如：
D
最大
=
V
RO
V
RO
+
V
在MIN
(4)
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2
AN-8024
应用说明
V
DS NOM
=
V
在MAX
+
V
RO
V
DO
喃
(5)
(6)
V
在MAX
(
V
O
+
V
F
)
=
+
V
O
V
RO
表1.二极管正向压降的不同
额定电压（ 3A肖特基二极管）
部件名称
SB320
SB330
SB340
SB350
SB360
SB380
SB3100
V
RRM
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
0.5V
0.74V
0.85V
V
F
（设计范例）
如可从表1中可以看出，有必要
使用具有40V的额定电压整流二极管以最大化
效率。假设MOSFET的额定电压
和二极管均小于68 ％的额定电压，则
反射的输出电压由下式给出：
V
最大
(
V
O
+
V
F
)
V
DO NOM
=
IN
+
V
O
V
RO
373
(5
+
0.5)
+
5
＆ LT ;
0.68
40
=
27.2
V
RO
373
(5
+
0.5)
V
RO
＆ GT ;
=
92.4
V
22.2
V
DS NOM
=
V
在MAX
+
V
RO
＆ LT ;
0.68
700
=
476
V
RO
＆ LT ;
476
373
＆ LT ;
103
V
=
通过确定
V
RO
为100V ，
D
最大
=
V
RO
V
RO
100
=
=
0.47
民
100
+
113
+
V
IN
图3.输出电压反射到主
V
DS NOM
=
V
在MAX
+
V
RO
=
373
+
100
=
473
V
V
DO NOM
=
=
V
在MAX
(
V
O
+
V
F
)
+
V
O
V
RO
373
(5
+
0.5)
+
5
=
25.5
V
100
如在等式（5） ，电压应力跨越可见
MOSFET能够通过减少减少
V
RO
。然而，这
增加的电压应力的整流二极管中的
次级侧，如公式（6） 。因此，
V
RO
应的电压之间的折衷来确定
MOSFET和二极管的应力。特别是对于低输出
施加电压，整流二极管正向压降
是一个主要因素确定所述电源
效率。因此，被反射的输出电压应
这样确定的，整流二极管的正向电压可以是
最小化。表1示出了正向电压下降为
肖特基二极管具有不同电压额定值。
因为实际的漏极电压和二极管的电压上升
以上是由于漏电感中的标称电压
变压器，如图0时，它典型地，设置
V
RO
这样
那
V
dsnom
和
V
DONOM
的额定电压的60 70％的
MOSFET和二极管上。
[步骤4 ]确定变压器原边
电感（L
M
)
在变压器初级侧的电感被确定为
最小输入电压和额定负载条件。
与
D
最大
从步骤3中，在一次侧的电感（L
M
)
变压器被获得为：
(
V
在MIN
D
最大
)
2
L
M
=
2
P
IN
f
SW
K
RF
(7)
哪里
f
SW
是开关频率和
K
RF
是纹波
在最小输入电压和额定负载条件因素，
定义为图4所示的波动率，为密切
与变压器的尺寸和的RMS值相关的
MOSFET的电流。即使在导通损耗
MOSFET能够通过减小纹波系数被减小，也
一个小的纹波系数强制增加
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应用说明
变压器尺寸。从实际角度来看，这是
合理设置
K
RF
= 0.3 0.6的通用输入范围
和
K
RF
= 0.4 0.8为欧洲的输入范围。
一旦
L
M
通过确定计算
K
RF
从式（7） ，
在MOSFET的峰值电流和RMS电流
最小输入电压和额定负载条件下都
得到：
表2中。
FSBH系列的产品阵容额定功率
产品
FSBH0F70
FSBH0170
FSBH0270
FSBH0370
I
LIM
0.73A
0.80A
1.00A
1.20A
最大输出功率
通用输入范围和
开放式框架
8W
13W
16W
19W
I
DS
PK
=
I
EDC
+
Δ
I
2
(8)
(9)
(10)
(11)
Δ
I
D
I
DS RMS
=
3(
I
EDC
)
2
+
( )
2
最大
2
3
P
IN
哪里
I
EDC
=
民
V
IN
D
最大
和
（设计范例）
FSBH0370被选中。
[步骤6 ]确定最小初级匝数
V
在MIN
D
最大
Δ
I
=
L
M
f
SW
K
RF
=
Δ
I
2
I
EDC
与给定的芯，匝数为最小数量的
变压器的初级侧，以避免铁芯的饱和度由下式给出：
N
P
民
=
L
M
I
LIM
×
10
6
B
SAT
A
e
(12)
哪里
A
e
是在毫米的芯部的横截面面积
2
,
I
LIM
是脉冲由脉冲电流限制电平，和
B
SAT
为
饱和磁通密度的特斯拉。
脉冲由脉冲电流限制电平被包括在
等式（12） ，因为电感器电流达到
在负载瞬变期间脉冲通过脉冲电流限制水平或
过载状态。
错误！未找到引用源。
示出了从TDK铁氧体磁芯的典型特征
（ PC40 ） 。由于饱和磁通密度（B
SAT
）随
温度升高时，所述高温
特性应予以考虑。如果没有参考
数据的使用，
B
最大
=0.3 T.
