数据表
SMV2019 - SMV2023系列：超突变结调整
变容二极管
应用
在无线系统中的低相位噪声压控振荡器
射频和微波压控振荡器和移相器
特点
低串联电阻
高电容比低的反向电压
封装额定MSL1 ， 260
°C
根据JEDEC J- STD- 020
描述
Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的
有害物质）标准包装。
该SMV2019 ， SMV2022和SMV2023系列硅
超突变结变容二极管。电容比和
这些变容二极管的低串联电阻使之成为有吸引力
低相位噪声压控振荡器（VCO ）的无线
系统。
表1列出了各种封装和的标志
SMV2019 ， SMV2022和SMV2023组变容二极管。
表1.包装标志
单身
SOT-23
共阴极
SOT-23
单身
SOD-323
单身
SC-79
SMV2019-079LF
标记：阴极
SMV2022-004
标记： VJ3
SMV2022-004LF
标记： DJ3
SMV2023-001
标记： VK1
SMV2023-001LF
标记： DK1
L
S
= 1.5 nH的
SMV2023-004
标记： VK3
SMV2023-004LF
标记： DK3
L
S
= 1.5 nH的
SMV2023-011LF
标记： DK1
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 0.7 nH的
LF表示铅（Pb ） - 免费，符合RoHS标准的封装选项，以替代标准Skyworks的锡/铅（Sn / Pb）的包装。
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数据表 SMV2019 - SMV2023变容二极管
表2. SMV2019 - SMV2023绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
功耗
工作温度
储存温度
注意：
符号
V
R
I
F
P
DIS
T
OP
T
英镑
最低
典型
最大
22
20
250
单位
V
mA
mW
C
C
–55
–55
+125
+150
暴露在绝对最大额定值条件下工作会降低设备的可靠性。有到设备没有损坏，只有一个参数设定为极限，所有其他
参数设定在等于或低于其标称值。任何超过这里所列出的限制可能导致器件的永久性损坏。
注意事项：
虽然本设备被设计为尽可能坚固，静电放电（ ESD）会损坏该设备。该装置
必须在任何时候都免受ESD保护。静电可以容易地产生几千伏的电位，对人体
或设备，可排出而不被发现。行业标准的ESD防范措施，应使用在任何时候。该
SMV2019 - SMV2023系列变容二极管的都是0级人体模型（ HBM ） ESD器件。
表3. SMV2019 - SMV2023电气规格（注1 ） （注2 ）
(T
OP
= 25℃，除非另有说明）
C
T
@ 4 V
（PF ）
最低
SMV2019
SMV2022
SMV2023
0.65
2.50
4.40
最大
0.95
3.30
5.40
最低
0.26
0.60
0.90
C
T
@ 20 V
（PF ）
最大
0.34
0.85
1.20
C
T
@ 4 V
C
T
@ 20 V
比
最低
2.30
3.00
4.20
Q @ 4 V，
50兆赫
典型
500
500
500
产品型号
注1 ：
性能保证仅在本表列出的条件，不能保证在整个工作或贮存温度范围。运行在较高的
温度可以降低器件的可靠性。
注2 ：
反向电流，I
R
(V
R
= 16 V ） ： 50 nA（最大值） 。
电气和机械规格
在SMV2019 ， SMV2022的绝对最大额定值，以及
于表2中的电气设置SMV2023串联变容二极管的
规格在表3中的关系设置
电容和反向电压被示出在图1和图2 。
表4总结了SMV2019 - SMV2023的电容
系列。
SPICE模型的SMV2019 - SMV2023变容二极管系列
在图3中所示的相关联的模型参数
在表5中提供。
包尺寸在图4，图6提供，并如图8所示，与胶带
和卷轴附图中图5,7和9提供的。
否则，问题涉及到吸潮可能发生
当零件被焊接过程中经受高温
装配。
该SMV2019 - SMV2023变容二极管的额定水分
灵敏度等级（MSL1 ）在260 ℃。它们可用于铅或
无铅焊接。有关更多信息，请参阅
Skyworks的应用笔记，
回流焊信息，
文件
号码200164
安装本产品时，必须注意，无论是
手动或在生产焊料回流的环境中进行。
该产品的量产出货的标准
磁带和卷轴格式。用于包装的详细信息，请参阅Skyworks的
应用说明
分立器件及IC开关/衰减器胶带
和卷轴包装定位，
文档编号200083 。
包装和处理信息
对于暴露在运输容器标签上的说明
集装箱密封被破坏后的水分，必须遵循。
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数据表 SMV2019 - SMV2023变容二极管
典型性能特性
14
12
电容（pF）
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
SMV2022
SMV2023
反向电压（ V）
图1. SMV2022和SMV2023电容VS反向电压
2.5
2.0
电容（pF）
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
反向电压（ V）
图2. SMV2019电容VS反向电压
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数据表 SMV2019 - SMV2023变容二极管
表4.电容VS反向电压
V
R
(V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
C
T
（PF ）
SMV2019
2.22
1.77
1.51
1.33
1.20
1.08
0.98
0.89
0.81
0.66
0.55
0.48
0.44
0.40
0.38
0.37
0.35
0.34
0.33
0.32
0.32
0.31
0.31
0.30
0.30
SMV2022
7.41
5.94
5.14
4.56
4.14
3.78
3.49
3.23
3.01
2.54
2.18
1.80
1.50
1.29
1.11
1.03
0.96
0.91
0.87
0.83
0.81
0.78
0.76
0.75
0.73
SMV2023
12.33
9.90
8.60
7.62
6.94
6.34
5.88
5.45
5.09
4.42
3.77
3.18
2.63
2.21
1.86
1.68
1.54
1.44
1.37
1.30
1.25
1.20
1.16
1.13
1.09
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数据表 SMV2019 - SMV2023变容二极管
PORT
P_anode
端口= 1
IND
L
S
L = L
S
水库
R
S
R = R
S
帽
C
P
C = C
P
二极管
Varactor_Diode
面积= 1
MODEL = Diode_Model
MODE =非线性
PORT
P_Cathode
端口= 2
DIODEM
Diode_Model
I
S
= 1.00e-14
R
S
= 0
N=1
T
T
= 0
C
JO
= C
JO
M=M
V
J
= V
J
E
G
= 1.11
X
TI
= 3
K
F
=0
A
F
=1
F
C
= 0.5
B
V
= 0
I
BV
= 1e-3
I
SR
= 0
N
R
= 2
I
KF
= 0
N
BV
= 1
I
BVL
= 0
N
BVL
= 1
T
BV1
= 0
T
喃
= 27
F
FE
= 1
S1672
图3. SPICE模型
表5. SPICE模型参数
产品型号
SMV2019系列
SMV2022系列
SMV2023系列
C
JO
（PF ）
2.25
7.30
12.23
V
J
(V)
3.5
4.0
4.0
M
1.4
1.4
1.4
C
P
（PF ）
0.07
0
0
R
S
(Ω)
4.8
2.2
1.6
L
S
（ NH）
0.7
1.5
1.5
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