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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1759页 > SN74AUP1G17DRLR
SN74AUP1G17
低功耗,单施密特触发器缓冲器
SCES579C - 2004年6月 - 修订2005年11月
D
可以在德州仪器
D
D
D
D
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
低静态功耗;
I
CC
= 0.9
A
最大
低动态功耗;
C
pd
= 4.4 pF的典型值在3.3 V
低输入电容;
i
= 1.5 pF的典型值
低噪声 - 过冲和下冲
<10%
V的
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
包括施密特触发器输入
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
优化的3.3 -V操作
DBV包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
D
3.6 V的I / O容错支持混合模式
D
D
D
D
信号操作
t
pd
= 5.1 ns(最大值) 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
ESD保护超过
±5000
V带
人体模型
D
DRL包装
( TOP VIEW )
YEP或YZP包装
(底视图)
NC
A
GND
1
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
NC
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
2
4
GND
4
4
Y
DNU =不使用
3
Y
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ,从而导致电池寿命的增加。该产品还保持优异的信号完整性(见
图1和图2)。
静态功耗
(A)
100%
80%
60%
40%
20%
0%
AUP
3.3-V
逻辑
动态功耗
(PF )
100%
80%
电压 - V
60%
40%
20%
0%
AUP
3.3-V
LVC
逻辑
开关特性
在25兆赫
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0.5
0
5
10
15
20 25 30
时间 - NS
35
40
45
输入
产量
单,双和三栅极
在CL = 15 pF的AUP1G08数据
图1. AUP -功耗最低的家庭
图2.优异的信号完整性
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2005年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74AUP1G17
低功耗,单施密特触发器缓冲器
SCES579C - 2004年6月 - 修订2005年11月
描述/订购信息(续)
该设备作为一个独立的门与施密特触发器输入,允许慢速输入转换
和更好的开关噪声免疫力的输入。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
-40 ° C至85°C
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
订购
产品型号
SN74AUP1G17YEPR
3000卷
SN74AUP1G17YZPR
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
SN74AUP1G17DBVR
SN74AUP1G17DBVT
SN74AUP1G17DCKR
SN74AUP1G17DCKT
SN74AUP1G17DRLR
TOP- SIDE
标记
_ _ _H7_
H17_
H7_
H7_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP :实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年,月,和序列码,和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
(1 =锡铅,
=无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
2
A
4
Y
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74AUP1G17
低功耗,单施密特触发器缓冲器
SCES579C - 2004年6月 - 修订2005年11月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
在高或低的状态下,V输出电压范围
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
连续输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) : DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 132 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出电流额定值,观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注3 )
VCC
VI
VO
电源电压
输入电压
输出电压
VCC - 0.8 V
VCC = 1.1 V
IOH =
高电平输出电流
VCC = 1.4 V
VCC = 1.65
VCC = 2.3 V
VCC = 3 V
VCC - 0.8 V
VCC = 1.1 V
IOL
低电平输出电流
VCC = 1.4 V
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
VCC = 3 V
0.8
0
0
最大
3.6
3.6
VCC
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
mA
A
mA
单位
V
V
V
A
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
的信号完整性需求和设计目标的优先级定义
注3 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SN74AUP1G17
低功耗,单施密特触发器缓冲器
SCES579C - 2004年6月 - 修订2005年11月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
测试条件
VCC
0.8 V
VT +
正向
输入阈值
电压
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V
VT-
负向
输入阈值
电压
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V
1.1 V
V
T
V
迟滞
(VT + - VT- )
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
IOH = -20
A
IOH = -1.1毫安
IOH = -1.7毫安
IOH = -1.9毫安
IOH = -2.3毫安
IOH = -3.1毫安
IOH = -2.7毫安
IOH = -4毫安
IOL = 20
A
IOL = 1.1毫安
IOL = 1.7毫安
IOL = 1.9毫安