Δ
I
I
D
S
PK
图4. MOSFET电流和纹波系数（K
RF
)
（设计范例）
确定纹波系数为0.6 ：
(
V
在MIN
D
最大
)
2
(113
0.47)
2
L
M
=
=
2
P
IN
f
SW
K
RF
2
26
100
×
10
3
0.6
=
900
μ
H
I
EDC
=
P
IN
26
=
=
0.49
A
民
V
IN
D
最大
113
0.47
V
在MIN
D
最大
113
0.47
Δ
I
=
=
=
0.59
A
L
M
f
SW
900
×
10
6
100
×
10
3
I
DS
PK
=
I
EDC
+
Δ
I
=
0.49
+
0.295
=
0.78
A
2
Δ
I
D
I
DS RMS
=
3(
I
EDC
)
2
+
( )
2
最大
2
3
0.47
=
3(0.49)
2
+
(0.295)
2
3
=
0.36
A
[步骤5 ]选择合适的FPS ，考虑到输入
功率和峰值漏极电流
随着所产生的最大峰值漏极电流
MOSFET （我
DSPK
）从方程（8）中，选择适当的FPS
的量，脉冲由脉冲电流限制电平（我
LIM
）是
高于
I
DSPK
。由于FPS为± 10 ％容差
I
LIM
,
选择合适的FPS时应该有一定的余量
装置。该FSBH系列阵容的额定功率是
总结在表2中。
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铁氧体磁芯图5.典型BH特性
(TDK/PC40)
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应用说明
（设计范例）
EEL- 19芯被选择时，其
（设计范例）
假设二极管的正向
有效截面积为25mm 。选择
饱和磁通密度为0.3 T时，最小数
匝的初级侧被获得为：
L
I
N
P
民
=
M LIM
×
10
6
B
SAT
A
e
2
900
×
10
6
1.2
=
×
10
6
=
144
0.3
25
[步骤7 ] ，确定匝数对于每个数
曲折
压降为0.5V ，匝数比被获得为：
V
RO
100
N
n
=
P
=
=
=
18.18
N
S
V
O
+
V
F
5
+
0.5
然后，确定适当的整数
N
S
,
使得
RESULTING
N
P
大于
N
PMIN
如：
N
S
=
8,
N
P
=
n
N
S
=
146
＆ GT ;
N
P
民
环境
V
DD
*
如15V，匝数为数量
辅助绕组被获得为：
V
*
+
V
FA
15
+
1.2
N
S
=
8
=
24
N
A
=
DD
5
+
0.5
V
O
+
V
F
[ STEP- 8]确定线径每个绕组
基于绕组的RMS电流
图6示出了变压器的简化图。
首先，计算出的初级侧之间的匝数比（n）的
并从反射的输出电压的次级侧，
在步骤3中确定的，如：
n
=
V
RO
N
P
=
N
S
V
O
+
V
F
(13)
最大RMS电流在次级绕组的是
得到：
哪里
N
P
和
N
S
是匝数为初级侧的数
和次级侧分别;
V
O
为输出电压;
和
V
F
是二极管（D
O
）正向压降。然后，
确定正确的整数
N
S
,
使得所得
N
P
大于
N
PMIN
从等式（ 12）中得到。
匝数为辅助绕组的数目
V
DD
供应被确定为：
I
SEC RMS
=
n
I
DS RMS
1
D
最大
D
最大
(15)
哪里
V
DD*
