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Si4133W
射频s
是否牛逼 （E S） I Z ê R W I T ^ h
I
NT· E G R A T E
V C 0
S
F
W- CD M A
一个N D
摹S M / U M牛逼S W
I R ê L E S S小
C
M M加利I C为T I O北南
特点
双射频合成器
RF1 ： 2.3 GHz至2.6 GHz的
RF2 ： 750 MHz至1.7 GHz的
IF合成器
IF： 62.5 MHz至1.0 GHz的
集成的VCO ，环路滤波器，
分频器和相位检测器
极少的外部元件
连续运行超过
工作温度范围宽
快速建立时间： 200
微秒
低相位噪声
5 μA待机电流
28引脚MLP ， 5 ×5mm的
订货信息：
参见第28页。
应用
单模式的W-CDMA无线
手持设备，终端，并
调制解调器
双模式GSM / UMTS无线
手持设备，终端，并
调制解调器
GNDR
RFID读取
引脚分配
Si4133W-BM
SDATA
IFOUT
GNDR
SENB
SCLK
GNDI
VDDI
描述
该Si4133W是一个单片集成电路，它执行的RF和IF
合成为GSM / GPRS和W-CDMA的无线通信。在双
模式GSM / UMTS手机，该Si4133W满足苛刻要求
对于非常低的相位噪声和快速建立时间的两种模式。该Si4133W
集成在一个芯片上三次完整的锁相环（ PLL）的
包括压控振荡器，环路滤波器，参考和VCO分频器，相位
探测器。分频器和断电设置可编程通过
三线串行接口。
GNDI
IFLB
IFLA
GNDD
VDDD
GNDD
XIN
RFLC
GNDR
NC
GNDR
GNDR
AUXOUT
RFOUT
GNDR
GNDR
功能框图
专利正在申请中
XIN
参考
上午plifier
动力
下
控制
÷
R
相
探测器
RF1
PW DNB
÷
N
÷
R
RFOUT
SDATA
SCLK
SENB
串行
接口
22-bit
数据
注册
相
探测器
RF2
RFLC
RFID读取
÷
N
÷
R
AUXOUT
TEST
MUX
相
探测器
IF
IFDIV
IFOUT
÷
N
IFLA
IFLB
修订版1.1 9/02
版权所有 2002年由Silicon Laboratories公司
Si4133W-DS11
PW DNB
GNDD
VDDR
Si4133W
2
修订版1.1
Si4133W
T
A B L E
部分
OF
C
0：N T E TS
页面
4
16
16
16
17
18
18
19
19
19
20
1
27
28
29
30
32
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
串行接口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设置VCO的中心频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
自整定算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输出频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
PLL环路动态特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
RF和IF输出（ RFOUT和IFOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
参考频率放大器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
省电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
辅助输出（ AUXOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
控制寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚说明： Si4133W - BM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装外形： Si4133W - BM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
修订版1.1
3
Si4133W
电气规格
表1.推荐工作条件
参数
环境温度
电源电压
电源电压差
符号
T
A
V
DD
V
(V
DDR
– V
DDD
),
(V
DDI
– V
DDD
)
测试条件
民
–25
2.7
–0.3
典型值
25
3.3
—
最大
85
3.6
0.3
单位
°C
V
V
注意：
所有的最小值和最大值的保证，并应用在整个推荐的工作条件。
典型值适用于额定电源电压和25 ° C的工作温度，除非另有说明。
表2.绝对最大额定值
1,2
参数
直流电源电压
输入电流
3
输入电压
3
存储温度范围
符号
V
DD
I
IN
V
IN
T
英镑
价值
-0.5到4.0
±10
-0.3到V
DD
+0.3
-55到150
单位
V
mA
V
°C
注意：
1.
如果上述绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作
应限制条件为在本数据表的业务部门指定。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2.此设备是一个高性能射频集成电路与< 2 kV的ESD额定值。搬运和组装
此设备只应在ESD保护的工作站来完成。
3.
对于信号SCLK ， SDATA ， SENB ， PWDNB和XIN 。
4
修订版1.1
Si4133W
表3.直流特性
(V
DD
= 2.7 3.6 V ，T
A
= -25至85°C ）
参数
典型电源电流
1
RF1模式下电源电流
1
RF2模式下电源电流
1
如果mode电源电流
1
待机电流
高电平输入电压
2
低电平输入电压
2
高电平输入电流
2
低电平输入电流
2
高电平输出电压
3
低电平输出电压
3
注意事项：
1.
RF1 = 2.4千兆赫， RF2 = 1.6千兆赫， IFOUT = 800 MHz时， LPWR = 0 。
2.
对于信号SCLK ， SDATA ， SENB和PWDNB 。
3.
对于信号AUXOUT 。
符号
测试条件
RF1和IF操作
民
—
—
—
—
典型值
23
15
12
9
5
—
—
—
—
—
—
最大
27.5
18
15
11.5
—
—
0.3 V
DD
10
10
—
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
A
V
V
A
A
V
V
PWDNB = 0
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
V
IH
=
3.6 V,
V
DD
= 3.6 V
V
IL
=
0 V,
V
DD
=
3.6 V
I
OH
= –500 A
I
OH
= 500 A
—
0.7 V
DD
—
–10
–10
V
DD
–0.4
—
修订版1.1
5
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