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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第183页 > SN74CB3Q3345PWR
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
D
高带宽数据路径
(高达500 MHz
)
D
数据和控制输入提供
D
D
D
D
D
D
D
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 0.7 mA典型)
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
同时支持数字和模拟
应用范围:差分信号接口,
内存交叉存取,总线隔离,
低失真信号选通
RGY包装
( TOP VIEW )
D
5 V容限I / O的设备加电启动
D
D
D
D
D
或断电
低而平坦的导通电阻(R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4
典型)
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流,接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的(OFF)的
= 4 pF的典型)
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值)
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征,请参考TI
申请报告,
CBT -C , CB3T和CB3Q
信号开关系列,
文献编号SCDA008 。
D
DBQ , DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
OE
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
1
20
19
OE
18
B1
17
B2
16
B9
15
B4
14
B5
13
B6
12
B7
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
GND
B8
V
CC
OE
1
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
描述/订购信息
该SN74CB3Q3345是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管,从而提供一个低而平坦的导通电阻体(r
on
) 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟,并支持轨到轨上的数据输入/输出(I / O)端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容,以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门设计用于支持高带宽应用时, SN74CB3Q3345提供优化
接口解决方案,非常适合于宽带通信,网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q3384A被组织成具有两个输出使能(OE , OE)输入一个8位总线开关。当OE
是高或OE为低电平时,总线开关为ON,并在A端口被连接到B端口,并允许双向数据
端口之间流动。当OE为低和OE为高电平时,总线开关断开时,和一个高阻抗状态存在
A和B端口之间。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻和OE应通过一个下拉电阻连接到GND ;电阻的最小值是
由驾驶员的电流吸收/电流源的能力来确定。
订购信息
TA
QFN - RGY
SSOP ( QSOP ) - DBQ
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q3345RGYR
SN74CB3Q3345DBQR
SN74CB3Q3345PW
SN74CB3Q3345PWR
SN74CB3Q3345DGVR
BU345
BU345
TOP- SIDE
记号
BU345
CB3Q3345
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
H
X
L
OE
X
L
H
输入/输出
A
B
B
Z
功能
一个端口= B口
一个端口= B口
断开
逻辑图(正逻辑)
2
A1
SW
9
SW
1
OE
OE
19
11
18
B1
A8
B8
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
简化原理图,各FET开关( SW)的
A
VCC
B
收费
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
控制输入电压范围,V
IN
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1 ,2和3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流,I
IK
(V
IN
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流,I
I / OK
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关,我
I / O
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68 ° C / W
(见注5 ) : DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92 ° C / W
(见注5 ) : PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83 ° C / W
(见注6 ) :红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4, II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件(见注7 )
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注7 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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达拉斯,德克萨斯州75265
3
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
VO = 0 5.5 V ,
II / O = 0 ,
打开或关闭,
关闭,
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.13
2.5
3.5
9
4
4.5
4
4.5
0.7
TYP
最大
1.8
±1
±1
1
2
30
0.14
3.5
5
11.5
8
9
6
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
VCC = 3.6 V ,
一个输入为3 V ,
VCC = 3.6 V ,
A和B端口开放,
控制输入,50 %占空比开关
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 2.3 V ,
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
首席信息官(关)
CIO ( ON)
VIN = 5.5 V , 3.3 V或0
关闭,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ,
开机,
VIN = VCC和GND ,
VI = 0 ,
VI = 1.7 V ,
VI = 0 ,
VI = 2.4 V ,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
罗恩#