为电源电压的标称值和
V
FA
是的正向压降
D
DD
如在图6中所定义。
自
V
DD
增加作为输出负载的增加，它是正确的
设置
V
DD
比V在3 5V高
DD
UVLO水平（ 8V ）至
避开用电高峰期间的过电压保护的条件
负荷运转。
V
DD
*
+
V
FA
N
A
=
N
S
1
V
O
+
V
F
(14
)
电流密度一般是3 5A / mm的
2
当线是
长（ >1米） 。当线是短的小数目的
接通， 5 10A / mm的电流密度
2
也是可以接受的。
避免使用金属丝，其直径大于1mm ，以避免
剧烈涡流损失以及使卷绕变得更加容易。
对于大电流输出时，它最好是使用平行绕组
用更细的导线的多股线，以减少皮肤的效果。
（设计范例）
当前的主侧的有效值
从第4步为0.36A ，得到卷绕。有效值
次级侧的电流绕组被计算为：
I
SEC RMS
=
n
I
DS RMS
=
18.18
0.36
1
D
最大
D
最大
1
0.47
=
6.9
A
0.47
0.3毫米（ 5A /毫米
2
）和0.65毫米×2 （10A /毫米
2
）直径
导线被选择用于初级和次级绕组，
分别。
[步骤9 ]选择整流二极管的二次
方基于电压和电流额定值
最高反向电压和电流的有效值
整流二极管获得为：
V
DO
V
在MAX
=
V
O
+
n
(16)
I
DO RMS
=
n
I
DS RMS
图6.简化变压器图
1
D
最大
D
最大
(17)
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采用飞兆功率开关（ FPS ） FSL1x7到
的低电源
1.引言
高度集成的FSL系列包括一个集成的
电流型脉冲宽度调制器（PWM）和一个
抗雪崩700V SenseFET的。它是专门
设计用于交换的高性能离线模式
电源供应器（ SMPS）使用最少的外部元件。
集成PWM控制器的功能包括
专有的绿色模式功能，提供关断时间
调制到线性减小，开关频率在
轻载条件下，尽量减少待机功耗
消费。 PWM控制器采用制造
BiCMOS工艺，以进一步降低功耗。
绿色模式和突发模式功能，具有低
工作电流（ 2毫安在绿色模式下），最大限度地提高轻负载
效率，使得电源能够满足严格的
待机功耗规范。
该FSL系列有一个内置的同步斜坡
补偿，以实现稳定的峰值电流模式控制。
专有的外部线路补偿，确保恒定的
输出功率限制在一个很宽的AC输入电压范围内，
90V
AC
以264V
AC
，并有助于优化功率级。
许多保护功能;如开环/过载
保护（OLP） ，过电压保护（OVP） ，和过
温度保护（ OTP ） ;完全集成到FSL-
系列。这些功能没有改善开关电源的可靠性
增加了系统成本。
相比分立式MOSFET和控制器或RCC
开关转换器解决方案， FSL系列降低总
元件数，转换器的尺寸和重量，同时
提高效率，生产率和系统的可靠性。
这些器件提供了一个基本的平台，成本的设计
有效的反激式转换器。
图1.典型应用电路
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2.设备块描述
2.1启动电路
对于启动时，高压端子连接到线路输入或散装
通过外部电阻R电容
HV
，如图
2.典型的启动电流是3.5毫安它充电V
DD
电容（C
DD
）通过电阻R
HV
。启动电流
关闭在V时
DD
电容器电压达到V
DD -ON
.
