SN74S1056

8 - BIT肖特基二极管

BUS-终端阵列

SDLS019B - 1990年4月 - 修订1997年7月

D

D

D

为了减少反射噪声

重复峰值正向电流300毫安

8位阵列结构适合

面向总线的系统

SC包装

（ TOP VIEW ）

描述

这种肖特基势垒二极管的总线端接阵列

被设计以减少对存储器的反射噪声

公交线路。这种装置由一个8位的

适用于高速的肖特基二极管阵列

钳位至GND 。

该SN74S1056的特点是操作

从0℃至70℃。

D01

D02

D03

D04

GND

GND

D05

D06

D07

D08

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

包

（ TOP VIEW ）

D01

D02

D03

D04

D05

D06

D07

D08

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

NC

GND

GND

GND

GND

GND

GND

NC

原理图

SC包装

1

D01

2

D01

2

15

D03

3

6

4

D04

7

D05

8

5

GND

D06

D06

7

D07

10

D08

D08

8

10

GND

D05

6

11

GND

GND

D04

13

5

12

GND

GND

4

3

D03

14

GND

GND

1

包

D02

D02

D07

9

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PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1997年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74S1056

8 - BIT肖特基二极管

BUS-终端阵列

SDLS019B - 1990年4月 - 修订1997年7月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

稳态反向电压，V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

连续正向电流，I

F

：任何D与GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

共完成所有GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170毫安

重复峰值正向电流，I

FRM

（见注1 ） ：从GND任何D端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安

共完成所有GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.2 A

连续总功耗在（或低于） 25℃下自由空气的温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1000毫瓦

工作自由空气的温度范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：这些值适用于TW

≤

100

s,

占空比

≤

20%.

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

单二极管操作（见注2 ）

参数

IR

VF

VFM

Ct

静态反向电流

静态正向电压

峰值正向电压

总电容

VR = 7 V

IF = 18毫安

IF = 50毫安

IF = 300毫安

VR = 0V ，

VR = 2V，

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

测试条件

民

TYP

0.65

0.8

1.41

11

8

20

16

最大

10

0.85

1

单位

A

V

V

pF

所有典型值是在TA = 25 ℃。

注2 ：试验条件和限制单独地应用到每个二极管。二极管不被测试是开路的测量期间

这些特征。

多个二极管操作

参数

Ix

内部串扰电流

测试条件

总电流IF = 1.2 A，

总电流IF = 126毫安，

见注3

见注3

民

TYP

0.6

0.01

最大

2

0.1

单位

mA

所有典型值是在TA = 25 ℃。

注3 ：九是在以下条件下测得的与一个二极管静态的，所有其他开关：

开关二极管： TW = 100

s,

占空比= 20 ％

静态二极管： VR = 5 V

静态二极管输入电流是内部串扰电流Ix 。

开关特性，T

A

= 25

°

C（请参阅图1和图2）

参数

TRR

反向恢复时间

如果= 10 mA时，

测试条件

IRM （ REC ） = 10毫安，

IR （ REC ）= 1毫安，

RL = 100

民

典型值

5

最大

10

单位

ns

2

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参数测量信息

50

450

（见注一）

脉冲

发电机

DUT

采样

示波器

（见注B）

90%

输入脉冲

（见注一）

10%

tr

产量

波形

（见注B）

VFM

VF

注：A的输入脉冲由脉冲发生器具有以下特征提供：痕量= 20纳秒，Z0 = 50

,

频率= 500赫兹，

占空比= 0.01 。

B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视：痕量

≤

350 ps的，日= 50

,

CI -

≤

5 pF的。

图1.正向恢复电压

DUT

（见注一）

脉冲

发电机

IF

采样

示波器

（见注B）

tf

10%

输入脉冲

（见注一）

90%

If

0

产量

波形

（见注B） IR （ REC ）

TRR

IRM （ REC ）

注意： TF = 0.5纳秒，Z0 = 50 ： A的输入脉冲是由具有以下特征的脉冲发生器提供

,

TW =

≥

50纳秒，

占空比= 0.01 。

B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视：痕量

≤

350 ps的，日= 50

,

CI -

≤

5 pF的。

图2.反向恢复时间

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3

SN74S1056

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应用信息

在存储器装置（ DRAM中，静态存储器， EPROM中，等等）的输入端或在发生大的负的瞬变

许多时钟器件的时钟线路会导致设备的操作不当。该SN74S1056二极管

终止阵列有助于抑制由于传输线的反射，串扰负瞬变，并

开关噪声。

相比于电阻终端方案二极管端接有几个优点。分压电阻或

Thevenin等效终止可以导致功耗大幅度增加。利用单个电阻器的

到地终止线通常会导致输出高电平的劣化，从而降低噪声的免疫力。

串联的阻尼电阻器放置在驱动器的输出降低负瞬变，但它们也可以增加

传播延迟的路线，作为一个串联电阻减小了驱动装置的输出驱动能力。二极管

终端则没有这些缺点。

二极管阵列在减少负瞬态操作在下面的附图进行说明。二极管

传导电流时的电压达到负的值足够大，以使二极管导通。制止

负的瞬变通过该二极管的电流 - 电压特性曲线跟踪。一个典型的电流与

电压积为SN74S1056示于图3 。

以说明二极管阵列如何起到减少负瞬态在传输线的端部，所述测试装置

在如图4（a ）进行了评价。使用和不使用二极管所产生的波形示于图4（b ） 。

发生在二极管阵列在抑制负瞬变的最大效益时，二极管阵列

放在行和/或一个长存根分支的主传输线的端部的端部。二极管也可以

用于减少发生的负瞬态由于在一个行的中间的不连续性。这样的一个例子

是提供了一个附加卡背板插槽。

二极管的正向电流

vs

二极管的正向电压

–100

–90

–80

I

I

- 正向电流 - 毫安

–70

–60

–50

–40

–30

–20

–10

0

0

0.2 0.4 0.6 0.8

1

1.2 1.4 1.6 1.8

2

VF - 正向电压 - V

变数1 ：

VIN

-CH 1

线性扫描：

开始

0.000 V

停止

–2.000 V

步

–0.010 V

常量：

VHI -Vs1

VLO -Vs2

TA = 25°C

3.5000 V

0.0000 V

图3.电流对电压的SN74S1056

4

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应用信息

ZO = 50

长度= 36 。

（一）二极管测试设置

31.500纳秒

56.500纳秒

81.500纳秒

终了

LINE

没有

二极管

最终的线用二极管

Vmarker 1

Vmarker 2

通道1

时基

内存1

Vmarker 1

Vmarker 2

= 1.880 V / DIV

= 5.00纳秒/ V

= 1.880 V / DIV

= –1.353 V

= –3.647 V

（二）示波器显示

偏移= 0.000 V

延迟= 56.500纳秒

台达V = -2.293 V

图4.二极管测试设置和示波器显示

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