VIN和IIN是指控制输入。 VI ,VO ,II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口,该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流(见图2) 。
#测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个( A或B)端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图3)
参数
敌人还是敌人||
tPD的
k
TEN
TDI发动机
(输入)
OE或OE
A或B
OE或OE
OE或OE
TO
(输出)
A或B
B或A
A或B
A或B
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
10
0.12
7.7
6.9
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
20
0.2
6.5
6.8
兆赫
ns
ns
ns
单位
||最大开关频率控制输入( VO
& GT ;
VCC , VI = 5V , RL
1 MΩ , CL = 0 )
k
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数,
当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
4
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SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
典型
on
vs
V
I
16
罗恩 - 导通状态电阻 -
W
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VI = V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VCC = 3.3 V
TA = 25°C
IO = -15毫安
图1.典型
on
VS V
I
, V
CC
= 3.3 V和I
O
= -15毫安
典型的我
CC
vs
OE或OE开关频率
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
OE或OE开关频率 - 兆赫
一个OE或OE切换
VCC = 3.3 V
TA = 25
°C
A和B端口开放
ICC - 毫安
图2.典型的我
CC
VS OE或OE开关频率,V
CC
= 3.3 V
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5
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SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS144B - 2003年10月 - 修订2005年3月
特点
高带宽数据路径(高达500 MHz
(1)
)
5 V容限I / O的设备加电或
断电
低而平坦的导通电阻(R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4
典型值)
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的(OFF)的
= 4 pF的典型值)
快速开关频率(f
OE
= 20 MHz的最大值)
有关性能的更多信息
在CB3Q家族的特征,指的是TI的应用
报告显示,
CBT -C , CB3T和CB3Q信号开关家庭,
文献编号SCDA008 。
DBQ , DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
(1)
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗(I
CC
= 0.7毫安典型值)
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持,以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
同时支持数字和模拟
应用范围:差分信号接口,
内存交叉存取,总线隔离,
低失真信号选通
RGY包装
( TOP VIEW )
OE
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
OE
1
20
19
OE
18
B1
17
B2
16
B9
15
B4
14
B5
13
B6
12
B7
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
GND
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ,德州仪器
B8
V
CC
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8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS144B - 2003年10月 - 修订2005年3月
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描述/订购信息
该SN74CB3Q3345是利用电荷泵提升的栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管,从而提供一个低而平坦的导通电阻(R
on
) 。低而平坦的导通电阻允许
为最小的传播延迟,并支持轨到轨开关上的数据输入/输出(I / O)端口。该装置
还具有低的数据I / O电容,以减少电容性负载,并在数据总线上的信号失真。
专门设计用于支持高带宽应用时, SN74CB3Q3345提供优化
接口解决方案,非常适合于宽带通信,网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q3384A被组织成具有两个输出使能(OE , OE)输入一个8位总线开关。当OE
高或OE为低电平时,总线开关为ON,并在A端口被连接到B端口,并允许双向数据流
端口之间。当OE为低和OE为高电平时,总线开关断开时,和一个高阻抗状态存在
A和B端口之间。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻和OE应通过一个下拉电阻连接到GND ;电阻的最小值是
由驾驶员的电流吸收/电流源的能力来确定。
订购信息
T
A
QFN - RGY
SSOP ( QSOP ) - DBQ
-40 ° C至85°C
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
(1)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74CB3Q3345RGYR
SN74CB3Q3345DBQR
SN74CB3Q3345PW
SN74CB3Q3345PWR
SN74CB3Q3345DGVR
顶部端标记
BU345
CB3Q3345
BU345
BU345
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
H
X
L
OE
X
L
H
输入/输出
A
B
B
Z
功能
一个端口= B口
一个端口= B口
断开
逻辑图(正逻辑)
2
A1
SW
9
SW
1
OE
OE
19
11
18
B1
A8
B8
2
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SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS144B - 2003年10月 - 修订2005年3月
简化原理图,各FET开关( SW)的
A
V
CC
B
收费
EN
(1)
(1) EN为施加在开关内部的使能信号。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
IN
V
I / O
I
我/ K
I
I / OK
I
IO
电源电压范围
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3) (4)
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