在V
DD
电容保持V
DD
直到辅助
绕组变压器提供工作电流。
2.3绿色模式操作
该FSL系列采用反馈电压（V
FB
）作为指示
输出负载的并调制PWM频率，如
如图4所示，使得开关频率
随负载减小。在重负载条件下，该
开关频率为100kHz 。一旦V
FB
下面减小
V
FB -N
（ 2.5V ） ， PWM频率开始直线下降
从100kHz至18KHZ ，以降低开关损耗。如
V
FB
下降低于V
FB -G
（ 2.4V ）时，开关频率
固定为18KHZ和FSL系列进入“深”绿色模式
降低待机功耗。由于V
FB
降低
低于V
FB- ZDC
（ 2.1V ） ， FSL系列进入突发模式
操作。当V
FB
低于V
FB- ZDC
， FSL系列站
切换和输出电压开始下降，这
使反馈电压上升。一旦V
FB
上述上升
V
FB- ZDC
，开关恢复。突发模式交替启用
和禁用开关，从而减少了开关损耗，以
提高功率节省，因为如图5所示。
图2.启动电路
2.2软启动
该FSL系列具有内部软启动电路，慢慢
增加值SenseFET的电流在启动过程中。典型的
软启动时间为5ms，在此期间，在V
极限
水平
六步顺利建立所需增加
输出电压，如图3所示。它也有助于防止
变压器饱和，并减少对二次应力
在启动过程中的二极管。
图4. PWM频率
图3.软启动功能
图5.胸围模式操作
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2.4恒功率控制
不断地限制了变换器的输出功率，高/
低线补偿包括在内。感应器
通过VIN引脚，高/低线路输入电压
补偿功能产生一个线电压依赖性
峰值电流限制门限电压为恒功率
控制中，如图6所示。
2.5.3过载保护（ OLP ）
当分压器的分流上支
调节器（示KA431 ）是开路，如图
图7中，或过电流或短路时的输出;有
没有电流流过光电耦合器晶体管。 V
FB
（反馈电压）拉至6V 。当反馈
电压高于4.6V比56MS更长， OLP是
触发。这种保护也触发了开关电源时，
输出低于标称值大于由于56MS
到过载状态。
图6.恒功率控制
2.5保护功能
该FSL系列提供了全面的保护功能，以防止
电源和被损坏的负荷。该
保护特性示于表1中。
表1中。
保护功能
FSL127H
OVP
OTP
OLP
VIN -H
VIN -L
LATCH
LATCH
自动重启
LATCH
自动重启
FSL137H
LATCH
LATCH
自动重启
LATCH
自动重启
图7. OLP操作
2.5.1 V
DD
过电压保护（ OVP ）
V
DD
过电压保护器可防止因损坏IC
过电压在V
DD
引脚。该OVP被触发时，
V
DD
达到28V 。它具有去抖时间（通常为130μs ）到
防止误触发了开关噪声。
2.5.2过温保护（ OTP ）
该值SenseFET和控制IC集成化妆
温度检测值SenseFET容易。当
结温度超过约142℃ ，热
关闭被激活。
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3.设计实例
反激转换器具有两种操作模式;
连续导通模式（ CCM ）和不连续
传导模式（DCM ） 。每个人都有自己的优点和
缺点。在一般情况下， DCM中生成用于低应力
整流二极管，由于二极管工作在零
电流成为反向偏置和反向之前
恢复损耗被最小化。变压器尺寸可
用DCM中，因为平均能量存储是减小
比较低的CCM 。然而， DCM会导致高RMS
当前，这严重增加了导通损耗
MOSFET的低线的条件。备用辅助
电源应用具有低输出电压和
肖特基二极管的最小反向恢复，这是典型的，以
设计使得该转换器工作在转换器
CCM以最大限度地提高效率。
本节介绍使用图1设计过程
原理图作为参考。离线SMPS与12W
标称输出功率已经被选择作为示例。
[ STEP- 1 ]定义的系统规格
[步骤2 ]确定输入电容（C
IN
）和输入
电压范围
每瓦这是典型的选择输入电容为2 3μF
峰值输入功率为通用输入范围（ 85
265V
RMS
）和每个峰值输入功率为瓦1μF
欧洲输入范围（ 195V -265V
RMS
） 。与输入
电容选择，在最小输入电容电压
额定负载条件被获得为：
2·
· 1
·
(2)
其中D
CH
在输入电容充电占空比定义
在图8中，其通常为约0.2 。
最大输入电容器的电压被给定为：
√2
(3)
当设计一个电源，
规格应首先确定：
线路电压范围（V
线频率（f
L
)
额定输出功率（P
O
)
和
V
该
)
以下
图8.输入电容电压波形
（设计范例）
通过选用20μF输入
估计效率为额定负载（
η
).
