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SN74CBTLV3383
低电压10位FET总线交换开关
SCDS047D - 1998年3月 - 修订1999年11月
D
D
D
D
D
D
功能上等同于QS3383和
QS3L383
5 Ω交换机两个端口之间的连接
隔离在断电条件
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V
使用机型号( C = 200 pF的, R = 0 )
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
封装选项包括缩小
小外形( DBQ ) ,非常薄
小外形( DGV ) ,小外形( DW ) ,
薄小外形( PW )
套餐
DBQ , DGV , DW ,或PW包装
( TOP VIEW )
BE
1B1
1A1
1A2
1B2
2B1
2A1
2A2
2B2
3B1
3A1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
5B2
5A2
5A1
5B1
4B2
4A2
4A1
4B1
3B2
3A2
BX
描述
该SN74CBTLV3383提供了高速总线切换或交换10位。低通态电阻
开关允许以最小的传播延迟进行的连接。
该设备作为一个10位的总线开关或一个5位的总线交换器,它提供交换A和B的
对信号。总线交换功能被选择时, BX为高和BE是低的。
该SN74CBTLV3383的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
功能表
输入
BE
L
L
H
BX
L
H
X
输入/输出
1A1–5A1
1B1–5B1
1B2–5B2
Z
1A2–5A2
1B2–5B2
1B1–5B1
Z
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV3383
低电压10位FET总线交换开关
SCDS047D - 1998年3月 - 修订1999年11月
逻辑图(正逻辑)
3
1A1
SW
2
1B1
SW
SW
4
1A2
SW
5
1B2
21
5A1
SW
20
5B1
SW
SW
22
5A2
SW
23
5B2
1
BE
13
BX
简化原理图中,每个FET开关
A
B
( OE)的
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CBTLV3383
低电压10位FET总线交换开关
SCDS047D - 1998年3月 - 修订1999年11月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流,I
IK
(V
I / O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件(见注3 )
VCC
VIH
VIL
电源电压
高位
高级控制输入电压
低电平控制输入电压
低电平
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
最大
3.6
单位
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
–40
85
°C
注3 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC§
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ,
VCC = 2.3 V ,
23V
典型值在VCC = 2.5 V
25
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0,
一个输入为3 V ,
BE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ,
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
3.5
13.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
TYP
最大
–1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官(关)
VI = 2.4 V ,
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平,而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个( A或B)端子的电压的降低。
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3
SN74CBTLV3383
低电压10位FET总线交换开关
SCDS047D - 1998年3月 - 修订1999年11月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图1和图2)
参数
TPD
tPD的
TEN
TDI发动机
(输入)
A或B
BX
BE
BE
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
A或B
1.5
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
0.15
5.8
5.3
6
1.5
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
0.25
4.7
4.7
6
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻的开关和指定负载电容时的所计算的RC时间常数
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
参数测量信息
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
2
×
VCC
从输出
被测
CL = 30 pF的
(见注一)
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
(低电平
使能)
tPZL
VCC
输入
VCC/2
TPLH
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
产量
VCC/2
电压波形
传播延迟时间
VCC/2
VOL
产量
波形2
S1在GND
(见注B)
产量
波形1
S1在2
×
VCC
(见注B)
tpZH
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + 0.15 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.15 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
负载电路
VCC/2
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2纳秒, TF
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图1.负载电路和电压波形
4
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SN74CBTLV3383
低电压10位FET总线交换开关
SCDS047D - 1998年3月 - 修订1999年11月
参数测量信息
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
2
×
VCC
从输出
被测
CL = 50 pF的
(见注一)
500
S1
开放
GND
500
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
产量
控制
tPZL
VCC
产量
波形1
S1在2
×
VCC
(见注B)
tpZH
VOH
产量
波形2
S1在GND
(见注B)
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + 0.3 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
输入
VCC/2
TPLH
VCC/2
0V
的TPH1
产量
VCC/2
电压波形
传播延迟时间
VCC/2
VOL
VCC/2
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2纳秒, TF
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图2.负载电路和电压波形
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