SN74CBT1G125

单FET总线开关

SCDS046C - 1998年2月 - 修订1998年10月

D

D

D

D

D

5 Ω交换机两个端口之间的连接

TTL兼容控制输入电平

ESD保护超过2000伏每

MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V

使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）

闭锁性能超过250毫安每

JESD 17

封装在一个塑料小外形

晶体管（ DBV ， DCK ）包

DBV OR DCK包装

（ TOP VIEW ）

OE

A

GND

1

2

3

5

4

V

CC

B

描述

该SN74CBT1G125功能单一高速的线路开关。该开关时禁用输出使能

（ OE ）输入为高。

该SN74CBT1G125的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。

功能表

输入

OE

L

H

功能

一个端口= B口

断开

逻辑图（正逻辑）

2

A

1

OE

4

B

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1998年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74CBT1G125

单FET总线开关

SCDS046C - 1998年2月 - 修订1998年10月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安

输入钳位电流，I

IK

(V

I / O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 347 ° C / W

DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 389 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。

推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

VIH

VIL

TA

电源电压

高层次的控制输入电压

低级别的控制输入电压

工作自由空气的温度

–40

4

2

0.8

85

最大

5.5

单位

V

V

V

°C

注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

II

ICC

Ci

控制输入

VCC = 4.5 V ，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.5 V ，

VI = 3 V或0

VO = 3 V或0 ，

VCC = 4 V，

VCC = 4.5 V

测试条件

II = -18毫安

VI = 5.5 V或GND

IO = 0，

OE = VCC

典型值在VCC = 4 V，

VI = 0

VI = 2.4 V ，

II = 64毫安

II = 30毫安

II = 15毫安

II = 15毫安

VI = VCC或GND

3

4

14

5

5

20

7

7

民

TYP

最大

–1.2

±1

1

单位

V

A

A

pF

pF

首席信息官（关）

ron

VI = 2.4 V ，

10

15

所有典型值是在VCC = 5 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。

§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定

由两个（ A或B）端子的电压的降低。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C

L

= 50 pF的

（除非另有说明）（参见图1）

参数

TPD

TEN

TDI发动机

从

（输入）

A或B

OE

OE

TO

（输出）

B或A

A或B

A或B

VCC = 24 V

民

最大

0.35

5.5

4.5

1.6

1

VCC = 5 V

±

0.5 V

民

最大

0.25

4.9

4.2

ns

ns

ns

单位

传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当

由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

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SN74CBT1G125

单FET总线开关

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参数测量信息

7V

从输出

被测

CL = 50 pF的

（见注一）

500

S1

开放

GND

500

产量

控制

（低电平

使能）

tPZL

产量

波形1

S1在7 V

（见注B）

tpZH

VOH

产量

1.5 V

电压波形

传播延迟时间

1.5 V

VOL

产量

波形2

S1在打开

（见注B）

TEST

tPD的

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

7V

开放

3V

1.5 V

1.5 V

0V

tPLZ

3.5 V

1.5 V

tPHZ

VOH

VOH - 0.3 V

0V

电压波形

启用和禁用时报

VOL + 0.3 V

VOL

负载电路

3V

输入

1.5 V

1.5 V

0V

TPLH

的TPH1

1.5 V

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2.5纳秒， TF

≤

2.5纳秒。

D的输出，测量与每个测量一个输入过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图1.负载电路和电压波形

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3

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任何产品或服务，恕不另行通知，并告知客户获得相关信息的最新版本

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受在订单确认时所提供的销售条款和条件，包括

关于保修，专利侵权，并赔偿责任限制。

其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格

根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度

TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定

除了那些由政府强制要求执行。

采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险

死亡，人身伤害，或严重的财产或环境损害（ “ CRITICAL

应用程序“） 。 TI半导体产品并非设计，授权，或

担保能适用用于生命支持设备或系统或其他

关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为

完全根据客户的风险。

为了最小化与用户的应用程序，适当的设计与操作相关的风险

保障措施必须由客户提供，以尽量减少固有的或程序上的危害。

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半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息

方的产品或服务不构成TI的批准，保证或认可。

版权

1998年，德州仪器

小尺寸逻辑器件指南

门

Configurables

信号开关

翻译

www.ti.com/littlelogic

2012

小尺寸逻辑器件指南

目录

概观

通过性能几乎逻辑产品

3

4

逻辑迁移到1.8 -V未来。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

性能比较。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

门功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

信号开关。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

Configurables 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

AUP1T翻译。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

包装

7

先进封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

小尺寸逻辑器件封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

小逻辑封装交叉参考。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

选型表

9

单门功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

双门功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

三重门功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

信号开关功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

可配置的功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

翻译功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

交叉引用

16

竞争对手交叉参考。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

型号定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

竞争对手的部分前缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

资源和支持

23

TI全球技术支持。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

小尺寸逻辑器件指南

2

德州仪器2012

小尺寸逻辑器件指南

概观

节能套餐很容易

实施，更贴近电路

并有助于简化电路板设计。

无需费时发明

新的芯片，设计人员可以达到

与ASIC设计性能更好

用小的逻辑功能。

更高的性能，一站式的选择

TI的大型系列包括单，

双和三重门的最

流行的功能，在节省空间

包让你的空间，你

所需要的。通过更换多台设备

通过单一的可配置功能，

小尺寸逻辑器件有助于减少库存。

没有进站，过

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投资组合将始终可用。这

意味着超过10,000设备

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逻辑

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而在逻辑应用程序支持，

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我们为客户提供门

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翻译和开关的状态

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没有交付进站

最佳的一流的支持更容易

和更快的设计

前

后

简化路由

卜FF器

单身

门

P

单身

门

P

单身

门

小尺寸逻辑器件指南

3

德州仪器2012

通过性能几乎逻辑产品

逻辑迁移到1.8 -V未来

保持节奏，甚至更长的时间！

TI的众多逻辑与技术

低功耗设计人员的帮助延长电池

生活轻松。随着各种不同的工作电压

5.5V下降到0.8V ，该图显示

我们是如何工作的设备，让您的

系统运行的更快和更长时间。

+

5

AHC - 7.0纳秒

AHCT - 7.1纳秒

LVC- 3.4纳秒

5V

电源电压（V

CC

)