IOL = 2.3毫安
IOL = 3.1毫安
IOL = 2.7毫安
IOL = 4毫安
II
IOFF
I
关闭
ICC
I
CC
A输入
VI = GND至3.6 V
VI或VO = 0 V至3.6 V
VI或VO = 0 V至3.6 V
VI = GND或( VCC 3.6 V) , IO = 0
VI = VCC - 0.6 V, IO = 0
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0 V至3.6 V
0V
0 V至0.2 V
0.8 V至3.6 V
3.3 V
TA = 25°C
最大
0.3
0.53
0.74
0.91
1.37
1.88
0.1
0.26
0.39
0.47
0.69
0.88
0.07
0.08
0.18
0.27
0.53
0.79
VCC - 0.1
0.75
×
VCC
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
0.1
0.3
×
VCC
0.31
0.31
0.31
0.44
0.31
0.44
0.1
0.2
0.2
0.5
40
0.6
0.9
1.11
1.29
1.77
2.29
0.6
0.65
0.75
0.84
1.04
1.24
0.5
0.46
0.56
0.66
0.92
1.31
TA = -40 ° C至85°C
最大
0.3
0.53
0.74
0.91
1.37
1.88
0.1
0.26
0.39
0.47
0.69
0.88
0.07
0.08
0.18
0.27
0.53
0.79
VCC - 0.1
0.7
×
VCC
1.03
1.3
1.97
1.85
2.67
2.55
0.1
0.3
×
VCC
0.37
0.35
0.33
0.45
0.33
0.45
0.5
0.6
0.6
0.9
50
A
A
A
A
A
V
V
0.6
0.9
1.11
1.29
1.77
2.29
0.6
0.65
0.75
0.84
1.04
1.24
0.5
0.46
0.56
0.66
0.92
1.31
V
V
V
单位
VOH
VOL
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74AUP1G17
低功耗,单施密特触发器缓冲器
SCES579C - 2004年6月 - 修订2005年11月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (续)
参数
Ci
Co
VI = VCC或GND
VO = GND
测试条件
VCC
0V
3.6 V
0V
典型值
1.5
1.5
2.5
pF
pF
单位
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 5 pF的
(除非另有说明)(见图3和图4)
参数
(输入)
TO
(输出)
VCC
0.8 V
1.2 V
±
0.1 V
tPD的
A
Y
1.5 V
±
0.1 V
1.8 V
±
0.15 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
6.3
4.6
3.9
3.1
2.7
TA = 25°C
典型值
22.7
8
5.8
4.8
3.6
3
12.8
8.4
7.2
5.1
4.4
3.9
2.8
2.4
2
1.9
14.6
10
8.1
6.1
5.1
ns
最大
TA = -40°C
至85℃
最大
单位
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 10 pF的
(除非另有说明)(见图3和图4)
参数
(输入)
TO
(输出)
VCC
0.8 V
1.2 V
±
0.1 V
tPD的
A
Y
1.5 V
±
0.1 V
1.8 V
±
0.15 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
7.1
5.2
4.5
3.5
3.1
TA = 25°C
典型值
25.1
9.1
6.5
5.4
4.2
3.5
13.8
9.4
8
5.7
4.9
4.7
3.4
2.9
2.4
2.2
15.6
11
9
6.8
5.7
ns
最大
TA = -40°C
至85℃
最大
单位
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF的
(除非另有说明)(见图3和图4)
参数
(输入)
TO
(输出)
VCC
0.8 V
1.2 V
±
0.1 V
tPD的
A
Y
1.5 V
±
0.1 V
1.8 V
±
0.15 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
7.8
5.8
5
4
3.5
TA = 25°C
典型值
27.6
10.1
7.4
6.1
4.7
4.1
14.8
10.3
8.8
6.4
5.4
5.3
3.9
3.4
2.8
2.6
16.7
12
10
7.5
6.2
ns
最大
TA = -40°C
至85℃
最大
单位
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
SN74AUP1G17
www.ti.com
SCES579I - 2004年6月 - 修订2010年3月
低功耗单路施密特触发缓冲器
检查样品:
SN74AUP1G17
1
特点
可以在德州仪器采用NanoStar
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
mA
MAX )
低动态功耗
(C
pd
= 4.4 pF的典型值在3.3 V )
低输入电容(C
i
= 1.5 pF的典型值)
低噪声 - 过冲和下冲
第五<10 %
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
包括施密特触发器输入
DBV包装
( TOP VIEW )
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
优化的3.3 -V操作
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 5.1 ns(最大值) 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DRL包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
5
V
CC
A
1
2
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
A
2
4
Y
GND
4
3
4
Y
GND
3
Y
干包装
( TOP VIEW )
DSF包
( TOP VIEW )
YFP套餐
( TOP VIEW )
YZP包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
A
GND
A1
B1
1
2
4
A2
3
B2
V
CC
Y
DNU
A
GND
A1
B1
C1
1
2
3
5
A2
V
CC
Y
4
C2
北卡罗来纳州 - 无内部连接。
DNU =不使用
见工程署图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这家可确保在整个V极低static-和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ,从而增加电池寿命。该产品还保持优异的信号完整性(见
图1
图2)。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2004-2010 ,德州仪器
SN74AUP1G17
SCES579I - 2004年6月 - 修订2010年3月
静态功耗
(A)
100%
80%
