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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第146页 > SN65C1406
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
达到或超过要求
TIA / EIA- 232 -F和ITU建议
V.28
极低的功耗。 。 。
5 mW的典型
广驱动器电源电压范围。 。 。
±4.5
V到
±15
V
驱动器输出压摆率受限
30 V / μs的最大
接收器输入迟滞。 。 。 1000 mV的典型值
PUSH - PULL接收器输出
在芯片接收器1微秒噪声滤波器
在功能上可与摩托罗拉
MC145406和德州仪器
TL145406
封装选择包括塑料
小外形封装( D, DW , NS)和包
DIP封装( N)
SN65C1406 。 。 。 ,D封装
SN75C1406 。 。 。 D, DW ,N或NS包装
( TOP VIEW )
V
DD
1RA
1DY
2RA
2DY
3RA
3DY
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
1RY
1DA
2RY
2DA
3RY
3DA
GND
描述
该SN65C1406和SN75C1406是包含三个独立的驱动器的低功耗采用BiMOS设备和
所使用的接口的数据终端设备(DTE)与数据电路终端设备接收
(DCE) 。这些装置被设计为符合TIA / EIA- 232- F。该SN65C1406的驱动器和接收器
和SN75C1406那些类似的SN75C188四极驱动器和SN75C189A四倍接收机,
分别。驱动程序具有被限制为最大30伏/微秒的控制输出压摆率,并且
接收器有抑制输入噪声脉冲短于1过滤器
s.
这两种功能使您不必
外部元件。
该SN65C1406和SN75C1406使用低功耗技术的采用BiMOS技术设计的。在大多数
应用中,包含在这些设备接口到单个输入外围设备,如接收机
的ACE , UART接口,或微处理器。通过使用采样,这样的外围设备通常是不敏感的
输入信号的过渡时间。如果不是这种情况,或者用于其它用途,则建议的
SN65C1406和SN75C1406接收器输出由单一的施密特输入门或单门的可缓冲
HCMOS , ALS ,或74F逻辑系列。
该SN65C1406的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。该SN75C1406的特点是
操作从0℃至70℃。
可选项
包装设备
TA
概要
(D)
SN65C1406D
SN75C1406D
概要
( DW )
SN75C1406DW
塑料
DIP
(N)
SN75C1406N
塑料
小尺寸
(纳秒)
SN75C1406NS
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
在D, DW和PW包可以录音和缠绕。添加后缀R键设备类型
(例如, SN75C1406DR ) 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2001年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
逻辑图(正逻辑)
一般每个接收器
RA
2, 4, 6
15, 13, 11
RY
典型的每个驱动程序
3, 5, 7
14, 12, 10
DA
DY
2
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SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
输入和输出的原理图
等效驱动器输入
等效驱动器输出
VDD
VDD
输入
DA
国内
1.4 V参考
160
74
产量
DY
VSS
GND
72
VSS
等效接收器输入
等效接收器输出
VCC
输入
RA
3.4 k
产量
RY
1.5 k
ESD
保护
ESD
保护
530
GND
GND
所有显示的电阻值是有名无实。
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3
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压: V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –15 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
输入电压范围,V
I
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
到V
DD
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -30 V至30 V
输出电压范围,V
O
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (V
SS
- 6 V)至(Ⅴ
DD
+ 6 V)
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至(V
CC
+ 0.3 V)
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压都是相对于网络的接地端子。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
VDD
VSS
VCC
VI
VIH
VIL
IOH
IOL
TA
电源电压
电源电压
电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出柯伦
经营自由空气温度
自由的空气
SN65C1406
SN75C1406
–40
0
司机
接收器
2
0.8
–1
3.2
85
70
4.5
–4.5
4.5
VSS + 2
12
–12
5
最大
15
–15
6
VDD
±
25
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°C
4
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SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
驱动部分
电气特性在工作自由空气的温度范围内,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V,
V
CC
= 5 V
±
10% (除非另有说明)
参数
VOH
VOL
IIH
IIL
IOS (H )
IOS (L)的
国际直拨电话
国际空间站
rO
高位
高电平输出电压
低电平输出电压
g
(见注3 )
高层次的输入电流
低电平输入电流
高水平的短路
输出电流
低级别的短路
输出电流
从VDD电源电流
从VSS供电电流
输出电阻
VIH = 0.8 V,
,
见图1
VIH = 2V,
,
见图1
VI = 5 V ,
VI = 0 ,
VI = 0.8 V,