4

AHC - 10.5纳秒

AUP - 4.3纳秒

LVC- 3.6纳秒

+

3

3.3 V

LVC- 4.4纳秒

AUP - 5.5纳秒

AUC -2.0纳秒

+

LVC- 7.2纳秒

AUP - 8.2纳秒

AUC - 2.4纳秒

+

2

2.5 V

AUC - 2.3纳秒

AUP - 10.3纳秒

+

AUC -3.3纳秒

AUP - 15.6纳秒

+

1

1.8 V

AUC - 4.7纳秒

AUP - 18.0纳秒

+

1.5 V

1.2 V

0.8 V

0

技术进步

性能比较

性能比较

家庭

AUP

AUC

LVC

AHC

AHCT

CBT

CBTD

CBTLV

CB3T

操作

电压范围

(V)

0.8 3.6

0.8 2.7

1.65 5.5

2.05.5

4.5 5.5

4.5 5.5

4.5 5.5

2.3 3.6

2.5 3.6

优化

电压

(V)

3.3

1.8

3.3

5.0

5.0

5.0

5.0

3.3

3.3

传播

延迟 - TPD

（典型值） （ NS ）

3.5

2.0

3.0

5.0

5.0

0.25

0.25

0.25

0.25

产量

DRIVE

（MA ）

4

8

24

8

8

–

–

–

–

输入

公差

(V)

3.6

3.6

5.5

5.5

5.5

5.5

5.5

3.6

5.5

I

关闭

保护

是的

是的

是的

No

No

是的

是的

是的

是的

的progagation延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

所列的值是最大值。

FET开关无输出驱动器。在输出端的驱动电流由连接在场效应晶体管开关的输入端的设备的驱动电流来确定。

门功能

小逻辑门具有的所有功能

其更大的堂兄弟，但在单，

双和三栅极功能。

它们涵盖了全电压范围

从0.8V到5.5V 。他们在很小的

包使它们非常适合

手持设备和其他设备

在空间是一个问题。

标准门，包括：

2- and 3-input gates

施密特触发器输入门

3-state output buffer

开漏输出

断电高阻

缓冲解码器和多路复用器

锁存器和触发器

双电源轨翻译

门翻译

优点：

I

关闭

支持热插入

I

关闭

允许输入端上的电压或

当Vcc在0V输出

过压容限输入

允许向下平移

开漏输出使能或

唐氏翻译

AUP1Txxx设备最多支持

翻译

Shcmitt触发输入允许任何

在上升和下降时间的斜率

AHC （低功耗）

工作范围2.0V至5.5V

驱动器4毫安在3.3V ， 8毫安在5V

150MHz的速度在5V电压下的典型

LVC （高驱动器）

工作范围1.65V至5.5V

驱动器24毫安在3.3V ， 32毫安在5.0V

速度为250MHz ，在5V典型

AUP （最低功耗 - 小于0.9μA

在3.3V时）

工作范围为0.8V至3.6V

驱动器1.9毫安在1.5V ， 4毫安在3.3V

速度190MHz ，在3.3V的典型

AUC （最快速度）

工作范围为0.8V至2.7V

驱动器5毫安在1.5V ， 9毫安在2.5V

350MHz的速度，在2.5V的典型

小尺寸逻辑器件指南

4

德州仪器2012

通过性能几乎逻辑产品

信号开关

CBT （总线开关）

工作范围： 4 V至5.5 V V

CC

0.25-ns typical t

pd

SN74CBT1G125

SN74CBTD1G125

SN74CBT1G384

SN74CBTD1G384

CB3T （低压翻译总线开关）

工作范围： 2.3 V至3.6 V V

CC

0.25-ns typical t

pd

SN74CB3T1G125

LVC （低电压CMOS ）

工作范围： 1.65 V至5.5 V V

CC

3.0-ns typical t

pd

SN74LVC1G66

SN74LVC1G3157

SN74LVC2G53

SN74LVC2G66

AUC （先进的超低压CMOS ）

工作范围： 0.8 V至2.7 V V

CC

2.0-ns typical t

pd

SN74AUC1G66

SN74AUC2G53

SN74AUC2G66

CBTLV （低电压总线开关）

工作范围： 2.3 V至3.6 V V

CC

0.25-ns typical t

pd

SN74CBTLV1G125

3.3 V

LVC1G66 TTL到LVTTL电平转换器

该LVC1G66可用于简单

翻译从5 V TTL电平到

LVTTL 。

控制引脚是宽容和5.5V ，

具有最大R

ON

在15Ω的VCC =

3.3V ，电压下降对面

开关与24毫安只有0.36V

通过电流。

LVTTL

GND B

C

5 V TTL

信号

A

V

CC

LVC1G66

访问

www.ti.com/signalswitches

为应用程序报告

●选择

正确的TI信号开关“。

小尺寸逻辑器件指南

5

德州仪器2012