功率转换效率，必须估计到
计算的输入功率为额定负载条件。如果
没有可参考的数据是可用的，集
η
= 0.7 0.75的低
电压输出的应用程序和
η
= 0.8 0.85的高
电压输出的应用。
与所估计的效率，输入功率为峰
负载条件由下式给出：
电容器，最小输入电压为额定负载
被获得为：
2·
· 1
·
15 · 1
20 · 10
0.2
· 60
2 · 90
79
η
（设计范例）
目标的规格
(1)
最大输入电压被获得为：
√2 ·
√2 · 264
373
系统主要有：
90V
V
264V
V
线频率（f ） = 60Hz的
额定输出功率（ P） = 12W （ 12V / 1A ）
估计的效率（η） = 0.8
[步骤3 ]确定反射输出电压（V
RO
)
η
12
0.8
15
当MOSFET截止时，所述输入电压（V
IN
),
连同输出电压反射到初级
(V
RO
） ，被施加的MOSFET两端，如图
9，对于给定的V
RO
中，最大占空比（D
最大
）和
标称MOSFET电压（V
dsnom
）表示的化合物作为：
(4)
(5)
·
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（设计范例）
如可从表2中可以看出，它是
推荐使用整流二极管电压100V
评级最大限度地提高效率。假设
MOSFET和二极管的额定电压为小于
80％的额定电压时，反射的输出电压
被给定为：
·
373 · 12
0.85
12
0.8 · 100
80
373 · 12 0.85
68
70.5
0.8 · 700
560
560
通过确定
图9.输出电压反射到主
373
187
为74V ，
74
74
79
0.48
74
447
如在方程（5）可以看出，两端的电压应力
MOSFET能够通过减小V降低
RO
。然而，这
增加的电压应力的整流二极管中的
次级侧，如公式6所示。因此，V
RO
应的电压之间的平衡来确定
MOSFET和二极管的应力。特别是对于低输出
电压应用中，整流二极管的正向电压
降是一个主导因素确定所述电源
效率。因此，被反射的输出电压应
这样确定的，整流二极管的正向电压可以是
最小化。表2示出了正向压降
肖特基二极管具有不同的电压等级。
实际的漏极电压和二极管的电压上升高于
标称电压是由于的漏感
变压器作为如图9所示。这是典型的设定V
RO
使得V
dsnom
和V
DONOM
是电压的7080％
MOSFET和二极管，分别评级。
373
·
373 · 12 0.85
74
[步骤4 ]确定
电感（L
M
)
该
12
76.8
初级侧
变压器
在变压器初级侧的电感被确定为
最小输入电压和额定负载条件下。
用D
最大
从步骤3中，在一次侧的电感
(L
M
）变压器被获得为：
·
2·
·
·
(7)
表2中。
二极管正向压降的不同
额定电压（ 3A肖特基二极管）
部件名称
SB320
SB330
SB340
SB350
SB360
SB380
SB3100
VRRM
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
VF
0.5V
其中f
SW
是开关频率和K
RF
是纹波
在最小输入电压和额定负载率
条件，其定义为如图10中所示。
对于DCM运行，K
RF
= 1，并且，对于CCM工作，钾
RF
< 1.脉动率是密切相关的变压器
大小和MOSFET的电流的RMS值。连
虽然在MOSFET的导通损耗可以降低
通过降低纹波系数，过小的纹波系数力量
增加了变压器的尺寸。当设计的反激
转换器工作在CCM运行，这是合理的设定k
RF
=
0.25-0.5的通用输入范围和K
RF
= 0.4-0.8的
欧洲的输入范围。
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0.74V
0.85V
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SB320 ... SB3100
SB320 ... SB3100
肖特基势垒整流器器
肖特基势垒Gleichrichter
版本2010-03-30
额定电流
Nennstrom
4.5
+0.1
-
0.3
3A
20...100 V
DO- 201
1g
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
±0.5
TYPE
62.5
1.2
±0.05
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值和特性
TYPE
典型值
SB320
SB330
SB340
SB350
SB360
SB390
SB3100
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
20
30
40
50
60
90
100
浪涌峰值反向电压
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
20
30
40
50
60
90
100
T
A
= 75°C
F > 15赫兹
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
7.5
±0.1
Grenz- UND Kennwerte
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V]
1
)
< 0.50
< 0.50
< 0.50
< 0.70
< 0.70
< 0.79
< 0.79
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
3 A
2
)
15 A
2
)
150 A
110 A
2
s
-50...+150°C
-50...+175°C
马克斯。正向平均整流电流， R-负荷
Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
峰值正向浪涌电流， 50赫兹正弦半波
Stostrom献给EINE 50赫兹窦Halbwelle
额定值融合，T < 10毫秒
Grenzlastintegral ，T < 10毫秒
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
2
I
F
= 3 A，T
j
= 25°C
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SB320 ... SB3100
特征
漏电流
Sperrstrom
T
j
= 25°C
SB320...360
V
R
= V
RRM
SB390 ... 3100 V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
THA
R
THL
Kennwerte
＆ LT ; 0.5毫安
< 0.6毫安
< 25 K / W
1
)
< 8 K / W
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到引线
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht
120
[%]
100
10
2
[A]
SB320...340
10
80
1
SB350...360
60
40
10
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
-1
SB390...3100
T
j
= 25°C
0
V
F
0.4
0.6
[V]
1.0
额定正向电流与环境温度
1
)
1
