SN74AUP2G80
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SCES756 - 2009年12月
低功耗双上升沿触发的D型触发器
检查样品:
SN74AUP2G80
1
特点
可以在德州仪器采用NanoStar
包
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
μA
最大)
低动态功耗
(C
pd
= 4.3 pF的典型值在3.3 V )
低输入电容(C
i
= 1.5 pF的典型)
低噪声 - 过冲和下冲
第五<10 %
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
DCU包装
( TOP VIEW )
DQE包装
( TOP VIEW )
优化的3.3 -V操作
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 4.4 ns最大,在3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
RSE套餐
( TOP VIEW )
YFP套餐
( TOP VIEW )
1CLK
1D
2Q
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Q
2D
2CLK
1CLK
1D
2Q
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Q
1Q
2D
2CLK
2D
2CLK
V
CC
1
2
3
8
7
6
5
1CLK
1D
1CLK 2Q
GND
1D
2Q
A1
B1
C1
D1
18
2 7
3 6
4 5
A2
B2
C2
D2
V
CC
1Q
2D
2CLK
4
GND
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这家可确保在整个V极低static-和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ,从而导致电池寿命的增加(见
图1)。
该产品还保持了出色的信号
完整性(参见所示的非常低的下冲和过冲特性
图2)。
静态功耗
(A)
100%
80%
60%
40%
20%
0%
(A)
动态功耗
(PF )
100%
80%
开关特性
在25 MHz的
(A)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
0
(A)
电压(V)的
3.3-V
(A)
逻辑
60%
40%
20%
AUP
AUP
3.3-V
(A)
逻辑
输入
产量
0%
AUP
单,双和三栅极
5
10
15
20 25 30
时间(纳秒)
35
40
45
位于C SN74AUP2Gxx数据
L
= 15 pF的。
图1. AUP - 功耗最低的家庭
图2.优异的信号完整性
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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当在数据的数据(D)输入是否满足建立时间要求,该数据被转移到在Q输出
正向的时钟脉冲的边沿。时钟触发发生在电压电平,并且不直接相关的
上升在时钟脉冲的时间。以下,保持时间间隔,在D输入的数据可以在不影响被改变
水平的输出。
采用NanoStar 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
订购信息
(1)
T
A
包
(2)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YFP (无铅)
-40 ° C至85°C
μQFN
- DQE
QFN - RSE
SSOP - DCU
(1)
(2)
(3)
3000卷
5000卷
5000卷
3000卷
订购型号
SN74AUP2G80YFPR
SN74AUP2G80DQER
SN74AUP2G80RSER
SN74AUP2G80DCUR
顶部端标记
(3)
预览
预览
预览
H80_
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YFP :实际的顶部端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅, =无铅) 。
功能表
输入
CLK
↑
↑
L
D
H
L
X
产量
Q
L
H
Q
0
逻辑图(正逻辑)
CLK
C
C
TG
Q
C
C
D
TG
TG
TG
C
C
C
C
C
C
显示引脚数是对DCU和DQE包。
2
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
(2)
最大
4.6
4.6
4.6
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±20
±50
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
在高或低的状态,输出电压范围
(2)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DCU包装
DQE包装
RSE套餐
YFP套餐
220
261
253
132
–65
150
°C
° C / W
θ
JA
封装的热阻抗
(3)
T
英镑
(1)
(2)
(3)
存储温度范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
电源电压
V
CC
= 0.8 V
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 0.8 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
I
V
O
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
–40
0
0
0.8
V
CC
0.65 × V
CC
1.6
2
0
0.35 × V
CC
0.7
0.9
3.6
V
CC
–20
–1.1
–1.7
–1.9
–3.1
–4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
200
85
NS / V
°C
mA
μA
mA
V
V
μA
V
V
最大
3.6
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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