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SGM2014AN

砷化镓N沟道双栅场效应管MES

对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。

描述

该SGM2014AN是N沟道双栅极的GaAs

MES FET的UHF频段低噪声放大。

此FET的是适用于广泛的应用范围

包括电视调谐器，移动设备和DBS IF

放大器器。

特点

超小型封装

低电压操作

噪音低：在900MHz NF = 1.5分贝（典型值）。

高增益：嘎= 18分贝（典型值）在900MHz

低交叉调制

高稳定性

内置的栅极保护二极管

应用

UHF频带放大器，混频器和振荡器

结构

砷化镓N沟道双栅极金属半导体场效应晶体管

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

漏源极电压

DSX

1号门至源极电压

G1S

–5

2号门至源极电压

G2S

–5

漏电流

允许功耗

100

通道温度

总胆固醇

125

储存温度

TSTG -55到+150

M-281

°C

索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可

任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例

该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。

–1–

E97938-PS

SGM2014AN

电气特性

项

排水截止电流

符号

DSX

条件

= 12V

G1S

= –4V

G2S

= 0V

G1S

= –4.5V

G2S

= 0V

G2S

= –4.5V

G1S

= 0V

= 5V

G1S

= 0V

G2S

= 0V

分钟。

典型值。

（ TA = 25°C ）

马克斯。

单位

1号门至源极电流

G1SS

–8

2门源电流

G2SS

–8

饱和漏电流

DSS

栅1到源极截止电压

= 5V

G1S

（OFF）状态余

= 100A

G2S

= 0V

= 5V

G2S

（OFF）状态余

= 100A

G1S

= 0V

= 5V

= 10毫安

G2S

=1.5V

F = 1kHz时

= 5V

西塞

= 10毫安

G2S

= 1.5V

CRSS

F = 1MHz的

= 5V

= 10毫安

G2S

= 1.5V

F = 900MHz的

–2.5

门2到源截止电压

–2.5

正向转移导纳

输入电容

反馈电容

噪声系数

相关的增益

0.9

1.5

2.5

典型特征

（ TA = 25°C ）

与V

G2S

= 1.5V)

= 5V)

与V

G1S

G2S

= 1.5V

1.0V

0.5V

- 漏极电流[mA ]

G1S

= 0V

–0.3V

–0.6V

–0.9V

–1.2V

- 漏极至源极电压[ V]

–1.5V

- 漏极电流[mA ]

–0.5V

–1.0V

–1.5V

–2.0

–1.5

–1.0

–0.5

G1S

- 门1至源极电压[V]

–2–

SGM2014AN

与V

G2S

= 5V)

通用汽车与V

G1S

GM - 正向转移导纳[毫秒]

- 漏极电流[mA ]

G1S

= 0V

–0.2V

–0.4V

–0.6V

G2S

= 1.5V

1.0V

0.5V

–0.5V

–1.0V

–1.5

–1.0

–0.5

G1S

- 门1至源极电压[V]

–0.8V

–1.0V

–1.2V

–1.4V

–2.0

–1.5

–1.0

–0.5

G2S

- 门2至源极电压[V]

–2.0

NF与V

G1S

= 5V ， F = 900MHz的）

G2S

= 0.5V

嘎与V

G1S

= 5V ， F = 900MHz的）

G2S

= 1.5V

NF - 噪声系数（分贝）

嘎 - 增益（分贝）

1.0V

0.5V

1.5V

–1.8 –1.6 –1.4 –1.2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0

G1S

- 门1至源极电压[V]

0.2

–1.8 –1.6 –1.4 –1.2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0

G1S

- 门1至源极电压[V]

0.2

NF ，嘎与我

3.0

= 5V, V

G2S

= 1.5V ， F = 900MHz的）

2.5

3.0

NF ，嘎与F

= 5V, V

G2S

= 1.5V ，我

= 10毫安）

NFmin - 最小噪声系数（分贝）

2.5

NF - 噪声系数（分贝）

嘎 - 增益（分贝）

1.5

1.0

1.5

1.0

NFmin

0.5

6 8 10 12 14 16 18 20 22

- 漏极电流[mA ]

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2

的F - 频率[ GHz的]

–3–

嘎 - 增益（分贝）

2.0

SGM2014AN

S参数与频率特性（V

= 5V, V

G2S

= 1.5V ，我

= 10毫安）

（兆赫）

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

2000

S11

MAG

0.999

0.997

0.991

0.981

0.968

0.956

0.944

0.929

0.917

0.898

0.877

0.855

0.831

0.809

0.785

0.762

0.737

0.721

0.685

0.655

昂

–2.8

–5.9

–9.0

–12.3

–15.5

–18.9

–21.8

–24.7

–27.4

–30.4

–32.8

–35.4

–38.0

–40.8

–43.3

–45.8

–48.2

–50.5

–52.7

–54.5

MAG

1.531

1.527

1.526

1.520

1.506

1.497

1.486

1.478

1.468

1.454

1.440

1.422

1.412

1.399

1.387

1.366

1.349

1.333

1.316

1.298

S21

昂

175.1

170.2

165.4

160.3

155.6

150.7

146.1

141.5

136.7

131.8

127.4

122.8

118.4

113.8

109.3

104.6

100.3

95.8

91.5

87.2

MAG

0.001

0.003

0.005

0.006

0.008

0.009

0.010

0.011

0.012

0.013

S12

昂

87.1

78.7

81.9

82.0

78.7

83.6

83.0

77.8

77.2

79.9

81.0

78.3

76.9

76.6

74.7

76.7

76.4

80.2

79.8

83.2

MAG

0.979

0.975

0.974

0.970

0.969

0.968

0.967

0.962

0.959

0.956

0.955

0.952

0.950

0.949

0.945

= 50)

S22

昂

–1.9

–4.0

–6.1

–8.2

–10.2

–12.1

–14.2

–16.3

–18.2

–20.3

–22.3

–24.4

–26.5

–28.9

–31.4

–33.9

–36.9

–39.5

–42.4

–45.0

噪声系数特性（V

= 5V, V

G2S

= 1.5V ，我

= 10毫安）

（兆赫）

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

2000

NFmin

（ dB）的

0.76

0.88

0.99

1.11

1.23

1.34

1.45

1.54

1.62

1.71

1.80

1.90

1.99

2.09

2.18

2.26

2.34

2.42

2.50

伽玛优化

昂

0.94

0.91

0.88

0.86

0.83

0.81

0.79

0.77

0.75

0.73

0.71

0.69

0.67

0.65

0.63

0.61

0.59

0.56

0.54

MAG

5.8

8.4

11.0

13.4

15.6

17.8

19.9

22.0

24.0

25.9

27.8

29.7

31.6

33.5

35.5

37.5

39.5

41.6

43.8

()

59.7

59.6

59.4

59.1

58.8

58.4

58.0

57.4

56.8

56.2

55.4

54.6

53.8

52.8

51.8

50.7

49.6

48.3

47.0

–4–

SGM2014AN

包装外形

单位：mm

M-281

2.0 ± 0.2

1.3

1.25 ± 0.1

0.425

(0.65)

0.9 ± 0.1

2.1 ± 0.2

0 ± 0.1

+ 0.1

0.3 – 0.05

(0.65)

(0.6)

+ 0.1

0.4 – 0.05

+ 0.1

0.1 – 0.01

1.25

1 ：源

2 ： 1门

3 ： 2门

4 ：漏

包装材料

SONY CODE

EIAJ代码

JEDEC代码

M-281

铅治疗

铅材料

包装重量

环氧树脂

镀锡

铜

0.1g

–5–