产品说明
该SGL - 0263是一款高性能的SiGe HBT MMIC低噪声上午
plifier具有1微米发射器为F
T
高达50 GHz 。该装置
具有内部温度补偿电路，允许操
直接从电源电压低至2.5V和灰。该SGL- 0263具有
被定性为VD = 3V低功耗和4V中型
电源应用。只有2个隔直电容，2个输入匹配
部分组成，一个偏置电阻，和一个可选的RF扼流圈，需要
从1400至2500年MHz的操作。
在Sirenza的无铅“Z”包雾锡涂层的应用
使用后退火处理，以减轻锡须的形成
并且符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。包
体与含有绿色塑封料生产
没有三氧化锑或卤化阻燃剂。
SGL-0263
SGL-0263Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
1400至2500年兆赫硅锗
级联低噪声放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS
绿色包装（Z后缀）
高输入/输出截获
低噪声系数： 1.3分贝典型。在1900兆赫
低功耗
单电压电源供电
内部温度补偿
V
S
温度
赔偿金
电路
RF OUT / V
S
在RF
应用
接收机，GPS
,
RFID
蜂窝，固定无线，陆地移动
符号
参数
频率。
（兆赫）
1900
2100
2400
1900
2100
2400
1900
2100
2400
1900
2100
2400
1900
1900
1900
分钟。
(V
S
=3V)
典型值。
(V
S
=3V
)
马克斯。
(V
S
=3V)
典型值。
(V
S
=4V)
单位
12.1
G
小信号增益
13.4
12.5
10.8
5.5
6.8
7.9
9.5
13.5
15.5
1.3
1.5
2.0
14.7
13.8
12.9
11.3
11.4
12.3
12.8
15.1
16.8
18.4
dB
3.5
P
1dB
在1dB压缩输出功率
输入三阶截点
分贝米
7.5
国际投资头寸
3
音间距= 1兆赫
每个音噘嘴= -13dBm
分贝米
1.7
NF
IRL
ORL
|S
12
|
I
D
R
TH
J-升
噪声系数，Z
S
= 50欧姆
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
器件的电流
热阻（结带领）
1.9
2.1
2.8
21.9
17.4
21.0
dB
dB
dB
dB
mA
o
10.0
10.0
13.3
12.9
20.7
9.0
12.5
255
15
23
C / W
测试条件：
14
00-
25
00
兆赫
应用电路牛逼
领导
= 25C
Z
0
=
Z
L
= 50欧姆
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授权或保证任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界各地。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101502 C版本
1
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SGL - 0263 （ Z） 1400至2500年兆赫的SiGe低噪声放大器
1400年至2500年兆赫评估板 - 在3 V和4 V典型的射频性能在焊接温度
输入IP3与频率随温度
20
18
16
16
14
12
10
的P1dB与频率随温度
输入IP3 （ dBm的）
14
12
10
T = -40°C ， VS = 3 V
P1dB的（ DBM）
8
6
T = -40°C ， VS = 3 V
8
6
4
1400
T = + 25 ° C， VS = 3 V
T = + 85°C ， VS = 3 V
T = -40°C ， VS = 4 V
T = + 25 ° C， VS = 4 V
T = + 85°C ， VS = 4 V
4
2
0
1400
T = + 25 ° C， VS = 3 V
T = + 85°C ， VS = 3 V
T = -40°C ， VS = 4 V
T = + 25 ° C， VS = 4 V
T = + 85°C ， VS = 4 V
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
频率。 （兆赫）
频率。 （兆赫）
噪声系数与在T频率
领导
=+25C
3.5
输出IP3与频率随温度
34
32
3.0
30
输出IP3 （ dBm的）
2.5
28
NF（ dB）的
2.0
26
24
T = -40°C ， VS = 3 V
1.5
22
1.0
VS = 3 V
VS = 4 V
0.5
1400
T = + 25 ° C， VS = 3 V
T = + 85°C ， VS = 3 V
T = -40°C ， VS = 4 V
20
18
1400
T = + 25 ° C， VS = 4 V
T = + 85°C ， VS = 4 V
1600
1800
2000
2200
2400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
频率。 （兆赫）
频率。 （兆赫）
器件电压（VD ）与器件电流（ID）
对于T = -40℃ ， + 25℃ ， & + 85℃
为VS = + 5伏特，卢比= 43的负载线
W
和180
W
5.0
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
S
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
绝对限制
45
mA
5V
+10 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
VS = + 5V ，卢比= 43
W
4.5
4.0
3.5
VD （伏特）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
6
8
10
12
14
16
ID （MA ）
18
20
22
24
26
T=-40C
T=+25C
T=+85C
VS = + 5V ，卢比= 180
W
工作温度
。范围（T
领导
)
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
领导
) / R
TH
J-升
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101502 C版本
2
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SGL - 0263 （ Z） 1400至2500年兆赫的SiGe低噪声放大器
典型的射频性能在V
S
= 3 V - 1400至2500年兆赫评估板 - T的
领导
=+25
°
C
20
16
12
8
4
0
1300
|
S
21
|
与频率的关系
0
-5
-1 0
|
S
11
|
与频率的关系