60%
40%
20%
0%
AUP
单,双和三栅极
www.ti.com
开关特性
在25 MHz的
3.5
3
电压 - V
2.5
2
1.5
1
0.5
AUP
动态功耗
(PF )
100%
80%
3.3-V
逻辑
60%
40%
20%
0%
输入
产量
3.3-V
LVC
逻辑
0
0.5
0
20 25 30
时间 - NS
位于C AUP1G08数据= 15 pF的
L
5
10
15
35
40
45
图1. AUP - 功耗最低的家庭
图2.优异的信号完整性
该设备作为一个独立的门与施密特触发器输入,允许慢速输入转换
和更好的开关噪声免疫力的输入。
采用NanoStar 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
订购信息
(1)
T
A
(2)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YFP (无铅)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
QFN - 干
-40 ° C至85°C
UQFN - DSF
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
5000卷
5000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
订购零件
SN74AUP1G17YFPR
SN74AUP1G17YZPR
SN74AUP1G17DRYR
SN74AUP1G17DSFR
SN74AUP1G17DBVR
SN74AUP1G17DBVT
SN74AUP1G17DCKR
SN74AUP1G17DCKT
SN74AUP1G17DRLR
TOP- SIDE
记号
(3)
_ _ _H7_
_ _ _H7_
H7
H7
H17_
H7_
H7_
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK / DRL :实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YFP / YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅, =无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
2
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SN74AUP1G17
版权所有2004-2010 ,德州仪器
SN74AUP1G17
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SCES579I - 2004年6月 - 修订2010年3月
逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL , DRT ,干燥, YZP包)
2
A
4
Y
逻辑图(正逻辑)
( YFP PACKAGE )
1
A
3
Y
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3
SN74AUP1G17
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
(2)
最大
4.6
4.6
4.6
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±20
±50
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
在高或低的状态,输出电压范围
(2)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
DRL包装
DSF包
干包装
YFP / YZP包
206
252
142
300
234
132
–65
150
°C
° C / W
q
JA
封装的热阻抗
(3)
T
英镑
(1)
(2)
(3)
存储温度范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
(2)
最大
3.6
3.6
V
CC
–20
–1.1
–1.7
–1.9
–3.1
–4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
单位
V
V
V
mA
0.8
0
0
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
mA
mA
I
OL
(2)
低电平输出电流
mA
T
A
(1)
(2)
工作自由空气的温度
–40
85
°C
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入,文献编号SCBA004的影响。
由信号完整性的要求和设计目标的优先级定义
4
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
0.8 V
V
T+
正向
输入阈值
电压
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V
V
T–
负向
输入阈值
电压
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V
1.1 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
I
OH
= –20
mA
I
OH
= -1.1毫安
I
OH
= -1.7毫安
V
OH
I
OH
= -1.9毫安
I
OH
= -2.3毫安
I
OH
= -3.1毫安
I
OH
= -2.7毫安
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 20
mA
I
OL
= 1.1毫安
I
OL
= 1.7毫安
V
OL
I
OL
= 1.9毫安
I
OL
= 2.3毫安
I
OL
= 3.1毫安
I
OL
= 2.7毫安
I
OL
= 4毫安
I
I
I
关闭
ΔI
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
i
C
o
A输入V
I
= GND至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V
V
I
= GND或(V
CC
至3.6 V ) ,
I
O
= 0
V
I
= V
CC
0.6 V,I
O
= 0
V
I
= V
CC
或GND
V
O
= GND
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0 V至3.6 V
0V
0 V至0.2 V
0.8 V至3.6 V
3.3 V
0V
3.6 V
0V
1.5
1.5
2.5
T
A
= 25°C
0.3
0.53
0.74
0.91
1.37
1.88
0.1
0.26
0.39
0.47
0.69
0.88
0.07
0.08
0.18
0.27
0.53
0.79
V
CC
– 0.1
0.75 × V
CC
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
0.1
0.3 ×
V
CC
0.31
0.31
0.31
0.44
0.31
0.44
0.1
0.2
0.2
0.5
40
典型值
最大
0.6
0.9
1.11
1.29
1.77
2.29
0.6
0.65
0.75
0.84
1.04
1.24
0.5
0.46
0.56
0.66
0.92
1.31
T
A
= -40 ° C至85°C
0.3
0.53
0.74
0.91
1.37
1.88
0.1
0.26
0.39
0.47
0.69
0.88