VI = 2 V ,
测试条件
RL = 3 kΩ的,
RL = 3 kΩ的,
见图2
见图2
VO = 0或VSS ,
VO = 0或VDD
见图1
见图1
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
300
–7.5
7.5
–12
12
115
115
–115
–115
400
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
4
10
TYP
4.5
10.8
–4.4
–10.7
–4
–10
1
–1
–19.5
19.5
250
250
–250
–250
最大
单位
V
V
A
A
mA
mA
A
A
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
VDD = VSS = VCC = 0 ,
见注4
VO = - 2 V至2 V ,
所有典型值是在TA = 25 ℃。
§不超过一个输出应在同一时间被短路。
注: 3.代数公约,其中更积极的(少负)限制指定为最大,用在本数据手册逻辑
水平而已。
4.测试条件是那些由TIA / EIA- 232 -F指定。
开关特性在T
A
= 25 ° C,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V, V
CC
= 5 V
±
10%
参数
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
tTLH
TTHL
SR
传播延迟时间,由低到高层次的output§
传播延迟时间,高到低级别的output§
过渡时间,由低到高层次的output
过渡时间,高到低级别的output
过渡时间,由低到高层次的输出#
过渡时间,高到低级别的输出#
输出压摆率
测试条件
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 2500 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 2500 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
4
0.53
0.53
典型值
1.2
2.5
2
2
1
1
10
最大
3
3.5
3.2
3.2
2
2
30
单位
s
s
s
s
s
s
V / μs的
§的TPH1和tPLH的包括附加的时间,由于芯片上的压摆率,并在50 %的点被测量。
测量输出波形的10 %和90%点之间的
3 -V和之间#测量 - 3 -V的点的输出波形( TIA / EIA- 232 -F的条件)与所有未使用的输入端连接到高电平或低电平的
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5
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
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D
D
D
D
D
D
D
D
D
达到或超过要求
TIA / EIA- 232 -F和ITU建议
V.28
极低的功耗。 。 。
5 mW的典型
广驱动器电源电压范围。 。 。
±4.5
V到
±15
V
驱动器输出压摆率受限
30 V / μs的最大
接收器输入迟滞。 。 。 1000 mV的典型值
PUSH - PULL接收器输出
在芯片接收器1微秒噪声滤波器
在功能上可与摩托罗拉
MC145406和德州仪器
TL145406
封装选择包括塑料
小外形封装( D, DW , NS)和包
DIP封装( N)
SN65C1406 。 。 。 ,D封装
SN75C1406 。 。 。 D, DW ,N或NS包装
( TOP VIEW )
V
DD
1RA
1DY
2RA
2DY
3RA
3DY
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
1RY
1DA
2RY
2DA
3RY
3DA
GND
描述
该SN65C1406和SN75C1406是包含三个独立的驱动器的低功耗采用BiMOS设备和
所使用的接口的数据终端设备(DTE)与数据电路终端设备接收
(DCE) 。这些装置被设计为符合TIA / EIA- 232- F。该SN65C1406的驱动器和接收器
和SN75C1406那些类似的SN75C188四极驱动器和SN75C189A四倍接收机,
分别。驱动程序具有被限制为最大30伏/微秒的控制输出压摆率,并且
接收器有抑制输入噪声脉冲短于1过滤器
s.
这两种功能使您不必
外部元件。
该SN65C1406和SN75C1406使用低功耗技术的采用BiMOS技术设计的。在大多数
应用中,包含在这些设备接口到单个输入外围设备,如接收机
的ACE , UART接口,或微处理器。通过使用采样,这样的外围设备通常是不敏感的
输入信号的过渡时间。如果不是这种情况,或者用于其它用途,则建议的
SN65C1406和SN75C1406接收器输出由单一的施密特输入门或单门的可缓冲
HCMOS , ALS ,或74F逻辑系列。
该SN65C1406的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。该SN75C1406的特点是
操作从0℃至70℃。
可选项
包装设备
TA
概要
(D)
SN65C1406D
SN75C1406D
概要
( DW )
SN75C1406DW
塑料
DIP
(N)
SN75C1406N
塑料
小尺寸
(纳秒)
SN75C1406NS
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
在D, DW和PW包可以录音和缠绕。添加后缀R键设备类型
(例如, SN75C1406DR ) 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2001年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
逻辑图(正逻辑)
一般每个接收器
RA
2, 4, 6
15, 13, 11
RY
典型的每个驱动程序
3, 5, 7
14, 12, 10
DA
DY
2
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SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
输入和输出的原理图
等效驱动器输入
等效驱动器输出
VDD
VDD
输入
DA
国内
1.4 V参考
160
74
产量
DY
VSS
GND
72
VSS
等效接收器输入
等效接收器输出
VCC
输入
RA
3.4 k
产量
RY
1.5 k
ESD
保护
ESD
保护
530
GND
GND
所有显示的电阻值是有名无实。
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3