祖尔。 Richtstrom在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。 ）
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
思雨
塑封肖特基二极管
R
SB320 ...... SB3100
塑料肖特基
垒整流器器
特征
特点
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
·高温焊接保证
高温焊接保证：
260℃/10
秒,
0.375"设计（9.5mm ）引线长度。
260 ℃ / 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5磅。 （ 2.3千克）张力
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
DO-27
1.0(25.4)
民
.052(1.3)
迪亚
.048(1.2)
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
迪亚
.197(5.0)
1.0(25.4)
民
机械数据
机械数据
·端子: 镀锡½向引线
端子：镀轴向引线
·极性: 色环端为负极
极性：颜色频带端为负极
·安装½½: 任意
安装位置：任意
单位：英寸（毫米）
极限值和电参数
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&电气特性
符号
符号
最大峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
SB
320
SB
330
SB
340
SB
350
SB
360
SB
380
SB
3100
单½
单位
V
RRM
V
R（ RMS ）
V
DC
I
FM
V
F
I
FSM
IR
R
θJA
Cj
TJ ，T
英镑
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
3.0
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
最大反向有效值电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
最大正向电压降
最大正向电压
IF = 3.0A
0.5
80
0.5
20
15
250
0.7
0.85
V
A
mA
℃/W
pF
℃
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
最大反向漏电流
最大反向电流
TA = 25°
TA = 100 °
典型热阻
典型结电容
典型热阻
VR = 4.0V F = 1.0MHz的
典型结电容
工½温度和存储温度
工作结存储温度范围
-55 --- +150
大昌电子
大昌电子
思雨
R
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线（典型值）
SB320 ...... SB3100
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
10mm
10mm
10
典型正向特性
2
1
SB380
SB3100
平均正向电流
I
F（ AV ）
(A)
正向平均整流电流（ A）
I
F（ A）
正向电流 I
F
(A)
I
F
正向电流（A ）
SB320通
SB340
3.6
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
0
25
50
75 100 125 150 175
环境温度TA（ ° C）
TAMB，环境温度（ ℃）
0.2
0.1
SB350
SB360
TJ = 25 C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
正向电压 V
F
(V)
V
F
正向电压（ V）
浪涌特性曲线（最大值）
最大不重复
峰值正向浪涌电流
100
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
80
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
60
40
20
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
SB320 THRU SB390
肖特基势垒整流器
反向电压 - 20至90伏特
正向电流 - 3.0安培
DO-201AD
特点
*塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
*金属硅交界处，多数载流子传导
* Guardring过电压保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低正向压降
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
·高温焊接保证：
260
o
C / 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
0.210(5.3)
0.190(4.8)
DIA 。
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0(25.4)
分钟。
1.0(25.4)
分钟。
机械数据
案例：
JEDEC DO- 201AD模压塑体
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.04盎司， 1.12克
0.052(1.3)
0.048(1.2)
DIA 。
*尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值
除非另有规定ED 。
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度（见图1 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
3.0 A最大瞬时正向电压
最大瞬时反转
电流在额定阻断电压DC
典型热阻（注）
工作结温范围
存储温度范围
T
A
=25 C
T
A
=100 C
R
R
JA
JL
o
o
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
SB320
20
14
20
SB340
40
28
40
SB360
60
42
60
SB380
80
56
80
SB390
90
63
90
单位
伏
伏
伏
安培
3.0
I
FSM
80
75
安培
V
F
0.55
2
20
0.75
5
10
40
10
0.85
伏
I
R
mA
o
C / W
o
T
J
T
英镑
-65到+125
-65到+150
-65到+150
C
C
o
注：热阻结带领垂直PCB安装0.50" （ 12.7毫米）引线长度有2.5× 2.5" （ 63.5 X 63.5毫米）铜垫
REV 。 ： 0
ZOWIE科技股份有限公司
额定值和特性曲线SB320 THRU SB390
图1 - 正向电流降额曲线
3.0
正向平均整流
当前，安培
峰值正向浪涌电流，
安培
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50
75
100
125
o
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
电阻或
感性负载
