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SN74GTLP1395
两个1位LVTTL至GTLP可调节边沿速率总线收发器
剖分LVTTL端口,反馈路径和可选极性
SCES349C - 2001年6月 - 修订2001年11月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
TI- OPC电路限制呼入
不均衡负载背板
OEC电路提高了信号完整性
并降低电磁干扰
GTLP之间的双向接口
信号电平和LVTTL逻辑电平
拆分LVTTL端口提供一个反馈路径
为控制和诊断监视
LVTTL接口是5V容限
高驱动GTLP输出( 100 mA时)
LVTTL输出( -24毫安/ 24 mA)的
可变边沿速率控制( ERC )输入
选择GTLP上升和下降时间
最佳的数据传输速率和信号
诚信分布式负载
I
关闭
,上电三态和BIAS V
CC
支持Live插入
极性控制选择True或
互补输出
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DGV , DW ,或PW包装
( TOP VIEW )
1Y
1T/C
2Y
GND
1OEAB
V
CC
1A
GND
2A
2OEAB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
1OEBY
2T/C
2OEBY
GND
1B
ERC
2B
GND
V
REF
BIAS V
CC
描述
该SN74GTLP1395是两个1位,高驱动器, 3线总线收发器,提供LVTTL至GTLP和
GTLP至LVTTL信号电平转换为应用程序,如原发性和继发性时钟,需要
单独的输出使能和真/补充控制。该器件允许透明和倒
有独立的LVTTL输入和LVTTL输出管脚,其中提供反馈的数据传输的透明模式
路径控制和诊断监视。该装置提供卡之间的高速接口
工作在LVTTL逻辑电平与底板工作在GTLP信号电平,并且特别是对设计
与德州仪器3.3 -V 1394背板物理层控制器工作。高速(约3倍
比标准LVTTL或TTL)背板的操作速度是GTLP降低输出摆幅( <1 V)的直接结果,
减少输入阈值电平,提高了差分输入, OEC电路和TI- OPC电路。改进
GTLP OEC和TI- OPC电路最大限度地减少公交车的稳定时间,并设计和测试使用多个
背板模型。高驱动器允许入射光波的开关在重负载背板,具有同等
负载阻抗下降到11
.
GTLP是发射接收逻辑器件( GTL ) JEDEC标准JESD 8-3的德州仪器衍生物。
该SN74GTLP1395的交流规范仅给出在优选的更高的噪声容限GTLP ,但
用户使用该设备,在任一的GTL的灵活性(Ⅴ
TT
= 1.2 V和V
REF
= 0.8 V)或GTLP (V
TT
= 1.5 V
和V
REF
= 1 V)的信号电平。有关在FB + / BTL应用程序中使用GTLP设备的信息,请参阅TI
应用报告,
德州仪器GTLP常见问题,
文献编号SCEA019 ,并
GTLP在BTL应用,
文献编号SCEA017 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
OEC和TI -OPC是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74GTLP1395
两个1位LVTTL至GTLP可调节边沿速率总线收发器
剖分LVTTL端口,反馈路径和可选极性
SCES349C - 2001年6月 - 修订2001年11月
描述(续)
正常情况下,而B端口操作在GTLP信号电平。在A口和控制输入操作的LVTTL逻辑电平,
但5 -V宽容与TTL和5 V CMOS器件兼容。 V
REF
是B端口差分输入
参考电压。
这个装置是用我住插入应用程序完全指定
关闭
,上电三态和BIAS V
CC
。在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏电流回流,通过该装置在通电时
下来。该电三态电路置于高阻抗状态下的输出在上电期间和电源
下来,从而防止驱动冲突。偏压V
CC
电路预充电和前提条件的B口
输入/输出连接,以防止卡插入时在背板上活性数据的干扰或
去除,并且允许真正的实时插入能力。
这GTLP器件采用TI -OPC电路,主动限制造成不当的超调
封端的底板,在低到高的信号跃变不均匀分布卡,或空槽。这
提高了信号完整性,从而能够维持足够的噪声裕度在较高的频率。
高驱动GTLP背板接口器件具有可调的边沿速率控制( ERC ) 。更改ERC
之间的低和高输入电压调节B端口输出上升时间和下降时间。这允许设计人员
优化系统的数据传输率和信号完整性的背板负载。
当V
CC
是在0和1.5伏特,该装置是在上电期间或断电的高阻抗状态。
然而,为了确保以上1.5伏的高阻抗状态,输出使能(OE )输入应当连接到V
CC
通过上拉电阻;该电阻的最小值由的电流吸收能力决定
该驱动程序。
GQN包
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
2
3
4
A
B
C
D
E
端子分配
1
1T/C
GND
VCC
GND
2OEAB
2
1Y
GND
1OEAB
GND
2A
3
1OEBY
2Y
ERC
1A
BIAS VCC
4
2T/C
2OEBY
1B
2B
VREF
订购信息
TA
包装
SOIC - DW