通态开关
当前
(5)
DBQ包装
(6)
θ
JA
封装的热阻抗
DGV包
(6)
PW包
(6)
RGY包装
(7)
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
存储温度范围
–65
连续电流通过V
CC
或GND
V
IN
& LT ; 0
V
I / O
& LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
4.6
7
7
–50
–50
±64
±100
68
92
83
37
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地,除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
3
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS144B - 2003年10月 - 修订2005年3月
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推荐工作条件
(1)
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
V
IK
I
IN
I
OZ (3)
I
关闭
I
CC
I
CC (4)
I
的CCD (5)
C
in
C
io的(OFF)的
C
io的(上)
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 0,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 2.3 V,
典型的V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3 V
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
测试条件
I
I
= -18毫安
V
IN
= 0 5.5 V
V
O
= 0 5.5 V ,
V
I
= 0,
V
O
= 0 5.5 V ,
I
I / O
= 0,
打开或关闭,
一个输入为3 V ,
A和B端口开放,
V
IN
= 5.5 V , 3.3 V或0
关闭,
V
IN
= V
CC
或GND ,
开机,
V
IN
= V
CC
或GND ,
V
I
= 0,
V
I
= 1.7 V,
V
I
= 0,
V
I
= 2.4 V,
V
I / O
= 5.5 V , 3.3 V或0
V
I / O
= 5.5 V , 3.3 V或0
I
O
= 30毫安
I
O
= -15毫安
I
O
= 30毫安
I
O
= -15毫安
关闭,
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= 0
V
IN
= V
CC
或GND
其他输入在V
CC
或GND
0.13
2.5
3.5
9
4
4.5
4
4.5
0.7
最小值典型值
(2)
最大
–1.8
±1
±1
1
2
30
0.14
3.5
5
11.5
8
9
6
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
控制输入,50 %占空比开关
r
(6)上
V
IN
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V (除非另有说明)中,T
A
= 25°C.
对于I / O端口,参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是V
CC
或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流(见
图2)。
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个( A或B)端子的电压的降低来确定。
4
www.ti.com
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS144B - 2003年10月 - 修订2005年3月
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非另有说明) (见图3)
参数
f
OE
或f
OE
t
PD (2)
t
en
t
DIS
(1)
(2)
(1)
(输入)
OE或OE
A或B
OE或OE
OE或OE
TO
(输出)
A或B
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
最大
10
0.12
1.5
1
7.7
6.9
V
CC
= 3.3 V
± 0.3 V
最大
20
0.2
1.5
1
6.5
6.8
单位
兆赫
ns
ns
ns
最大开关频率控制输入(V
O
& GT ; V
CC
, V
I
= 5 V ,R
L
1 MΩ ,C
L
= 0)
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
典型
on
vs
V
I
16
r
on
- 导通状态电阻 -
W
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
I
- V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
CC
= 3.3 V
T
A
= 25°C
I
O
= -15毫安
图1.典型
on
VS V
I
典型的我
CC
vs
OE或OE开关频率
12
10
8
I
CC
- 毫安
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
OE或OE开关频率 - 兆赫
一个OE或OE切换
V
CC
= 3.3 V
T
A
= 25
°C
A和B端口开放
图2.典型的我
CC
VS OE或OE开关频率
5
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
D
高带宽数据路径
(高达500 MHz
)
D
数据和控制输入提供
D
D
D
D
D
D
D
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 0.7 mA典型)
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
同时支持数字和模拟
应用范围:差分信号接口,
内存交叉存取,总线隔离,
低失真信号选通
RGY包装
( TOP VIEW )
D
5 V容限I / O的设备加电启动
D
D
D
D
D
或断电
低而平坦的导通电阻(R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4
典型)
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流,接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的(OFF)的
= 4 pF的典型)
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值)
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征,请参考TI
申请报告,
CBT -C , CB3T和CB3Q
信号开关系列,
文献编号SCDA008 。
D
DBQ , DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
OE
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
1
20
19
OE
18
B1
17
B2
16
B9
15
B4
14
B5
13
B6
12
B7
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
GND
B8
V
CC
OE
1
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
描述/订购信息
该SN74CB3Q3345是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管,从而提供一个低而平坦的导通电阻体(r
on