0.07
0.08
0.18
0.27
0.53
0.79
V
CC
– 0.1
0.7 × V
CC
1.03
1.3
1.97
1.85
2.67
2.55
0.1
0.3 ×
V
CC
0.37
0.35
0.33
0.45
0.33
0.45
0.5
0.6
0.6
0.9
50
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
V
V
最大
0.6
0.9
1.11
1.29
1.77
2.29
0.6
0.65
0.75
0.84
1.04
1.24
0.5
0.46
0.56
0.66
0.92
1.31
V
V
V
单位
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SN74AUP1G17
5
SN74AUP1G17
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低功耗单路施密特触发缓冲器
检查样品:
SN74AUP1G17
1
特点
可以在德州仪器采用NanoStar
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
mA
MAX )
低动态功耗
(C
pd
= 4.4 pF的典型值在3.3 V )
低输入电容(C
i
= 1.5 pF的典型值)
低噪声 - 过冲和下冲
第五<10 %
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
包括施密特触发器输入
DBV包装
( TOP VIEW )
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
优化的3.3 -V操作
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 5.1 ns(最大值) 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DRL包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
5
V
CC
A
1
2
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
A
2
4
Y
GND
4
3
4
Y
GND
3
Y
干包装
( TOP VIEW )
DSF包
( TOP VIEW )
YFP套餐
( TOP VIEW )
YZP包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
A
GND
A1
B1
1
2
4
A2
3
B2
V
CC
Y
DNU
A
GND
A1
B1
C1
1
2
3
5
A2
V
CC
Y
4
C2
北卡罗来纳州 - 无内部连接。
DNU =不使用
见工程署图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这家可确保在整个V极低static-和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ,从而增加电池寿命。该产品还保持优异的信号完整性(见
图1
图2)。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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SN74AUP1G17
SCES579I - 2004年6月 - 修订2010年3月
静态功耗
(A)
100%
80%
60%
40%
20%
0%
AUP
单,双和三栅极
www.ti.com
开关特性
在25 MHz的
3.5
3
电压 - V
2.5
2
1.5
1
0.5
AUP
动态功耗
(PF )
100%
80%
3.3-V
逻辑
60%
40%
20%
0%
输入
产量
3.3-V
LVC
逻辑
0
0.5
0
20 25 30
时间 - NS
位于C AUP1G08数据= 15 pF的
L
5
10
15
35
40
45
图1. AUP - 功耗最低的家庭
图2.优异的信号完整性
该设备作为一个独立的门与施密特触发器输入,允许慢速输入转换
和更好的开关噪声免疫力的输入。
采用NanoStar 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
订购信息
(1)
T
A
(2)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YFP (无铅)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
QFN - 干
-40 ° C至85°C
UQFN - DSF
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
5000卷
5000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
订购零件
SN74AUP1G17YFPR
SN74AUP1G17YZPR
SN74AUP1G17DRYR
SN74AUP1G17DSFR
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TOP- SIDE
记号
(3)
_ _ _H7_
_ _ _H7_
H7
H7
H17_
H7_
H7_
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
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包装图纸,热数据和符号可在
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DBV / DCK / DRL :实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YFP / YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅, =无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
2
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逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL , DRT ,干燥, YZP包)
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A
4
Y
逻辑图(正逻辑)
( YFP PACKAGE )
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
(2)
最大
4.6
4.6
4.6
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±20
±50
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
在高或低的状态,输出电压范围
(2)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
DRL包装
DSF包
干包装
YFP / YZP包
206
252
142
300
234
132
–65
150
°C
° C / W
q
JA
封装的热阻抗
(3)
T
英镑
(1)
(2)
(3)
存储温度范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
(2)
最大
3.6
3.6
V
CC
–20
–1.1
–1.7
–1.9
–3.1
