【SPN1024双N沟道增强型MOSFET描述该SPN1024是双N沟道增强模式功率场效应晶体管都采用】,IC型号SPN1024S56RGB,SPN1024S56RGB PDF资料,SPN1024S56RGB经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPN1024

双N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN1024是双N沟道增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。这种高密度

工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。

这些装置特别适用于低电压

应用，例如笔记本电脑的电源

管理和其它电池供电的电路，其中

高侧开关，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

N沟道

20V/0.65A,R

DS （ ON）

=380m@V

=4.5V

20V/0.55A,R

DS （ ON）

=450m@V

=2.5V

20V/0.45A,R

DS （ ON）

=800m@V

=1.8V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 563 （ SC - 89-6L ）封装设计

引脚配置（ SOT - 563 / SC- 89-6L ）

最热

2010/05/25

Ver.2

第1页

SPN1024

双N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

源1

门1

排水2

源2

门2

Drain1

订购信息

产品型号

SPN1024S56RG

SPN1024S56RGB

包

SOT-563

部分

记号

※

SPN1024S56RG ：带卷轴;铅 - 免费

※

SPN1024S56RG ：带卷轴;铅 - 无卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

=25℃

=70℃

=25℃

=80℃

符号

DSS

GSS

英镑

典型

±12

单位

℃

0.65

0.45

1.0

0.3

0.35

0.19

-55/150

2010/05/25

Ver.2

第2页

SPN1024

双N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

= 250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

=0V,V

=±12V

= 20V,V

=0V

= 20V,V

=0V

=55℃

≥

4.5V,V

=5V

=4.5V,I

=0.65A

=2.5V,I

=0.55A

=1.8V,I

=0.45A

=10V,I

=0.4A

=0.15A,V

=0V

0.35

1.0

100

0.7

0.26

0.32

0.42

1.0

0.8

0.38

0.45

0.80

1.2

D（上）

D（关闭）

=10V,V

=4.5V,

≡0.6A

1.2

0.2

0.3

1.2

1.5

2.8

=10V,R

=10 ,

≡0.5A

根

= 4.5V ，R

2010/05/25

Ver.2

第3页

SPN1024

双N沟道增强型MOSFET

典型特征

2010/05/25

Ver.2

第4页

SPN1024

双N沟道增强型MOSFET

典型特征

2010/05/25

Ver.2

第5页

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2019

79600

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原装正品钻石品质假一赔十

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全新原装现货，原厂代理。

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9675

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