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压: V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –15 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
输入电压范围,V
I
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
到V
DD
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -30 V至30 V
输出电压范围,V
O
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (V
SS
- 6 V)至(Ⅴ
DD
+ 6 V)
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至(V
CC
+ 0.3 V)
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压都是相对于网络的接地端子。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
VDD
VSS
VCC
VI
VIH
VIL
IOH
IOL
TA
电源电压
电源电压
电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出柯伦
经营自由空气温度
自由的空气
SN65C1406
SN75C1406
–40
0
司机
接收器
2
0.8
–1
3.2
85
70
4.5
–4.5
4.5
VSS + 2
12
–12
5
最大
15
–15
6
VDD
±
25
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°C
4
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SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
驱动部分
电气特性在工作自由空气的温度范围内,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V,
V
CC
= 5 V
±
10% (除非另有说明)
参数
VOH
VOL
IIH
IIL
IOS (H )
IOS (L)的
国际直拨电话
国际空间站
rO
高位
高电平输出电压
低电平输出电压
g
(见注3 )
高层次的输入电流
低电平输入电流
高水平的短路
输出电流
低级别的短路
输出电流
从VDD电源电流
从VSS供电电流
输出电阻
VIH = 0.8 V,
,
见图1
VIH = 2V,
,
见图1
VI = 5 V ,
VI = 0 ,
VI = 0.8 V,
VI = 2 V ,
测试条件
RL = 3 kΩ的,
RL = 3 kΩ的,
见图2
见图2
VO = 0或VSS ,
VO = 0或VDD
见图1
见图1
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
300
–7.5
7.5
–12
12
115
115
–115
–115
400
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
4
10
TYP
4.5
10.8
–4.4
–10.7
–4
–10
1
–1
–19.5
19.5
250
250
–250
–250
最大
单位
V
V
A
A
mA
mA
A
A
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
VDD = VSS = VCC = 0 ,
见注4
VO = - 2 V至2 V ,
所有典型值是在TA = 25 ℃。
§不超过一个输出应在同一时间被短路。
注: 3.代数公约,其中更积极的(少负)限制指定为最大,用在本数据手册逻辑
水平而已。
4.测试条件是那些由TIA / EIA- 232 -F指定。
开关特性在T
A
= 25 ° C,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V, V
CC
= 5 V
±
10%
参数
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
tTLH
TTHL
SR
传播延迟时间,由低到高层次的output§
传播延迟时间,高到低级别的output§
过渡时间,由低到高层次的output
过渡时间,高到低级别的output
过渡时间,由低到高层次的输出#
过渡时间,高到低级别的输出#
输出压摆率
测试条件
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 2500 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 2500 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
4
0.53
0.53
典型值
1.2
2.5
2
2
1
1
10
最大
3
3.5
3.2
3.2
2
2
30
单位
s
s
s
s
s
s
V / μs的
§的TPH1和tPLH的包括附加的时间,由于芯片上的压摆率,并在50 %的点被测量。
测量输出波形的10 %和90%点之间的
3 -V和之间#测量 - 3 -V的点的输出波形( TIA / EIA- 232 -F的条件)与所有未使用的输入端连接到高电平或低电平的
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5
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
达到或超过要求
TIA / EIA- 232 -F和ITU建议
V.28
极低的功耗。 。 。
5 mW的典型
广驱动器电源电压范围。 。 。
±4.5
V到
±15
V
驱动器输出压摆率受限
30 V / μs的最大
接收器输入迟滞。 。 。 1000 mV的典型值
PUSH - PULL接收器输出
在芯片接收器1微秒噪声滤波器
在功能上可与摩托罗拉
MC145406和德州仪器
TL145406
封装选择包括塑料
小外形封装( D, DW , NS)和包
DIP封装( N)
SN65C1406 。 。 。 ,D封装
SN75C1406 。 。 。 D, DW ,N或NS包装
( TOP VIEW )
V
DD
1RA
1DY
2RA
2DY
3RA
3DY
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
1RY
1DA
2RY
2DA
3RY
3DA
GND
描述
该SN65C1406和SN75C1406是包含三个独立的驱动器的低功耗采用BiMOS设备和
所使用的接口的数据终端设备(DTE)与数据电路终端设备接收
(DCE) 。这些装置被设计为符合TIA / EIA- 232- F。该SN65C1406的驱动器和接收器
和SN75C1406那些类似的SN75C188四极驱动器和SN75C189A四倍接收机,
分别。驱动程序具有被限制为最大30伏/微秒的控制输出压摆率,并且
接收器有抑制输入噪声脉冲短于1过滤器
s.