-40 ° C至85°C
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
VFBGA - GQN
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74GTLP1395DW
SN74GTLP1395DWR
SN74GTLP1395PWR
SN74GTLP1395DGVR
SN74GTLP1395GQNR
TOP- SIDE
记号
GTLP1395
GP395
GP395
GP395
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
2
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SN74GTLP1395
两个1位LVTTL至GTLP可调节边沿速率总线收发器
剖分LVTTL端口,反馈路径和可选极性
SCES349C - 2001年6月 - 修订2001年11月
功能说明
输出使能( 1OEAB , 1OEBY )和极性控制( 1T / C)的输入控制1A,1B,和1Y 。 2OEAB , 2OEBY ,
和2T / C控制图2A ,2B和2Y 。
OEAB控制B端口的活动。当OEAB是低时,B端口的输出是活动的。当OEAB高,
在B端口输出被禁止。
单独的一个LVTTL输入, Y输出为控制和诊断监视的反馈路径。 OEBY
控制Y输出。当OEBY为低电平时, Y输出处于激活状态。当OEBY为高时, Y输出被禁止。
T / C选择在两个方向上的数据传输的极性。当T / C为高电平时,数据传输是真实的,
数据转到B总线和B的数据去Y总线。当T / C为低时,数据传输是互补的,
倒置的数据进入到B总线和倒B数据去Y总线。
功能表
输出控制
输入
T / C
X
H
H
H
L
L
L
OEAB
H
L
H
L
L
H
L
OEBY
H
H
L
L
H
L
L
产量
Z
数据到B总线
B数据为Y总线
数据到B总线B数据为Y总线
倒数据到B总线
倒B数据为Y总线
倒数据到B总线,
倒B数据为Y总线
模式
隔离
真正的透明
真正的透明
反馈路径
倒透明
倒透明
反馈路径
输出边沿速率控制(ERC )
输入
ERC
逻辑电平
H
L
产量
B- PORT
边沿速率
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3
SN74GTLP1395
两个1位LVTTL至GTLP可调节边沿速率总线收发器
剖分LVTTL端口,反馈路径和可选极性
SCES349C - 2001年6月 - 修订2001年11月
逻辑图(正逻辑)
12
VREF
15
ERC
5
1OEAB
1T/C
2
1A
7
16
1B
20
1OEBY
1
1Y
10
2OEAB
19
2T/C
2A
9
14
2B
18
2OEBY
3
2Y
显示引脚数都为DGV , DW和PW包。
4
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SN74GTLP1395
两个1位LVTTL至GTLP可调节边沿速率总线收发器
剖分LVTTL端口,反馈路径和可选极性
SCES349C - 2001年6月 - 修订2001年11月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
和BIAS V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) : A输入, ERC和控制输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
端口B和V
REF
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下,V
O
(见注1 ) :Y输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
B端口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
电流转换成处于低状态的任何输出,我
O
:Y输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48毫安
B端口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流流入处于高状态的任何输出,我
O
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48毫安
连续电流通过每个V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) : DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
GQN包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 78 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
只有2.该电流流动时,输出处于高状态和VO > VCC。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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