SFH610A / SFH6106
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
e3
高集电极 - 发射极电压，
V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， 0.100"器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
1
2
SFH610A
4
3
E
C
SFH6106
A 1
C 2
4 E
3 C
i179056
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
订购信息
部分
SFH610A-1
SFH610A-2
SFH610A-3
SFH610A-4
SFH610A-5
SFH6106-1
SFH6106-2
SFH6106-3
SFH6106-4
SFH6106-5T
SFH610A-1X006
SFH610A-1X018T
SFH610A-2X006
SFH610A-3X006
SFH610A-3X007
SFH610A-4X006
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 250 - 500 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， SMD- 4
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 250 - 500 ％ ， SMD - 4 ，磁带和卷轴
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4 400万
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 4 ，宽leadspread
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4 400万
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4 400万
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4 400万
描述
该SFH610A （ DIP ）和SFH6106 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米spac-
ING 。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
可高达400V的工作电压
RMS
或DC 。光谱
ifications随时可能更改。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83666
修订版1.9 ， 23 -MAR -06
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SFH610A / SFH6106
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
十一月74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
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文档编号83666
修订版1.9 ， 23 -MAR -06
SFH610A / SFH6106
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
13
750
最大
1.65
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH610A-1
SFH6106-1
SFH610A-2
SFH6106-2
SFH610A-3
SFH6106-3
SFH610A-4
SFH6106-4
SFH610A-5
SFH6106-5T
测试条件
V
CE
= 5 V ， F = 1.0 MHz的
部分
符号
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
5.2
500
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
50
50
100
100
100
最大
单位
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时， F = 1.0 MHz的
符号
V
CESAT
C
C
民
0.4
典型值。
0.25
0.4
最大
单位
V
pF
文档编号83666
修订版1.9 ， 23 -MAR -06
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