这两种功能使您不必
外部元件。
该SN65C1406和SN75C1406使用低功耗技术的采用BiMOS技术设计的。在大多数
应用中,包含在这些设备接口到单个输入外围设备,如接收机
的ACE , UART接口,或微处理器。通过使用采样,这样的外围设备通常是不敏感的
输入信号的过渡时间。如果不是这种情况,或者用于其它用途,则建议的
SN65C1406和SN75C1406接收器输出由单一的施密特输入门或单门的可缓冲
HCMOS , ALS ,或74F逻辑系列。
该SN65C1406的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。该SN75C1406的特点是
操作从0℃至70℃。
可选项
包装设备
TA
概要
(D)
SN65C1406D
SN75C1406D
概要
( DW )
SN75C1406DW
塑料
DIP
(N)
SN75C1406N
塑料
小尺寸
(纳秒)
SN75C1406NS
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
在D, DW和PW包可以录音和缠绕。添加后缀R键设备类型
(例如, SN75C1406DR ) 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2001年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
逻辑图(正逻辑)
一般每个接收器
RA
2, 4, 6
15, 13, 11
RY
典型的每个驱动程序
3, 5, 7
14, 12, 10
DA
DY
2
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SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
输入和输出的原理图
等效驱动器输入
等效驱动器输出
VDD
VDD
输入
DA
国内
1.4 V参考
160
74
产量
DY
VSS
GND
72
VSS
等效接收器输入
等效接收器输出
VCC
输入
RA
3.4 k
产量
RY
1.5 k
ESD
保护
ESD
保护
530
GND
GND
所有显示的电阻值是有名无实。
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3
SN65C1406 , SN75C1406
三重低功耗驱动器/接收
SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压: V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –15 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
输入电压范围,V
I
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
到V
DD
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -30 V至30 V
输出电压范围,V
O
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (V
SS
- 6 V)至(Ⅴ
DD
+ 6 V)
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至(V
CC
+ 0.3 V)
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压都是相对于网络的接地端子。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
VDD
VSS
VCC
VI
VIH
VIL
IOH
IOL
TA
电源电压
电源电压
电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出柯伦
经营自由空气温度
自由的空气
SN65C1406
SN75C1406
–40
0
司机
接收器
2
0.8
–1
3.2
85
70
4.5
–4.5
4.5
VSS + 2
12
–12
5
最大
15
–15
6
VDD
±
25
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°C
4
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三重低功耗驱动器/接收
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驱动部分
电气特性在工作自由空气的温度范围内,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V,
V
CC
= 5 V
±
10% (除非另有说明)
参数
VOH
VOL
IIH
IIL
IOS (H )
IOS (L)的
国际直拨电话
国际空间站
rO
高位
高电平输出电压
低电平输出电压
g
(见注3 )
高层次的输入电流
低电平输入电流
高水平的短路
输出电流
低级别的短路
输出电流
从VDD电源电流
从VSS供电电流
输出电阻
VIH = 0.8 V,
,
见图1
VIH = 2V,
,
见图1
VI = 5 V ,
VI = 0 ,
VI = 0.8 V,
VI = 2 V ,
测试条件
RL = 3 kΩ的,
RL = 3 kΩ的,
见图2
见图2
VO = 0或VSS ,
VO = 0或VDD
见图1
见图1
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
300
–7.5
7.5
–12
12
115
115
–115
–115
400
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
4
10
TYP
4.5
10.8
–4.4
–10.7
–4
–10
1
–1
–19.5
19.5
250
250
–250
–250
最大
单位
V
V
A
A
mA
mA
A
A
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
VDD = VSS = VCC = 0 ,
见注4
VO = - 2 V至2 V ,
所有典型值是在TA = 25 ℃。
§不超过一个输出应在同一时间被短路。
注: 3.代数公约,其中更积极的(少负)限制指定为最大,用在本数据手册逻辑
水平而已。
4.测试条件是那些由TIA / EIA- 232 -F指定。
开关特性在T
A
= 25 ° C,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V, V
CC
= 5 V
±
10%
参数
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
tTLH
TTHL
SR
传播延迟时间,由低到高层次的output§
传播延迟时间,高到低级别的output§
过渡时间,由低到高层次的output
过渡时间,高到低级别的output
过渡时间,由低到高层次的输出#
过渡时间,高到低级别的输出#
输出压摆率
测试条件
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 2500 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 2500 pF的,
见图3
RL = 3 kΩ至7千欧, CL = 15 pF的,
见图3
4
0.53
0.53
典型值
1.2
2.5
2
2
1
1
10
最大
3
3.5
3.2
3.2
2
2
30
单位
s
s
s
s
s
s
V / μs的
§的TPH1和tPLH的包括附加的时间,由于芯片上的压摆率,并在50 %的点被测量。
测量输出波形的10 %和90%点之间的
3 -V和之间#测量 - 3 -V的点的输出波形( TIA / EIA- 232 -F的条件)与所有未使用的输入端连接到高电平或低电平的
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