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SMK0780FD
先进的N沟道功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压： BV
DDS
=800V
低栅极电荷：Q
g
= 40nC （典型值）。
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 1.6Ω （最大）
100％的雪崩测试
符合RoHS设备，并提供无卤素器件
订购信息
产品型号
SMK0780FD
记号
SMN0780
包
TO-220F-3L
GDS
TO-220F-3L
标识信息
专栏1 ：制造商
专栏2 ：生产信息
例如） GFYMDD
- 。 G：选项代码（ H：无卤）
- 。 F：工厂管理规则
- 。 YMDD ：日期代码（年，月，日）
专栏3 ：设备代码
AUK
AUK
GFYMDD
Δ
YMDD
SMK0780
SDB20D45
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
*
漏电流（脉冲）
*
雪崩电流
（注2 ）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩电流
（注1 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
功耗
结温
存储温度范围
*只限于最高结温
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
c
=25C
T
c
=100C
I
DM
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
T
J
T
英镑
等级
800
30
7
4.4
28
7
522
7
4.5
45
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
A
mJ
W
C
C
修订日期： 01 - JUN- 11
KSD-T0O073-000
www.auk.co.kr
1第8
SMK0780FD
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
等级
马克斯。 2.77
马克斯。 62.5
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
（注3）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
（注3,4 ）
上升时间
（注3,4 ）
打开-O FF延迟时间
（注3,4 ）
下降时间
（注3,4 ）
总栅极电荷
（注3,4 ）
栅极 - 源电荷
（注3,4 ）
栅极 - 漏极电荷
（注3,4 ）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=640V, V
GS
=10V,
I
D
=7A
V
DD
= 400V ，我
D
=7A,
R
G
=25
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
f=1.0MHz
测试条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0
I
D
= 250uA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=800V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.5A
V
DS
= 10V ，我
D
=3.5A
分钟。
800
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
1.28
5.6
1650
135
15
40
110
65
70
40
12
15
马克斯。
-
5
1
100
1.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
单位
V
V
uA
nA
S
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
源电流（ DC）的
源电流（脉冲）
正向电压
反向恢复时间
（注3,4 ）
反向恢复电荷
（注3,4 ）
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时，我
S
=7A
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
560
4
马克斯。
7
28
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
注意：
1.反复评级：脉冲宽度有限的安全工作区
2， L = 20mH ，我
AS
= 7A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25C
3.脉冲测试：脉冲width≤300us ，职务cycle≤2 ％
4.基本上是独立的工作温度典型特征
修订日期： 01 - JUN- 11
KSD-T0O073-000
www.auk.co.kr
2第8
SMK0780FD
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
50
45
40
9.5 V
9.0 V
8.5 V
8.0 V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部5.0 V
顶部
图。 2我
D
– V
GS
10
漏电流，我
D
[A]
漏电流，我
D
[A]
35
30
25
20
15
10
5
0
0
※
注意：
1.250
脉冲测试
2.T
C
=25
°
C
1
150
℃
-25
℃
0.1
25
℃
0.01
※
注意：
1.V
DS =
10V
2.250
脉冲测试
10
20
30
40
50
0.001
0
2
4
6
8
10
漏极 - 源极电压V
DS
[V]
栅源电压，V
GS
[V]
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
3
※
注意：
T
J
=25
`
源电流，我
S
[A]
图。 4我
S
- V
SD
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[ ]
2.5
150
℃
1
2
VGS=20V
1.5
VGS=10V
25
℃
0.1
1
0.5
※
注意：
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
1.V
GS =
0V
2.250
脉冲测试
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏电流，I
D
[A]
源 - 漏正向电压，V
SD
[V]
图。 5电容 - V
DS
3000
※
注意：
1.VGS
=
0V
2.f=1MHz
图。 6 V
GS
- Q
G
14
※
注意：
1.I
D =
7
A
栅源电压，V
GS
[V]
2500
西塞
12
10
8
6
4
2
0
2.v
DS =
640V
电容[ pF的]
2000
1500
1000
CRSS
500
科斯
0
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
漏极 - 源极电压V
DS
[V]
总栅极电荷QG [ NC ]
修订日期： 01 - JUN- 11
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3 8
SMK0780FD
电气特性曲线
（续）
图。 7 BV
DSS
- T
J
1.15
图。 8 R
DS （ ON）
- T
J
3
漏源击穿电压
BV
DSS
' （归一化）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
' （归一化）
1.10
2.5
2
1.05
1.5
1.00
1
0.95
※
注意：
0.5
※
注意：
1.v
GS =
0V
2.I
D =
3.5
A
1.v
GS =
0V
2.I
D =
250
μs
0.90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
结温，T
J
[
℃
]
结温，T
J
[
℃
]
图。 9安全工作区
10
2
图。 10 I
D
- T
C
8
在这一领域
由R有限公司
DS
（上）
10
μs
I
D
，漏电流[ A]
漏电流，我
D
[ ]
10
1
100
μs
1m
s
10
ms
A
10
2
6
10
0
DC
4
10
-1
※
注意：
2
1.T
C
=25
2.T
J
=150
3.单脉冲
10
-2
0
10
0
10
1
0
25
50
75
100
V
DS
，漏源电压[V]
外壳温度，T
C
[
°C
125
150
修订日期： 01 - JUN- 11
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4 8
SMK0780FD
图。 11栅极电荷测试电路波形&
图。 12电阻开关测试电路波形&
图。 12 E
AS
测试电路波形&
修订日期： 01 - JUN- 11
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5 8
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