–4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
单位
V
V
V
mA
0.8
0
0
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
mA
mA
I
OL
(2)
低电平输出电流
mA
T
A
(1)
(2)
工作自由空气的温度
–40
85
°C
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入,文献编号SCBA004的影响。
由信号完整性的要求和设计目标的优先级定义
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
0.8 V
V
T+
正向
输入阈值
电压
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V
V
T–
负向
输入阈值
电压
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V
1.1 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
I
OH
= –20
mA
I
OH
= -1.1毫安
I
OH
= -1.7毫安
V
OH
I
OH
= -1.9毫安
I
OH
= -2.3毫安
I
OH
= -3.1毫安
I
OH
= -2.7毫安
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 20
mA
I
OL
= 1.1毫安
I
OL
= 1.7毫安
V
OL
I
OL
= 1.9毫安
I
OL
= 2.3毫安
I
OL
= 3.1毫安
I
OL
= 2.7毫安
I
OL
= 4毫安
I
I
I
关闭
ΔI
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
i
C
o
A输入V
I
= GND至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V
V
I
= GND或(V
CC
至3.6 V ) ,
I
O
= 0
V
I
= V
CC
0.6 V,I
O
= 0
V
I
= V
CC
或GND
V
O
= GND
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0 V至3.6 V
0V
0 V至0.2 V
0.8 V至3.6 V
3.3 V
0V
3.6 V
0V
1.5
1.5
2.5
T
A
= 25°C
0.3
0.53
0.74
0.91
1.37
1.88
0.1
0.26
0.39
0.47
0.69
0.88
0.07
0.08
0.18
0.27
0.53
0.79
V
CC
– 0.1
0.75 × V
CC
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
0.1
0.3 ×
V
CC
0.31
0.31
0.31
0.44
0.31
0.44
0.1
0.2
0.2
0.5
40
典型值
最大
0.6
0.9
1.11
1.29
1.77
2.29
0.6
0.65
0.75
0.84
1.04
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0.46
0.56
0.66
0.92
1.31
T
A
= -40 ° C至85°C
0.3
0.53
0.74
0.91
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V
CC
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CC
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mA
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pF
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最大
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1.31
V
V
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SN74AUP1G17
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    终端采购配单精选

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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
SN74AUP1G17DRLR
TI
25+
8321
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SN74AUP1G17DRLR
TI/德州仪器
2024
20918
SOT553
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
SN74AUP1G17DRLR
TI
21+
16000
SOT-5X3 (DRL)
只做原装,支持实单
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电话:0755-83258002
联系人:林
地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
SN74AUP1G17DRLR
TI
2015+
20000
公司现货!只做原装!
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联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
SN74AUP1G17DRLR
TI/德州仪器
22+
18260
SOT553
原装代理现货,价格最优
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
SN74AUP1G17DRLR
NXP/恩智浦
21+
29000
SOT5
全新原装,欢迎订购!
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联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
SN74AUP1G17DRLR
TI
21+
12000
SOT-5X3 (DRL)
███全新原装正品,可配单
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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TIS
20+
26000
全新原装 货期两周
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电话:028-87781882
联系人:陈小姐
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TI
21+
6000
N/A
进口原装
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电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
SN74AUP1G17DRLR
TI(德州仪器)
23+
18000
N/A
只做原装 正品现货
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