SN74ALVCHG162280
16位到32位寄存总线交换器
以字节口罩和三态输出
SCES093C - 1997年2月 - 修订1999年6月
D
D
D
D
D
D
D
德州仪器会员
Widebus
家庭
EPIC
(增强型性能注入
CMOS )亚微米工艺
A-端口输出具有相当于50 Ω
串联电阻和B端口输出有
相当于20 Ω串联电阻,所以没有
外部电阻器是必需的
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V
使用机型号( C = 200 pF的, R = 0 )
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
在数据输入总线保持消除了
无需外部上拉/下拉
电阻器
包装非常薄小外形
包
DBB包装
( TOP VIEW )
注:对于订单输入:
该数字基带包被缩写为G.
磁带和卷轴:
该DBBR包简称GR 。
描述
该SN74ALVCHG162280是一个16位到32位的
注册总线器。本装置适用
对于在应用中使用,其中数据必须是
从窄高速总线传送到
宽低频总线。它被设计
专门为低压(3.3 - V)
CC
操作。
该设备提供同步数据交换
在两个端口之间, A和B的数据存储在
在低到高的转变内部寄存器
时钟( CLK )输入。在数据传输
B对A的方向,选择( SEL )输入选择1B
或2B的数据为A输出。
在A到B的方向的数据传输,一
两级流水线是在图1B路径中,以
一个单一的存储寄存器中的2B路径。数据流
由低电平有效的输出使能( OE)的控制
和方向控制( DIR )输入。 DIR是
注册的同步总线方向
随着时钟变化。
V
CC
GND
2B7
1B7
2B6
GND
1B6
2B5
1B5
V
CC
2B4
1B4
2B3
1B3
GND
2B2
1B2
2B1
1B1
V
CC
GND
2D2
1D2
2D1
1D1
V
CC
C1
C2
A1
GND
A2
A3
A4
V
CC
A5
A6
A7
GND
CLK
SEL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
V
CC
GND
1B8
2B8
1B9
GND
2B9
1B10
2B10
V
CC
1B11
2B11
1B12
2B12
GND
1B13
2B13
1B14
2B14
V
CC
GND
1B15
2B15
1B16
2B16
V
CC
A16
A15
A14
GND
A13
A12
A11
V
CC
A10
A9
A8
GND
OE
DIR
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus和EPIC是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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SN74ALVCHG162280
16位到32位寄存总线交换器
以字节口罩和三态输出
SCES093C - 1997年2月 - 修订1999年6月
描述(续)
提供了两个数据字节的两个屏蔽位。的数据(D)的输出由OE控制。
在A端口N沟道输出晶体管的尺寸为450
m
和P沟道输出晶体管的尺寸在
700
m.
所有的A端口输出具有相当于50 Ω串联电阻。在B端口N沟道输出晶体管是
尺寸为225
m,
和P沟道输出晶体管的尺寸在560
m.
所有的B端口输出具有相当于
20 Ω串联电阻。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
有源总线保持电路被设置在有效的逻辑电平,以保持未使用的或浮动的数据输入。
的切换特性是基于25 pF的(A端口)和80 pF的( B和D的端口)的负载,但与被测试
标准的50 - pF负载。
该SN74ALVCHG162280的特点是操作从0℃至70℃。
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16位到32位寄存总线交换器
以字节口罩和三态输出
SCES093C - 1997年2月 - 修订1999年6月
功能表
A- TO -B存储
( OE = 1, DIR = H )
输入
SEL
H
L
L
CLK
X
↑
↑
A
X
L
H
输出
1B
1B0
L
H
2B
2B0
L
H
=输出
水平
前
表示
稳态输入条件
既定
需要两个CLK边缘传播
的数据。
B- TO-存储
( OE = 1, DIR = L)
输入
CLK
↑
↑
↑
↑
SEL
H
H
L
L
1B
X
X
L
H
2B
L
H
X
X
产量
A
L§
H§
L
H
需要§两个CLK边缘传播
数据。数据在所述第一寄存器中装入
当SEL为低,并传播到
第二个寄存器,当SEL为高。
C- TO -D存储
(OE = L )
输入
SEL
H
L
L
CLK
X
↑
↑
C
X
L
H
输出
1D
1D0
L
H
2D
2D0
L
H
=输出
水平
前
表示
稳态输入条件
既定
需要两个CLK边缘传播
的数据。
OUTPUT ENABLE
输入
CLK
↑
↑
↑
OE
H
L
L
DIR
X
H
L
A
Z
Z
活跃
输出
1B, 2B
Z
活跃
Z
1D, 2D
Z
活跃
活跃
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16位到32位寄存总线交换器
以字节口罩和三态输出
SCES093C - 1997年2月 - 修订1999年6月
逻辑图, A和B口(正逻辑)
CLK
SEL
39
40
OE
42
CE
C1
DIR
41
1D
1 16个通道
G1
CE
C1
A1
29
1D
1
1
C1
1D
19
1B1
18
2B1
CE
C1
1D
C1
1D
CE
C1
1D
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16位到32位寄存总线交换器
以字节口罩和三态输出
SCES093C - 1997年2月 - 修订1999年6月
逻辑图,C和D的端口(正逻辑)
CLK
SEL
39
40
OE
42
CE
C1
C1
27
1D
C1
1D
25
1D1
CE
C1
1D
24
2D1
CE
C1
C2
28
1D
C1
1D
23
1D2
CE
C1
1D
22
2D2
在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围,V
I
:除了I / O端口(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
I / O端口(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输出电压范围,V
O
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
连续输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 106 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.输入负电压和输出电压额定值,可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。
2.该值被限制在4.6V的最大。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
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