S
21
（ dB）的
S
11
（ dB）的
-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
1300
1500
1700
1900
2100
2300
2500
1500
1700
1900
2100
2300
2500
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
-1 0
-1 4
-1 8
-2 2
-2 6
-2 5
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
|
S
12
|
与频率的关系
|
S
22
|
与频率的关系
0
-5
-1 0
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
1500
1700
1900
2100
2300
2500
-1 5
-2 0
-3 0
1300
-3 0
1300
1500
1700
1900
2100
2300
2500
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
典型的射频性能在V
S
= 4 V - 1400至2500年兆赫评估板 - T的
领导
=+25
°
C
|
S
21
|
与频率的关系
20
16
12
8
4
0
1300
0
-5
-1 0
|
S
11
|
与频率的关系
S
21
（ dB）的
S
11
（ dB）的
-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
1300
1500
1700
1900
2100
2300
2500
1500
1700
1900
2100
2300
2500
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
|
S
12
|
与频率的关系
-1 0
-1 4
-1 8
-2 2
-2 6
-3 0
1300
0
-5
-1 0
|
S
22
|
与频率的关系
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
1300
1500
1700
1900
2100
2300
2500
1500
1700
1900
2100
2300
2500
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
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EDS - 101502 C版本
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SGL - 0263 （ Z） 1400至2500年兆赫的SiGe低噪声放大器
一四零零年至2500年兆赫应用电路
+V
S
延迟元件
REF 。
ES 。
Z1
Z2
Z3
相移@
Z
0
（欧姆）的2GHz （度）
50
50
50
11
13
6
应用电路元件值
参考
代号
C
D2
R
B2
C
D1
价值
27 nH的
1.2 nH的
厂家专业
urer &
产品型号
TOKO LL1608 - FS27NJ
TOKO LL1608 - FS1R2NJ
L
B
L
M1
B1
1
R
B1
（ OPT ）
B1
（ OPT ）
1500欧姆FAIR -RITE 2508051527y0
@ 100 MHz的铁氧体磁珠
0.1 uF的
22 pF的
1.0 pF的
47欧姆
0欧姆
三星CL10B103KBNC
ROHM MCH185AA220DJK
ROHM MCH185A1R0CK
PHILLIPS 9C06031A47R0 JL HFT
PHILLIPS 9C06031A0R00 JL HFT
4
C
B
Z1
RF
输入
C
M1
L
M1
Z2
3
SGL-0263
6
5
Z3
L
B
C
B
RF
产量
C
B
, C
D 1
C
D2
C
M1
R
B1
1
一四零零年至2500年兆赫评估电路板
Sirenza的
微型器件
ECB-101761
版本B
RF
IN
R
B2
2
注意事项：
1.
B1和R
B1
提供完善
K因子，但是可选的。
2. R
B2
可以引入一个降压电阻与使用
供应电压高于所需的设备的偏置电压。
器件引脚输出指南
C
B
C
M1
L
M1
SGL-0263
C
B
L
B
R
B1
RF
OUT
针＃
1
功能
N / C
描述
没有电连接。提供隔离（除非
接地）焊盘安装的完整性。
射频输入引脚。该引脚需要使用一个外部的
隔直电容选用的频率
操作。
电源连接。旁路用合适的
电容器。
连接到地。通路孔尽可能靠近提供
设备接地引线尽可能减少地面
电感和实现最佳的RF性能。
RF输出和电压供给。直流电压存在上
这个引脚，因此隔直电容是必要的
正确操作。
3
C
D1
C
D2
在RF
B1
4
直流偏置
R
B2
2, 5
地
注意：
电路板的介电
材料是GETEK ， ML200C
+V
S
GND
6
RF OUT /
BIAS
部分标识标记&引脚输出
可靠性&资质信息
参数
ESD额定值 - 人体模型（ HBM ）
湿度敏感度等级
等级
1A级
MSL 1
6 5 4
6 5 4
L1
1 2 3
锡 - 铅
L1Z
1 2 3
无铅
符合RoHS
产品合格报告可道nloaded在
W W w.sirenza.com
订购信息
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
部分
数
SGL-0263
SGL-0263Z
P ackag E / L EAD
作文
锡 - 铅
无铅，符合RoHS标准
鳗鱼
SIZ ê
7"
7"
器件
/ R鳗鱼
3000
3000
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101502 C版本
4
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SGL - 0263 （ Z） 1400至2500年兆赫的SiGe低噪声放大器
SOT- 363的PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
焊盘布局
0.026
0.075
注意事项：
1.在器件引脚提供一个接地焊盘面积2 & 5
与通孔连接至PCB地平面镀。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
0.035
0.016
SOT- 363封装标称尺寸
尺寸以英寸[毫米]
链接到SOT -363封装外形全尺寸和图纸
公差可以在www.sirenza.com产品网页上找到。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101502 C版本
5
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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QQ：2880707522 复制