0.375"设计（9.5mm ）
导线长度
80
60
40
20
SB320~SB340
SB360~SB390
SB320~SB340
SB360~SB390
0
150
175
1
10
循环次数在60Hz
100
环境温度，C
图3 - 典型瞬时
正向特性
50.00
IINSTANTANEOUS正向电流，
安培
100
图5 - 典型的反向特性
10.00
瞬时反向漏
当前，微安
10
T
J
= 125 C
o
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
1
1.00
0.1
T
J
= 75 C
o
T
J
= 25 C
o
0.10
0.01
T
J
= 25 C
o
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SB320~SB340
SB360
SB380&SB390
0.001
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
正向电压，
伏
SB320~SB340
SB360~SB390
80
100
百分之额定峰值反向电压， ％
1000
结电容， pF的
T
J
= 25 C
o
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
图5 - 典型结电容
图6 - 典型的瞬态热阻抗
100
o
10
100
1
0
.1
.2
.4
1.0
2
4
10
反向电压，伏
SB320~SB340
SB360~SB390
20
40
100
0.1
0.01
0.10
1.0
10
100
T，脉冲持续时间，秒
REV 。 ： 0
ZOWIE科技股份有限公司
SB320 - SB3B0
PRV ： 20 - 100伏
I
O
： 3.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
高效率
低功耗
低正向压降
肖特基势垒
整流二极管
DO-201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.82)
1.00 (25.4)
分钟。
0.375 (9.52)
0.285 (7.24)
机械数据：
*案例： DO - 201AD模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 1.21克
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375" ， 9.5毫米引线长度见图1
峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 3.0安培。
最大反向电流
额定阻断电压DC （注1 ）
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
SB SB SB SB SB SB SB SB SB
单位
320 330 340 350 360 370 380 390 3B0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
70
49
70
80
56
80
90
63
90
100
70
100
伏
伏
伏
I
F（ AV
)
3.0
安培。
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
T
J
T
英镑
- 65至+ 125
0.5
80
0.74
0.5
20
- 65至+ 150
- 65至+ 150
0.79
安培。
伏。
mA
mA
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％
更新： 1998年9月12日
额定值和特性曲线（ SB320 - SB3B0 ）
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流，
安培
3.0
SB350
THRU
SB3B0
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
100
峰值正向浪涌
当前，安培
150
175
2.4
SB320
SB330
SB340
80
1.8
60
1.2
40
0.6
20
0
0
25
50
75
100
125
0
1
2
4
6
10
20
40
60
100
焊接温度， （
°
C)
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
20
图4 - 典型的反向特性
反向电流毫安
正向电流，安培
10
T
J
= 100
°
C
10
SB320
SB330
SB340
SB380
SB390
SB3B0
1.0
1.0
SB350
SB360
SB370
0.1
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
占空比= 2 ％
0.1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
百分比额定反向
电压， （ ％ ）
正向电压，伏
上海SUNRISE ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
SB320通SB360
肖特基势垒
整流器器
电压： 20至60V电流： 3.0A
特点
外延建设芯片
高电流能力
低正向压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
高温焊接保证：
250
o
C / 10秒/ 0.375"设计（9.5mm ）引线长度
5 lbs紧张
技术
规范
DO - 201AD
机械数据
终端：镀轴向引线焊元
MIL- STD 202E ，方法208C
案例：模压与UL - 94类别V-0
公认的阻燃环氧树脂
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25
o
C，除非另有注明外，容性
负载，减免20 ％的电流）
评级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设计（9.5mm引线长度在T
L
=95
o
C)
峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负载）
最大正向电压（在3.0A DC）
反向电流最大DC
T
a
=25
o
C
在额定阻断电压DC
T
a
=100
o
C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
SB
320
20
14
20
SB
330
30
21
30
SB
340
40
28
40
3.0
80
SB
350
50
35
50
SB
360
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
0.55
3.0
30
0.75
V
mA
mA
220
C
J
典型结电容
（注1 ）
pF
o
30
R
θ
（ JA ）
典型热阻
（注2 ）
C / W
o
-65到+125
-65到+150
T
J
工作温度
C
o
-65到+150
T
英镑
储存温度
C
注意：
1.Measured 1.0 MHz和施加4.0V的反向电压
dc
结2.Thermal耐环境在0.375"设计（9.5mm ）引线长度，垂直PC板装
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