Si3456DV
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
= 10 V
0.065 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"5.1
"4.3
(1, 2, 5, 6) D
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(4) S
N沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
"30
"20
"5.1
"4.1
"20
"1.7
2
单位
V
A
W
1.3
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
文档编号： 70659
S- 56945 -REV 。 B， 11月23日 - 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
2-1
Si3456DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.1 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.1 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
15
0.037
0.051
13
1.2
0.045
0.065
W
S
V
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V,
5.1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V I
D
= 5 1 A
V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 5.1 A
5.7
12
2.8
1.6
10
10
25
10
60
20
20
50
20
80
ns
9
20
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70659
S- 56945 -REV 。 B， 11月23日 - 98
Si3456DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
16
I D - 漏电流（ A）
4V
12
I D - 漏电流（ A）
16
20
传输特性
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
4
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
1000
电容
C
国际空间站
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.08
- 电容（pF ）
800
0.06
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
600
0.04
400
C
OSS
200
C
RSS
0.02
0
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 5.1 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.60
导通电阻与结温
1.45
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.1 A
1.30
6
1.15
4
1.00
2
0.85
0
0
3
6
9
12
0.7
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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S
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Si3456DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
I S - 源电流（ A）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.08
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.06
0.04
I
D
= 5.1 A
0.02
T
J
= 25_C
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
–0.0
–0.2
–0.4
–0.6
5
–0.8
–1.0
–50
0
0.01
15
20
25
单脉冲功率
功率（W）的
10
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.10
时间（秒）
1.00
10.00
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
4.表层嵌
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
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Si3456DV
2002年6月
Si3456DV
N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET产生
利用飞兆半导体先进的Power
已特别针对海沟过程
最大限度地减少通态电阻，但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
·
5.1 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 45毫瓦@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 65毫瓦@ V
GS
= 4.5 V
·
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
·
低栅电荷
·
高功率和电流处理能力
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT
TM
-6
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
5.1
20
1.6
0.8
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
qJA
R
QJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.456
设备
Si3456DV
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si3456DV版本B
Si3456DV
电气特性
符号
BV
DSS
的dBV
DSS
DT
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
DV
GS （ TH）
DT
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
mA
最小值典型值
30
25
最大
单位
V
毫伏/°C的
开关特性
I
D
= 250
毫安，
参考25 ℃下
V
DS
= 30 V,
V
GS
=
±20
V,
V
DS
= V
GS
,
V
GS
= 0 V
T
J
=70°C
V
DS
= 0 V
I
D
= 250
mA
1
1.5
–4
33
44
49
15
12
463
109
44
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
（注2 ）
1
5
±100
2
mA
nA
V
毫伏/ ℃
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
I
D
= 250
毫安，
参考25 ℃下
I
D
= 5.1 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 4.3 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.1 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V,
I
D
= 5.1 A
45
65
71
mW
A
S
pF
pF
pF
W
13
12
36
4.6
12.6
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
1.3
A
V
nS
nC
动态特性
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1.1
6.3
6
20
2.3
开关特性
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
W
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.1 A,
9
1.4
1.6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 5.1A
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
（注2 ）
0.77
18
17
1.2
（注2 ）
注意事项：
1.
R
qJA
是总和的结到壳体和壳体至环境阻力，其中的情况下热参考被定义为漏极的焊料安装面
销。
QJC
由设计而
QCA
是通过用户的电路板的设计来确定。
安装在一个1英寸时， 78℃ / W的
2
的2盎司覆铜的FR- 4电路板焊盘。
安装在一个最小焊盘时为156℃ / W 。
a.
b.
2.
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%
Si3456DV版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H7
Si3456DV
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
= 10 V
0.065 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"5.1
"4.3
(1, 2, 5, 6) D
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(4) S
N沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
"30
"20
"5.1
"4.1
"20
"1.7
2
单位
V
A
W
1.3
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
文档编号： 70659
S- 56945 -REV 。 B， 11月23日 - 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
2-1
Si3456DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.1 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.1 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
15
0.037
0.051
13
1.2
0.045
0.065
W
S
V
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V,
5.1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V I
D
= 5 1 A
V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 5.1 A
5.7
12
2.8
1.6
10
10
25
10
60
20
20
50
20
80
ns
9
20
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70659
S- 56945 -REV 。 B， 11月23日 - 98
Si3456DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
16
I D - 漏电流（ A）
4V
12
I D - 漏电流（ A）
16
20
传输特性
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
4
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
1000
电容
C
国际空间站
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.08
- 电容（pF ）
800
0.06
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
600
0.04
400
C
OSS
200
C
RSS
0.02
0
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 5.1 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.60
导通电阻与结温
1.45
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.1 A
1.30
6
1.15
4
1.00
2
0.85
0
0
3
6
9
12
0.7
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70659
S- 56945 -REV 。 B， 11月23日 - 98
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Si3456DV
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
I S - 源电流（ A）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.08
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.06
0.04
I
D
= 5.1 A
0.02
T
J
= 25_C
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
–0.0
–0.2
–0.4
–0.6
5
–0.8
–1.0
–50
0
0.01
15
20
25
单脉冲功率
功率（W）的
10
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.10
时间（秒）
1.00
10.00
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
4.表层嵌
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
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