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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1759页 > SMBTA56
PNP硅晶体管自动对焦
SMBTA 55
SMBTA 56
q
高的击穿电压
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型: SMBTA 05 , SMBTA 06 ( NPN )
TYPE
SMBTA 55
SMBTA 56
记号
s2H
s2G
订购代码
(磁带和卷轴)
Q68000-A3386
Q68000-A2882
引脚配置
1
2
3
B
E
C
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗,
T
S
=
79 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
285
215
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
SMBTA 55
SMBTA 56
60
60
80
80
4
500
1
100
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
A
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBTA 55
SMBTA 56
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
SMBTA 55
SMBTA 56
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
SMBTA 55
SMBTA 56
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 60 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 80 V,
T
A
= 150 C
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 60 V
直流电流增益
1)
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
= 10毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
100
12
兆赫
pF
SMBTA 55
SMBTA 56
SMBTA 55
SMBTA 56
I
CE0
h
FE
100
100
V
CESAT
V
BE
130
170
0.25
1.2
V
V
(BR)CE0
60
80
V
(BR)CB0
60
80
V
(BR)EB0
I
CB0
100
100
20
20
100
nA
nA
A
A
nA
4
V
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
=
2 %.
半导体集团
2
SMBTA 55
SMBTA 56
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 1 V
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
3
SMBTA 55
SMBTA 56
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
),
h
FE
= 10
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CE坐
),
h
FE
= 10
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
=
V
CE MAX
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1 V
半导体集团
4
SMBTA56/MMBTA56
PNP硅晶体管自动对焦
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型: SMBTA06 / MMBTA06 ( NPN )
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
SMBTA56/MMBTA56
记号
s2G
1=B
引脚配置
2=E
3=C
SOT23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
79°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
1
含有铅,
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
价值
80
80
4
500
1
100
200
330
150
-65 ... 150
价值
215
单位
V
mA
A
mA
mW
°C
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
2
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-04-19
SMBTA56/MMBTA56
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
80
V
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
80
4
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
首席执行官
h
FE
-
-
-
0.1
20
0.1
-
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 60 V,
I
B
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
100
100
V
CESAT
V
BE(上)
-
-
-
-
-
-
0.25
1.2
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
= 10毫安
-
-
基射极电压
1)
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1
脉冲
f
T
C
cb
-
-
100
7
-
-
兆赫
pF
测试:吨< 300μS ; < 2 %
2
2007-04-19
SMBTA56/MMBTA56
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 1 V
EHP00852
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
EHP00850
10
3
h
FE
100 C
10
2
25 C
Ι
C
100 C
25 C
-50C
10
2
5
-50 C
10
1
10
1
5
10
0 -1
10
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
0
0.0
0.5
V
V
CESAT
1.0
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
EHP00849
集电极电流
I
C
=
(V
BE
)
V
CE
= 1V
EHP00846
10
3
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
mA
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
5
10
-1
0
0.5
1.0
V
V
BESAT
1.5
10
-1
0
0.5
1.0
V
BE
V
1.5
3
2007-04-19
SMBTA56/MMBTA56
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CB
= 80 V
EHP00851
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= V中的参数,
f
= 2 GHz的
10
3
兆赫
f
T
5
EHP00848
10
nA
4
Ι
CBO
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
0
5
10
-1
0
50
最大
10
2
典型值
5
100
T
A
C 150
10
1
10
0
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
Ι
C
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
65
pF
55
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
360
mW
300
270
C
CB
(C
EB
)
50
45
40
35
P
合计
CEB
建行
240
210
180
30
25
20
15
10
5
0
0
4
8
12
16
V
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
22
V
CB
(V
EB
)
°C
150
T
S
4
2007-04-19
SMBTA56/MMBTA56
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
10
3
K / W
10
4
10
2
P
totmax
/
P
totDC
10
3
10
1
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
0
10
-1 -7
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
-6
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
2007-04-19
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMBTA56
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
SMBTA56
INFINEON
2019
79600
SOT23-3
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:121715395 复制 点击这里给我发消息 QQ:316429272 复制
电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
SMBTA56
Infineon
12+
84980
SOT-23
中国唯一指定代理商√√√ 特价!特价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
SMBTA56
infineon
24+
554
SOT23
全新原装正品,热卖价优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SMBTA56
INFINEON/英飞凌
22+
32570
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
SMBTA56
infineon
22+
7200
SOT23
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SMBTA56
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10201
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
SMBTA56
INFINEON/英飞凌
21+
29000
SOT-23
全新原装,欢迎订购!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:474618840 复制 点击这里给我发消息 QQ:1091508947 复制
电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
SMBTA56
INFINEON
21+
6000
原装国内现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:867007660 复制

电话:0755-82799659/83220081/83223317
联系人:李
地址:福田区南光捷佳1727
SMBTA56
infineon
24+
19800
SOT23
全新原装现货,量大从优,可开13%税票!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1101329890 复制 点击这里给我发消息 QQ:1803862608 复制

电话:0755-82789296
联系人:朱先生/公司可以开13%的税
地址:深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
SMBTA56
VISHAY
1524+
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