PNP硅晶体管自动对焦
SMBTA 55
SMBTA 56
q
高的击穿电压
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型: SMBTA 05 , SMBTA 06 ( NPN )
TYPE
SMBTA 55
SMBTA 56
记号
s2H
s2G
订购代码
(磁带和卷轴)
Q68000-A3386
Q68000-A2882
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗,
T
S
=
79 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
285
≤
215
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
SMBTA 55
SMBTA 56
60
60
80
80
4
500
1
100
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
A
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBTA56/MMBTA56
PNP硅晶体管自动对焦
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型: SMBTA06 / MMBTA06 ( NPN )
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
SMBTA56/MMBTA56
记号
s2G
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
79°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
1
含有铅,
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
价值
80
80
4
500
1
100
200
330
150
-65 ... 150
价值
≤
215
单位
V
mA
A
mA
mW
°C
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
2
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-04-19