) 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟,并支持轨到轨上的数据输入/输出(I / O)端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容,以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门设计用于支持高带宽应用时, SN74CB3Q3345提供优化
接口解决方案,非常适合于宽带通信,网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q3384A被组织成具有两个输出使能(OE , OE)输入一个8位总线开关。当OE
是高或OE为低电平时,总线开关为ON,并在A端口被连接到B端口,并允许双向数据
端口之间流动。当OE为低和OE为高电平时,总线开关断开时,和一个高阻抗状态存在
A和B端口之间。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻和OE应通过一个下拉电阻连接到GND ;电阻的最小值是
由驾驶员的电流吸收/电流源的能力来确定。
订购信息
TA
QFN - RGY
SSOP ( QSOP ) - DBQ
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q3345RGYR
SN74CB3Q3345DBQR
SN74CB3Q3345PW
SN74CB3Q3345PWR
SN74CB3Q3345DGVR
BU345
BU345
TOP- SIDE
记号
BU345
CB3Q3345
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
H
X
L
OE
X
L
H
输入/输出
A
B
B
Z
功能
一个端口= B口
一个端口= B口
断开
逻辑图(正逻辑)
2
A1
SW
9
SW
1
OE
OE
19
11
18
B1
A8
B8
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
简化原理图,各FET开关( SW)的
A
VCC
B
收费
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
控制输入电压范围,V
IN
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1 ,2和3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流,I
IK
(V
IN
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流,I
I / OK
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关,我
I / O
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68 ° C / W
(见注5 ) : DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92 ° C / W
(见注5 ) : PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83 ° C / W
(见注6 ) :红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4, II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件(见注7 )
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注7 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
邮政信箱655303
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3
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
VO = 0 5.5 V ,
II / O = 0 ,
打开或关闭,
关闭,
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.13
2.5
3.5
9
4
4.5
4
4.5
0.7
TYP
最大
1.8
±1
±1
1
2
30
0.14
3.5
5
11.5
8
9
6
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
VCC = 3.6 V ,
一个输入为3 V ,
VCC = 3.6 V ,
A和B端口开放,
控制输入,50 %占空比开关
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 2.3 V ,
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
首席信息官(关)
CIO ( ON)
VIN = 5.5 V , 3.3 V或0
关闭,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ,
开机,
VIN = VCC和GND ,
VI = 0 ,
VI = 1.7 V ,
VI = 0 ,
VI = 2.4 V ,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
罗恩#
VIN和IIN是指控制输入。 VI ,VO ,II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口,该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流(见图2) 。
#测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个( A或B)端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图3)
参数
敌人还是敌人||
tPD的
k
TEN
TDI发动机
(输入)
OE或OE
A或B
OE或OE
OE或OE
TO
(输出)
A或B
B或A
A或B
A或B
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
10
0.12
7.7
6.9
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
20
0.2
6.5
6.8
兆赫
ns
ns
ns
单位
||最大开关频率控制输入( VO
& GT ;
VCC , VI = 5V , RL
1 MΩ , CL = 0 )
k
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数,
当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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SN74CB3Q3345
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS144A - 2003年10月 - 修订2003年11月
典型
on
vs
V
I
16
罗恩 - 导通状态电阻 -
W
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VI = V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VCC = 3.3 V
TA = 25°C
IO = -15毫安
图1.典型
on
VS V
I
, V
CC
= 3.3 V和I
O
= -15毫安
典型的我
CC
vs
OE或OE开关频率
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
OE或OE开关频率 - 兆赫
一个OE或OE切换
VCC = 3.3 V
TA = 25
°C
A和B端口开放
ICC - 毫安
图2.典型的我
CC
VS OE或OE开关频率,V
CC
= 3.3 V
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